К вопросу автоматизированных испытаний силовых коммутационных GaN транзисторов

К вопросу автоматизированных испытаний силовых коммутационных GaN транзисторов

Podrobná bibliografie
Parent link:	Перспективы развития фундаментальных наук=Prospects of Fundamental Sciences Development: сборник научных трудов XIV Международной конференции студентов, аспирантов и молодых ученых, г. Томск, 25-28 апреля 2017 г./ Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ) ; под ред. И. А. Курзиной, Г. А. Вороновой.— , 2017 Т. 7 : IT-технологии и электроника.— 2017.— [С. 111-113]
Hlavní autor:	Томашевич А. А.
Další autoři:	Лощилов А. Г., Ерофеев Е. В.
Shrnutí:	Заглавие с экрана This paper discusses automation solution for testing of GaN based power transistors. This solution includes switching circuit that makes it possible to measure representative samples in amounts of ten and more in automatic mode. It enables to reduce efforts and increase measurement repeatability.
Jazyk:	ruština
Vydáno:	2017
Témata:	электронные ресурсы научно-технологическое развитие нанотехнологии силовые транзисторы исследовательские испытания GAN
On-line přístup:	http://earchive.tpu.ru/handle/11683/45347
Médium:	Elektronický zdroj Kapitola
KOHA link:	https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=625709

Podobné jednotky

Физическое моделирование GaN/AlGaN HEMTнаногетероструктур и мощных СВЧ-транзисторовс использованием пакета Synopsys
Vydáno: (2012)

Luminescent diagnostics of led heterostructures based on InGaN/GaN
Vydáno: (2016)

Эпитаксиальные слои GaN на кремниевых подложках для AlGaN/GaN гетероструктур с высокой подвижностью электронов автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук спец. 1.3.11
Autor: Малин Т. В. Тимур Валерьевич
Vydáno: (Новосибирск, 2025)

Structural Changes in a Single GaN Nanowire under Applied Voltage Bias
Vydáno: (2018)

Influence of Contacts and Applied Voltage on a Structure of a Single GaN Nanowire
Vydáno: (2021)

Разработка макета дискретного быстродействующего драйвера управления силовыми GaN транзисторами
Autor: Ерофеев Е. В.
Vydáno: (2017)

Контроль параметров аналоговых микросхем, силовых диодов и транзисторов
Autor: Дракин А. Ю.
Vydáno: (Санкт-Петербург, Лань, 2021)

Механизмы формирования квантовых точек GaN методом аммиачной молекулярно-лучевой эпитаксии автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук спец. 1.3.11
Autor: Майдэбура Я. Е. Ян Евгеньевич
Vydáno: (Новосибирск, 2025)

High-performance and broadband photodetection of bicrystalline (GaN)1-x(ZnO)x solid solution nanowires via crystal defect engineering
Vydáno: (2021)

High-voltage MIS-gated GaN transistors
Vydáno: (2017)

Контроль параметров аналоговых микросхем, силовых диодов и транзисторов монография
Autor: Дракин А. Ю. Александр Юрьевич
Vydáno: (Санкт-Петербург, Лань, 2018)

Численное моделирование температурных полей силовых транзисторов с учетом разрывов коэффициентов переноса
Autor: Кузнецов Г. В. Гений Владимирович
Vydáno: (2005)

Физика сверхбыстродействующих транзисторов
Autor: Пожела Ю. К. Юрас Карлович
Vydáno: (Вильнюс, Мокслас, 1985)

Физика быстродействующих транзисторов Монография
Autor: Пожела Ю. К. Юрас Карлович
Vydáno: (Вильнюс, Мокслас, 1989)

Измерения параметров транзисторов пер. с польск.
Autor: Столярский Э. Эдвард
Vydáno: (Москва, Советское радио, 1976)

Мощные МДП-транзисторы в силовых узлах преобразователей напряжения
Autor: Чернышева С. Г.
Vydáno: (1987)

Аналоги отечественных транзисторов
Vydáno: (2002)

Методы расчета транзисторов
Autor: Трутко А. Ф. Анатолий Федорович
Vydáno: (Москва, Энергия, 1971)

Increase the threshold voltage of high voltage GaN transistors by low temperature atomic hydrogen treatment
Vydáno: (2017)

[131] Experimental study of the short-circuit robustness of 600 V E-mode GaN transistors
Vydáno: (2016)

Универсальный тестер транзисторов
Vydáno: (2002)

Пробник для проверки транзисторов
Autor: Щербинин А.
Vydáno: (2002)

Сегментация изображений на основе генеративной состязательной сети
Autor: Кривошеев Н. А. Николай Анатольевич
Vydáno: (2020)

Исследование методов генерации данных для медицинских исследований
Autor: Губин Е. И. Евгений Иванович
Vydáno: (2025)

Применение полевых транзисторов пер. с англ.
Autor: Гозлинг В. Вильям
Vydáno: (Москва, Энергия, 1970)

СВЧ транзисторы на широкозонных полупроводниках учебное пособие
Autor: Васильев А. Г. Андрей Георгиевич
Vydáno: (Москва, Техносфера, 2011)

Транзисторы на основе полупроводниковых гетероструктур монография
Autor: Ковалев А. Н.
Vydáno: (Москва, МИСИС, 2011)

Автоматическая адаптация гидродинамической модели с применением нейронных сетей
Autor: Сливкин С. С. Станислав Сергеевич
Vydáno: (2023)

Алгоритмы использования нейронных сетей для улучшения системы RSA
Autor: Гулаков П. Ю.
Vydáno: (2025)

Мультивибраторы с динамическим насыщением транзисторов
Autor: Шпота С. Д. Сергей Дмитриевич
Vydáno: (Минск, Наука и техника, 1977)

Шумовые свойства транзисторов на низких частотах
Autor: Придорогин В. М. Валерий Михайлович
Vydáno: (Москва, Энергия, 1976)

Проектирование и технология производства мощных СВЧ транзисторов
Vydáno: (Москва, Радио и связь, 1989)

Методы генерации данных для медицинских исследований
Autor: Губин Е. И. Евгений Иванович
Vydáno: (2025)

Математическое моделирование температурных полей силовых биполярных транзисторов диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук спец. 01.04.14
Autor: Белозерцев А. В. Андрей Витальевич
Vydáno: (Томск, [Б. и.], 2007)

Physical nature of size effects in TiAlNiAu/GaN ohmic contacts to AlGaN/GaN heteroepitaxial structures
Vydáno: (2022)

Стимулированная люминесценция светодиодных гетероструктур при возбуждении сильноточным электронным пучком
Autor: Цзысюань Ли
Vydáno: (2023)

Математическое моделирование температурных полей силовых биполярных транзисторов автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук спец. 01.04.14
Autor: Белозерцев А. В. Андрей Витальевич
Vydáno: (Томск, [Б. и.], 2007)

Математическое моделирование температурных полей силовых биполярных транзисторов автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук
Autor: Белозерцев А. В. Андрей Витальевич
Vydáno: (Томск, [Б. и.], 2007)

Время-разрешенная фотолюминесценция в квантовых ямах InGaN/GaN
Autor: Олешко В. И. Владимир Иванович
Vydáno: (2013)

Конструктивно-технологические особенности субмикронных МОП-транзисторов
Autor: Красников Г. Я. Геннадий Яковлевич
Vydáno: (Москва, Техносфера, 2011)