Разработка методов и средств обеспечения и прогнозирования надёжности элементной базы на основе наноразмерных A3B5 резонансно-туннельных гетероструктур для радиоэлектронных систем навигации и управления ракетно-космической техникой

Разработка методов и средств обеспечения и прогнозирования надёжности элементной базы на основе наноразмерных A3B5 резонансно-туннельных гетероструктур для радиоэлектронных систем навигации и управления ракетно-космической техникой

Détails bibliographiques
Parent link:	"Орбита молодёжи" и перспективы развития российской космонавтики: сборник докладов Всероссийской молодёжной научно-практической конференции, г. Томск, 18-22 сентября 2017 г./ Российская Федерация, Федеральное космическое агентство (Роскосмос) ; Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ) ; Российская академия наук (РАН), Сибирское отделение (СО), Институт физики прочности и материаловедения (ИФПМ) ; Полюс. [С. 117-118].— , 2017
Auteur principal:	Макеев М. О.
Autres auteurs:	Синякин В. Ю. (727), Мешков С. А., Иванов Ю. А.
Résumé:	Заглавие с экрана
Langue:	russe
Publié:	2017
Collection:	Целевая аппаратура космических аппаратов, системные и проектно-конструкторские решения космических аппаратов различного назначения
Sujets:	электронный ресурс методы средства обеспечение прогнозирование надежность элементная база наноразмерные гетероструктуры резонансно-туннельные гетероструктуры радиоэлектронные системы навигация управление ракетно-космическая техника
Accès en ligne:	http://earchive.tpu.ru/handle/11683/44794
Format:	Électronique Chapitre de livre
KOHA link:	https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=625020

Documents similaires

[Вып. 2]
Publié: (2013)

Резонансное туннелирование электронов, взаимодействующих с фононами
par: Елесин В. Ф.
Publié: (2003)

Эпитаксиальные методы получения наноразмерных гетероструктур InGaAlP
par: Орлова К. Н. Ксения Николаевна
Publié: (2012)

Стимулированная люминесценция светодиодных гетероструктур при возбуждении сильноточным электронным пучком
par: Цзысюань Ли
Publié: (2023)

Фотокаталитическая активность гетероструктур на основе оксида цинка
par: Юхновец О. И.
Publié: (2018)

Имульсная люминесценция гетероструктур на основе GaN
par: Васенев А. С.
Publié: (2012)

Технологии получения гетероструктур AlGaInP
par: Орлова К. Н. Ксения Николаевна
Publié: (2012)

Исследование многокомпанентных висмутсодержащих гетероструктур на основе соединений [A3B5]
Publié: (2003)

Конструкции фурм для продувки расплава методом резонансно-пульсирующего рафинирования
par: Жерновенков А. Н.
Publié: (2011)

Физика и технология гетероструктур III-V: современное состояние и тенденции развития
par: Асеев А. Л.
Publié: (2003)

Метод огибающих функций для гетероструктур. Модели сшивания и применения для [AlAs/AlxGa1-xAs(110)]
par: Караваев Г. Ф.
Publié: (2003)

Получение сульфидных гетероструктур для фотоэлектрохимических материалов
par: Титов М. Н.
Publié: (2020)

Люминесцентный контроль светодиодных гетероструктур, выращенных методом металлоорганической газофазной эпитаксии на сапфире
par: Ли Цзысюань
Publié: (2022)

Получение гетероструктур Ag[2]S/Ag фотохимическим методом
par: Итыгина Д. Р.
Publié: (2020)

Электрохимия полупроводниковых гетероструктур
par: Кулак А. И. Анатолий Иосифович
Publié: (Минск, Университетское, 1986)

Моделирование рабочих процессов в резонансно-колебательном электромеханическом преобразователе
par: Глазырин А. С. Александр Савельевич
Publié: (2002)

Стимулированная люминесценция светодиодных гетероструктур при возбуждении сильноточным электронным пучком
par: Козубова М. А.
Publié: (2013)

