Разработка методов и средств обеспечения и прогнозирования надёжности элементной базы на основе наноразмерных A3B5 резонансно-туннельных гетероструктур для радиоэлектронных систем навигации и управления ракетно-космической техникой; "Орбита молодёжи" и перспективы развития российской космонавтики
| Parent link: | "Орбита молодёжи" и перспективы развития российской космонавтики.— 2017.— [С. 117-118] |
|---|---|
| প্রধান লেখক: | |
| অন্যান্য লেখক: | , , |
| সংক্ষিপ্ত: | Заглавие с экрана |
| ভাষা: | রুশ |
| প্রকাশিত: |
2017
|
| মালা: | Целевая аппаратура космических аппаратов, системные и проектно-конструкторские решения космических аппаратов различного назначения |
| বিষয়গুলি: | |
| অনলাইন ব্যবহার করুন: | http://earchive.tpu.ru/handle/11683/44794 |
| বিন্যাস: | বৈদ্যুতিক গ্রন্থের অধ্যায় |
| KOHA link: | https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=625020 |
অনুরূপ উপাদানগুলি
[Вып. 2]; Нанотехнологии в электронике
প্রকাশিত: (2013)
প্রকাশিত: (2013)
Резонансное туннелирование электронов, взаимодействующих с фононами; Журнал экспериментальной и теоретической физики; Т. 123, вып. 5
অনুযায়ী: Елесин В. Ф.
প্রকাশিত: (2003)
অনুযায়ী: Елесин В. Ф.
প্রকাশিত: (2003)
Стимулированная люминесценция светодиодных гетероструктур при возбуждении сильноточным электронным пучком; Перспективы развития фундаментальных наук; Т. 1 : Физика
অনুযায়ী: Цзысюань Ли
প্রকাশিত: (2023)
অনুযায়ী: Цзысюань Ли
প্রকাশিত: (2023)
Эпитаксиальные методы получения наноразмерных гетероструктур InGaAlP; Актуальные проблемы биохимии и бионанотехнологии; Т. 2
অনুযায়ী: Орлова К. Н. Ксения Николаевна
প্রকাশিত: (2012)
অনুযায়ী: Орлова К. Н. Ксения Николаевна
প্রকাশিত: (2012)
Фотокаталитическая активность гетероструктур на основе оксида цинка; Химия и химическая технология в XXI веке
অনুযায়ী: Юхновец О. И.
প্রকাশিত: (2018)
অনুযায়ী: Юхновец О. И.
প্রকাশিত: (2018)
Технологии получения гетероструктур AlGaInP; Инновации в машиностроении
অনুযায়ী: Орлова К. Н. Ксения Николаевна
প্রকাশিত: (2012)
অনুযায়ী: Орлова К. Н. Ксения Николаевна
প্রকাশিত: (2012)
Имульсная люминесценция гетероструктур на основе GaN; Современные техника и технологии; Т. 3
অনুযায়ী: Васенев А. С.
প্রকাশিত: (2012)
অনুযায়ী: Васенев А. С.
প্রকাশিত: (2012)
Исследование многокомпанентных висмутсодержащих гетероструктур на основе соединений [A3B5]; Известия вузов. Физика; Т. 46, № 11
প্রকাশিত: (2003)
প্রকাশিত: (2003)
Электрохимия полупроводниковых гетероструктур
অনুযায়ী: Кулак А. И. Анатолий Иосифович
প্রকাশিত: (Минск, Университетское, 1986)
অনুযায়ী: Кулак А. И. Анатолий Иосифович
প্রকাশিত: (Минск, Университетское, 1986)
Метод огибающих функций для гетероструктур. Модели сшивания и применения для [AlAs/AlxGa1-xAs(110)]; Известия вузов. Физика; Т. 46, № 6
অনুযায়ী: Караваев Г. Ф.
প্রকাশিত: (2003)
অনুযায়ী: Караваев Г. Ф.
প্রকাশিত: (2003)
Физика и технология гетероструктур III-V: современное состояние и тенденции развития; Известия вузов. Физика; Т. 46, № 6
অনুযায়ী: Асеев А. Л.
প্রকাশিত: (2003)
অনুযায়ী: Асеев А. Л.
প্রকাশিত: (2003)
Конструкции фурм для продувки расплава методом резонансно-пульсирующего рафинирования; Исследования молодых - регионам; Т. 1
অনুযায়ী: Жерновенков А. Н.
প্রকাশিত: (2011)
অনুযায়ী: Жерновенков А. Н.
প্রকাশিত: (2011)
Получение сульфидных гетероструктур для фотоэлектрохимических материалов; Химия и химическая технология в XXI веке
অনুযায়ী: Титов М. Н.
প্রকাশিত: (2020)
অনুযায়ী: Титов М. Н.
