Концентрационные и температурные зависимости теплоемкости полупроводников с примесями переходных элементов; Перспективы развития фундаментальных наук; Т. 1 : Физика
| Parent link: | Перспективы развития фундаментальных наук=Prospects of Fundamental Sciences Development: сборник научных трудов XIV Международной конференции студентов, аспирантов и молодых ученых, г. Томск, 25-28 апреля 2017 г./ Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ) ; под ред. И. А. Курзиной, Г. А. Вороновой.— , 2017 Т. 1 : Физика.— 2017.— [С. 369-371] |
|---|---|
| Main Author: | |
| Other Authors: | |
| Summary: | Заглавие с экрана Regularities in the formation and features of the electronic structure of impurities of transition elements belong to topical problems in the physics of doped semiconductors. Alloying semiconductors with impurities of transition elements cause to hybridization of electronic states. This work presents the aspects of Fermi-liquid formalism in the context of hybridized electronic state. In other works the anomal temperature dependences in heat capacity was detected. In this work we identified some concentration regimes in which this anomal dependences can be observed. |
| Language: | Russian |
| Published: |
2017
|
| Subjects: | |
| Online Access: | http://earchive.tpu.ru/handle/11683/44186 |
| Format: | Electronic Book Chapter |
| KOHA link: | https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=624428 |
MARC
| LEADER | 00000naa2a2200000 4500 | ||
|---|---|---|---|
| 001 | 624428 | ||
| 005 | 20231101133319.0 | ||
| 035 | |a (RuTPU)RU\TPU\conf\23688 | ||
| 035 | |a RU\TPU\conf\23686 | ||
| 090 | |a 624428 | ||
| 100 | |a 20171122d2017 k y0rusy50 ca | ||
| 101 | 0 | |a rus |d eng | |
| 102 | |a RU | ||
| 105 | |a y z 100zy | ||
| 135 | |a drcn ---uucaa | ||
| 181 | 0 | |a i | |
| 182 | 0 | |a b | |
| 200 | 1 | |a Концентрационные и температурные зависимости теплоемкости полупроводников с примесями переходных элементов |d Concentration and temperature dependences of the heat capacity of semiconductors with admixtures of transition elements |f В. А. Улитко |g науч. рук. Е. А. Памятных | |
| 203 | |a Текст |c электронный | ||
| 230 | |a 1 компьютерный файл (pdf; 240 Kb) | ||
| 300 | |a Заглавие с экрана | ||
| 320 | |a [Библиогр.: с. 371 (4 назв.)] | ||
| 330 | |a Regularities in the formation and features of the electronic structure of impurities of transition elements belong to topical problems in the physics of doped semiconductors. Alloying semiconductors with impurities of transition elements cause to hybridization of electronic states. This work presents the aspects of Fermi-liquid formalism in the context of hybridized electronic state. In other works the anomal temperature dependences in heat capacity was detected. In this work we identified some concentration regimes in which this anomal dependences can be observed. | ||
| 461 | 1 | |0 (RuTPU)RU\TPU\conf\21388 |t Перспективы развития фундаментальных наук |l Prospects of Fundamental Sciences Development |o сборник научных трудов XIV Международной конференции студентов, аспирантов и молодых ученых, г. Томск, 25-28 апреля 2017 г. |o в 7 т. |f Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ) ; под ред. И. А. Курзиной, Г. А. Вороновой |d 2017 | |
| 463 | 1 | |0 (RuTPU)RU\TPU\conf\21389 |t Т. 1 : Физика |v [С. 369-371] |d 2017 | |
| 510 | 1 | |a Concentration and temperature dependences of the heat capacity of semiconductors with admixtures of transition elements |z eng | |
| 610 | 1 | |a электронный ресурс | |
| 610 | 1 | |a электронные структуры | |
| 610 | 1 | |a легированные полупроводники | |
| 610 | 1 | |a электронные оболочки | |
| 610 | 1 | |a гибридизация | |
| 610 | 1 | |a электронные состояния | |
| 700 | 1 | |a Улитко |b В. А. | |
| 702 | 1 | |a Памятных |b Е. А. |4 727 | |
| 801 | 2 | |a RU |b 63413507 |c 20171204 |g RCR | |
| 856 | 4 | |u http://earchive.tpu.ru/handle/11683/44186 | |
| 942 | |c BK | ||