Радиационная модель светодиодов на основе гетероструктур AlGaInP
par: Градобоев А. В. Александр Васильевич
Publié: (2012)

Способы увеличения мощности излучения светодиодов на основе гетероструктур AlGaInP
par: Орлова К. Н. Ксения Николаевна
Publié: (2012)

Исследование оптических свойств светодиодов на основе гетероструктур из широкозонных полупроводников
par: Бактыбаев А. А.
Publié: (2016)

Исследование стойкости светодиодов на основе гетероструктур AlGaAs к воздействию нейтронного излучения
par: Жамалдинов Ф. Ф.
Publié: (2022)

Радиационная стойкость гетероструктур AlGaInP (λ = 630 нм) с множественными квантовыми ямами
par: Орлова К. Н. Ксения Николаевна
Publié: (2014)

Разработка сенсорных гетероструктур на основе висмутсодержащих оксидных соединений и их использование для определения компонентов воздушной среды
par: Бондарь И. А.
Publié: (2018)

Исследование морфологии и фазового состава частиц гетероструктур ZnO/ZnS, полученных методом электроискрового диспергирования
par: Ажгихин М. И.
Publié: (2014)

Диагностика радиационной стойкости светодиодов с наноразмерными квантовыми ямами на основе гетероструктур AlGaInP
par: Орлова К. Н. Ксения Николаевна
Publié: (2012)

Конкуренция сверхпроводимости и магнетизма в гетероструктурах ферромагнетик/сверхпроводник
par: Изюмов Ю. А.
Publié: (2002)

Разрушение светодиодных гетероструктур при облучении сильноточным электронным пучком
par: Ли Цзысюань
Publié: (2018)

Время разрешенная фотолюминесцентная спектроскопия гетероструктур на основе InGaN/GaN-квантовых ям
par: Ли Цзысюань
Publié: (2017)

Исследование гетероструктур AlGaInP при облучении гамма-квантами в области перестройки дефектной структуры
Publié: (2013)

Светодиоды на основе гетероструктур AlGaAs: действие гамма-излучения и эксплуатационных факторов
par: Симонова А. В.
Publié: (2018)

Получение, исследование свойств тонкопленочных полупроводниковых гетероструктур из соединений [AIIBVI] и разработка приборов на их основе. Диссертация на соискание ученой степени кандидата технических наук Спец. 05.02.11
par: Сычик В. А.
Publié: (Томск, 1973)

Фотолюминесценция полупроводниковых гетероструктур ALGAN / INGAN / GANс возбуждением импульсной Хе-лампой
par: Сычева А. В.
Publié: (2016)

Технологические возможности формирования тонкопленочных гетероструктур на основе алмазоподобных и сегнетоэлектрических материалов
Publié: (2012)

Диоды, транзисторы и тиристоры на основе гетероструктур [монография]
par: Корольков В. И. Владимир Ильич
Publié: (Ташкент, Фан, 1986)

Лавинные фотодиоды ближнего инфракрасного диапазона на основе гетероструктур Ge/Si с массивом наноотверстий в поглощающем слое автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук спец. 1.3.11
par: Диб Хазем
Publié: (Томск, 2024)

Исследование свойств наногетероструктур Ga2O3 -ZnO как материалов для фотоэлектрохимических устройств
par: Блинова А. А.
Publié: (2024)

Деградация параметров гетероструктур AlGaInP при облучении быстрыми нейтронами и гамма-квантами
par: Градобоев А. В. Александр Васильевич
Publié: (2013)

Резонансное туннелирование электронов через виртуальные интерференционные состояния, формирующиеся вследствие отражения от границы сильнолегированной области CaAs
par: Ханин Ю. Н.
Publié: (2004)

Reliability of LEDs based upon AlGaAs heterostructures: combined influence of fast neutron and operation factors
par: Gradoboev A. V. Aleksandr Vasilyevich
Publié: (2018)

Исследование метрологических характеристик электронных приборов
par: Комягин Р. В.
Publié: (Москва, МГТУ им. Н.Э. Баумана, 2016)