Электронная структура интерметаллидов на основе редкоземельного элемента и переходного или благородного металла; Перспективы развития фундаментальных наук; Т. 1 : Физика
| Parent link: | Перспективы развития фундаментальных наук=Prospects of Fundamental Sciences Development: сборник научных трудов XV Международной конференции студентов, аспирантов и молодых ученых, г. Томск, 24-27 апреля 2018 г./ Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ) ; под ред. И. А. Курзиной, Г. А. Вороновой.— , 2018 Т. 1 : Физика.— 2018.— [С. 84-86] |
|---|---|
| Հիմնական հեղինակ: | |
| Համատեղ հեղինակ: | |
| Այլ հեղինակներ: | |
| Ամփոփում: | Заглавие с экрана The results of ab initio study of resonant surface states genesis in the vicinity of Γ point for GdRh[2]Si[2] are presented in this work. Our electronic band structure calculations have shown that the resonant surface states are already formed in three atomic layer slab Si-Rh-Si. The states localization within three layer slab causes its resonant nature and presence of these states on Si- and Gd- termination surfaces. |
| Լեզու: | ռուսերեն |
| Հրապարակվել է: |
2018
|
| Խորագրեր: | |
| Առցանց հասանելիություն: | http://earchive.tpu.ru/handle/11683/50907 |
| Ձևաչափ: | Էլեկտրոնային Գրքի գլուխ |
| KOHA link: | https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=627380 |
| Ամփոփում: | Заглавие с экрана The results of ab initio study of resonant surface states genesis in the vicinity of Γ point for GdRh[2]Si[2] are presented in this work. Our electronic band structure calculations have shown that the resonant surface states are already formed in three atomic layer slab Si-Rh-Si. The states localization within three layer slab causes its resonant nature and presence of these states on Si- and Gd- termination surfaces. |
|---|