প্রকাশিত: (2020)
Люминесцентный контроль светодиодных гетероструктур, выращенных методом металлоорганической газофазной эпитаксии на сапфире; Energy Fluxes and Radiation Effects (EFRE); Radiation Physics and Chemistry of Condensed Matter
অনুযায়ী: Ли Цзысюань
প্রকাশিত: (2022)
অনুযায়ী: Ли Цзысюань
প্রকাশিত: (2022)
Способы увеличения мощности излучения светодиодов на основе гетероструктур AlGaInP; Приволжский научный вестник; № 10 (14)
অনুযায়ী: Орлова К. Н. Ксения Николаевна
প্রকাশিত: (2012)
অনুযায়ী: Орлова К. Н. Ксения Николаевна
প্রকাশিত: (2012)
Получение гетероструктур Ag[2]S/Ag фотохимическим методом; Химия и химическая технология в XXI веке
অনুযায়ী: Итыгина Д. Р.
প্রকাশিত: (2020)
অনুযায়ী: Итыгина Д. Р.
প্রকাশিত: (2020)
Стимулированная люминесценция светодиодных гетероструктур при возбуждении сильноточным электронным пучком; Современные техника и технологии; Т. 3
অনুযায়ী: Козубова М. А.
প্রকাশিত: (2013)
অনুযায়ী: Козубова М. А.
প্রকাশিত: (2013)
Исследование стойкости светодиодов на основе гетероструктур AlGaAs к воздействию нейтронного излучения; Физико-технические проблемы в науке, промышленности и медицине
অনুযায়ী: Жамалдинов Ф. Ф.
প্রকাশিত: (2022)
অনুযায়ী: Жамалдинов Ф. Ф.
প্রকাশিত: (2022)
Разработка сенсорных гетероструктур на основе висмутсодержащих оксидных соединений и их использование для определения компонентов воздушной среды; Функциональные материалы: разработка, исследование, применение
অনুযায়ী: Бондарь И. А.
প্রকাশিত: (2018)
অনুযায়ী: Бондарь И. А.
প্রকাশিত: (2018)
Радиационная модель светодиодов на основе гетероструктур AlGaInP; I; Облучение гамма-квантами 60Со; Радиационная физика твердого тела
অনুযায়ী: Градобоев А. В. Александр Васильевич
প্রকাশিত: (2012)
অনুযায়ী: Градобоев А. В. Александр Васильевич
প্রকাশিত: (2012)
Диагностика радиационной стойкости светодиодов с наноразмерными квантовыми ямами на основе гетероструктур AlGaInP; Студент и научно-технический прогресс
অনুযায়ী: Орлова К. Н. Ксения Николаевна
প্রকাশিত: (2012)
অনুযায়ী: Орлова К. Н. Ксения Николаевна
প্রকাশিত: (2012)
Исследование оптических свойств светодиодов на основе гетероструктур из широкозонных полупроводников; Высокие технологии в современной науке и технике (ВТСНТ-2016)
অনুযায়ী: Бактыбаев А. А.
প্রকাশিত: (2016)
অনুযায়ী: Бактыбаев А. А.
প্রকাশিত: (2016)
Исследование морфологии и фазового состава частиц гетероструктур ZnO/ZnS, полученных методом электроискрового диспергирования; Ресурсоэффективным технологиям - энергию и энтузиазм молодых
অনুযায়ী: Ажгихин М. И.
প্রকাশিত: (2014)
অনুযায়ী: Ажгихин М. И.
প্রকাশিত: (2014)
Радиационная стойкость гетероструктур AlGaInP (λ = 630 нм) с множественными квантовыми ямами; Известия вузов. Физика; Т. 57, № 2-2
অনুযায়ী: Орлова К. Н. Ксения Николаевна
প্রকাশিত: (2014)
অনুযায়ী: Орлова К. Н. Ксения Николаевна
প্রকাশিত: (2014)
Моделирование рабочих процессов в резонансно-колебательном электромеханическом преобразователе; Современные техника и технологии - СТТ' 2002; Т. 2
অনুযায়ী: Глазырин А. С. Александр Савельевич
প্রকাশিত: (2002)
অনুযায়ী: Глазырин А. С. Александр Савельевич
প্রকাশিত: (2002)
Конкуренция сверхпроводимости и магнетизма в гетероструктурах ферромагнетик/сверхпроводник; Успехи физических наук; Т. 172, вып. 2
অনুযায়ী: Изюмов Ю. А.
প্রকাশিত: (2002)
অনুযায়ী: Изюмов Ю. А.
