К вопросу автоматизированных испытаний силовых коммутационных GaN транзисторов; Перспективы развития фундаментальных наук; Т. 7 : IT-технологии и электроника
| Parent link: | Перспективы развития фундаментальных наук=Prospects of Fundamental Sciences Development: сборник научных трудов XIV Международной конференции студентов, аспирантов и молодых ученых, г. Томск, 25-28 апреля 2017 г./ Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ) ; под ред. И. А. Курзиной, Г. А. Вороновой.— , 2017 Т. 7 : IT-технологии и электроника.— 2017.— [С. 111-113] |
|---|---|
| Autor Principal: | |
| Outros autores: | , |
| Summary: | Заглавие с экрана This paper discusses automation solution for testing of GaN based power transistors. This solution includes switching circuit that makes it possible to measure representative samples in amounts of ten and more in automatic mode. It enables to reduce efforts and increase measurement repeatability. |
| Idioma: | ruso |
| Publicado: |
2017
|
| Subjects: | |
| Acceso en liña: | http://earchive.tpu.ru/handle/11683/45347 |
| Formato: | Electrónico Capítulo de libro |
| KOHA link: | https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=625709 |
MARC
| LEADER | 00000naa2a2200000 4500 | ||
|---|---|---|---|
| 001 | 625709 | ||
| 005 | 20231101133357.0 | ||
| 035 | |a (RuTPU)RU\TPU\conf\24969 | ||
| 035 | |a RU\TPU\conf\24967 | ||
| 090 | |a 625709 | ||
| 100 | |a 20171218d2017 k y0rusy50 ca | ||
| 101 | 0 | |a rus |d eng | |
| 102 | |a RU | ||
| 105 | |a y z 100zy | ||
| 135 | |a drcn ---uucaa | ||
| 181 | 0 | |a i | |
| 182 | 0 | |a b | |
| 200 | 1 | |a К вопросу автоматизированных испытаний силовых коммутационных GaN транзисторов |d On question of automated tests of GaN power transistors |f А. А. Томашевич, А. Г. Лощилов, Е. В. Ерофеев | |
| 203 | |a Текст |c электронный | ||
| 230 | |a 1 компьютерный файл (pdf; 263 Kb) | ||
| 300 | |a Заглавие с экрана | ||
| 320 | |a [Библиогр.: с. 113 (2 назв.)] | ||
| 330 | |a This paper discusses automation solution for testing of GaN based power transistors. This solution includes switching circuit that makes it possible to measure representative samples in amounts of ten and more in automatic mode. It enables to reduce efforts and increase measurement repeatability. | ||
| 461 | 1 | |0 (RuTPU)RU\TPU\conf\21388 |t Перспективы развития фундаментальных наук |l Prospects of Fundamental Sciences Development |o сборник научных трудов XIV Международной конференции студентов, аспирантов и молодых ученых, г. Томск, 25-28 апреля 2017 г. |o в 7 т. |f Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ) ; под ред. И. А. Курзиной, Г. А. Вороновой |d 2017 | |
| 463 | 1 | |0 (RuTPU)RU\TPU\conf\21398 |t Т. 7 : IT-технологии и электроника |v [С. 111-113] |d 2017 | |
| 510 | 1 | |a On question of automated tests of GaN power transistors |z eng | |
| 610 | 1 | |a электронные ресурсы | |
| 610 | 1 | |a научно-технологическое развитие | |
| 610 | 1 | |a нанотехнологии | |
| 610 | 1 | |a силовые транзисторы | |
| 610 | 1 | |a исследовательские испытания | |
| 610 | 1 | |a GAN | |
| 700 | 1 | |a Томашевич |b А. А. | |
| 701 | 1 | |a Лощилов |b А. Г. | |
| 701 | 1 | |a Ерофеев |b Е. В. | |
| 801 | 2 | |a RU |b 63413507 |c 20171220 |g RCR | |
| 856 | 4 | |u http://earchive.tpu.ru/handle/11683/45347 | |
| 942 | |c BK | ||