Концентрационные и температурные зависимости теплоемкости полупроводников с примесями переходных элементов; Перспективы развития фундаментальных наук; Т. 1 : Физика

Концентрационные и температурные зависимости теплоемкости полупроводников с примесями переходных элементов; Перспективы развития фундаментальных наук; Т. 1 : Физика

التفاصيل البيبلوغرافية
Parent link:Перспективы развития фундаментальных наук=Prospects of Fundamental Sciences Development: сборник научных трудов XIV Международной конференции студентов, аспирантов и молодых ученых, г. Томск, 25-28 апреля 2017 г./ Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ) ; под ред. И. А. Курзиной, Г. А. Вороновой.— , 2017
Т. 1 : Физика.— 2017.— [С. 369-371]
المؤلف الرئيسي: Улитко В. А.
مؤلفون آخرون: Памятных Е. А. (научный руководитель)
الملخص:Заглавие с экрана
Regularities in the formation and features of the electronic structure of impurities of transition elements belong to topical problems in the physics of doped semiconductors. Alloying semiconductors with impurities of transition elements cause to hybridization of electronic states. This work presents the aspects of Fermi-liquid formalism in the context of hybridized electronic state. In other works the anomal temperature dependences in heat capacity was detected. In this work we identified some concentration regimes in which this anomal dependences can be observed.
اللغة:الروسية
منشور في: 2017
الموضوعات:
электронный ресурс
электронные структуры
легированные полупроводники
электронные оболочки
гибридизация
электронные состояния
الوصول للمادة أونلاين:http://earchive.tpu.ru/handle/11683/44186
التنسيق: الكتروني فصل الكتاب
KOHA link:https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=624428

مواد مشابهة

مواد مشابهة