প্রকাশিত: (2002)
Исследование гетероструктур AlGaInP при облучении гамма-квантами в области перестройки дефектной структуры; Известия вузов. Физика; Т. 56, № 11-3
প্রকাশিত: (2013)
প্রকাশিত: (2013)
Время разрешенная фотолюминесцентная спектроскопия гетероструктур на основе InGaN/GaN-квантовых ям; Высокие технологии в современной науке и технике (ВТСНТ-2017)
অনুযায়ী: Ли Цзысюань
প্রকাশিত: (2017)
অনুযায়ী: Ли Цзысюань
প্রকাশিত: (2017)
Разрушение светодиодных гетероструктур при облучении сильноточным электронным пучком; Перспективные материалы конструкционного и медицинского назначения
অনুযায়ী: Ли Цзысюань
প্রকাশিত: (2018)
অনুযায়ী: Ли Цзысюань
প্রকাশিত: (2018)
Получение, исследование свойств тонкопленочных полупроводниковых гетероструктур из соединений [AIIBVI] и разработка приборов на их основе.: Диссертация на соискание ученой степени кандидата технических наук; Спец. 05.02.11
অনুযায়ী: Сычик В. А.
প্রকাশিত: (Томск, 1973)
অনুযায়ী: Сычик В. А.
প্রকাশিত: (Томск, 1973)
Светодиоды на основе гетероструктур AlGaAs: действие гамма-излучения и эксплуатационных факторов; IX Школа-конференция молодых атомщиков Сибири
অনুযায়ী: Симонова А. В.
প্রকাশিত: (2018)
অনুযায়ী: Симонова А. В.
প্রকাশিত: (2018)
Диоды, транзисторы и тиристоры на основе гетероструктур: [монография]
অনুযায়ী: Корольков В. И. Владимир Ильич
প্রকাশিত: (Ташкент, Фан, 1986)
অনুযায়ী: Корольков В. И. Владимир Ильич
প্রকাশিত: (Ташкент, Фан, 1986)
Фотолюминесценция полупроводниковых гетероструктур ALGAN / INGAN / GANс возбуждением импульсной Хе-лампой; Высокие технологии в современной науке и технике (ВТСНТ-2016)
অনুযায়ী: Сычева А. В.
প্রকাশিত: (2016)
অনুযায়ী: Сычева А. В.
প্রকাশিত: (2016)
Технологические возможности формирования тонкопленочных гетероструктур на основе алмазоподобных и сегнетоэлектрических материалов; Вестник науки Сибири; № 1 (2)
প্রকাশিত: (2012)
প্রকাশিত: (2012)
Лавинные фотодиоды ближнего инфракрасного диапазона на основе гетероструктур Ge/Si с массивом наноотверстий в поглощающем слое: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; спец. 1.3.11
অনুযায়ী: Диб Хазем
প্রকাশিত: (Томск, 2024)
অনুযায়ী: Диб Хазем
প্রকাশিত: (Томск, 2024)
Исследование свойств наногетероструктур Ga2O3 -ZnO как материалов для фотоэлектрохимических устройств; Химия и химическая технология в XXI веке; Т. 1
অনুযায়ী: Блинова А. А.
প্রকাশিত: (2024)
অনুযায়ী: Блинова А. А.
প্রকাশিত: (2024)
Рекомбинация и спиновая релаксация экситонов в полупроводниковых гетероструктурах первого рода с непрямой запрещенной зоной: монография
অনুযায়ী: Шамирзаев Т. С. Тимур Сезгирович
প্রকাশিত: (Томск, Изд-во ТПУ, 2013)
অনুযায়ী: Шамирзаев Т. С. Тимур Сезгирович
প্রকাশিত: (Томск, Изд-во ТПУ, 2013)
Исследование деградации мощности излучения гетероструктур AlGaInP красного и желтого цвета свечения при облучении гамма-квантами; Журнал радиоэлектроники; № 4
অনুযায়ী: Градобоев А. В. Александр Васильевич
প্রকাশিত: (2013)
অনুযায়ী: Градобоев А. В. Александр Васильевич
প্রকাশিত: (2013)
Резонансное туннелирование электронов через виртуальные интерференционные состояния, формирующиеся вследствие отражения от границы сильнолегированной области CaAs; Журнал экспериментальной и теоретической физики; Т. 126, вып. 3
অনুযায়ী: Ханин Ю. Н.
প্রকাশিত: (2004)
অনুযায়ী: Ханин Ю. Н.
প্রকাশিত: (2004)
Reliability of LEDs based upon AlGaAs heterostructures: combined influence of fast neutron and operation factors; 6th International Congress on Energy Fluxes and Radiation Effects; 18th International Conference on Radiation Physics and Chemistry of Condensed Matter (18th RPC)
অনুযায়ী: Gradoboev A. V. Aleksandr Vasilyevich
প্রকাশিত: (2018)
অনুযায়ী: Gradoboev A. V. Aleksandr Vasilyevich
প্রকাশিত: (2018)