Теоретическое исследование электронной структуры и влияния внешнего давления на электронные свойства соединений AIIMg2Bi2 (AII = Mg, Ca, Sr, Ba); Перспективы развития фундаментальных наук; Т. 1 : Физика

Bibliografiset tiedot
Parent link:Перспективы развития фундаментальных наук=Prospects of Fundamental Sciences Development: сборник научных трудов XIV Международной конференции студентов, аспирантов и молодых ученых, г. Томск, 25-28 апреля 2017 г./ Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ) ; под ред. И. А. Курзиной, Г. А. Вороновой.— , 2017
Т. 1 : Физика.— 2017.— [С. 276-278]
Päätekijä: Петров Е. К.
Muut tekijät: Кузнецов В. М. (научный руководитель)
Yhteenveto:Заглавие с экрана
The results of theoretical investigation of electronic band structure and topological properties of AIIMg2Bi2 (AII = Mg, Ca, Sr, Ba) using exact exchange are presented. It was found that Mg3Bi2 in its equilibrium state is a semimetal, and the other three compounds are direct band gap semiconductors. Also uniaxial strain of ternary compounds is predicted to lead to transitions to topologically non-trivial phases, such as topological insulator, topological and Dirac semimetal. Due to such wide range of topologically non-trivial phases these compounds may be interesting for further theoretical and experimental studies.
Kieli:venäjä
Julkaistu: 2017
Aiheet:
Linkit:http://earchive.tpu.ru/handle/11683/44171
Aineistotyyppi: Elektroninen Kirjan osa
KOHA link:https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=624405

MARC

LEADER 00000naa2a2200000 4500
001 624405
005 20231101133318.0
035 |a (RuTPU)RU\TPU\conf\23665 
035 |a RU\TPU\conf\23664 
090 |a 624405 
100 |a 20171122d2017 k y0rusy50 ca 
101 0 |a rus  |d eng 
102 |a RU 
105 |a y z 100zy 
135 |a drcn ---uucaa 
181 0 |a i  
182 0 |a b 
200 1 |a Теоретическое исследование электронной структуры и влияния внешнего давления на электронные свойства соединений AIIMg2Bi2 (AII = Mg, Ca, Sr, Ba)  |d Theoretical investigation of electronic band structure and external pressure effect on electronic properties of AIIMg2Bi2 (AII = Mg, Ca, Sr, Ba)  |f Е. К. Петров  |g науч. рук. В. М. Кузнецов 
203 |a Текст  |c электронный 
230 |a 1 компьютерный файл (pdf; 933 Kb) 
300 |a Заглавие с экрана 
320 |a [Библиогр.: с. 278 (11 назв.)] 
330 |a The results of theoretical investigation of electronic band structure and topological properties of AIIMg2Bi2 (AII = Mg, Ca, Sr, Ba) using exact exchange are presented. It was found that Mg3Bi2 in its equilibrium state is a semimetal, and the other three compounds are direct band gap semiconductors. Also uniaxial strain of ternary compounds is predicted to lead to transitions to topologically non-trivial phases, such as topological insulator, topological and Dirac semimetal. Due to such wide range of topologically non-trivial phases these compounds may be interesting for further theoretical and experimental studies. 
461 1 |0 (RuTPU)RU\TPU\conf\21388  |t Перспективы развития фундаментальных наук  |l Prospects of Fundamental Sciences Development  |o сборник научных трудов XIV Международной конференции студентов, аспирантов и молодых ученых, г. Томск, 25-28 апреля 2017 г.  |o в 7 т.  |f Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ) ; под ред. И. А. Курзиной, Г. А. Вороновой  |d 2017 
463 1 |0 (RuTPU)RU\TPU\conf\21389  |t Т. 1 : Физика  |v [С. 276-278]  |d 2017 
510 1 |a Theoretical investigation of electronic band structure and external pressure effect on electronic properties of AIIMg2Bi2 (AII = Mg, Ca, Sr, Ba)  |z eng 
610 1 |a электронный ресурс 
610 1 |a топологические изоляторы 
610 1 |a электронные приборы 
610 1 |a топологические свойства 
610 1 |a деформации 
610 1 |a кристаллические решетки 
700 1 |a Петров  |b Е. К. 
702 1 |a Кузнецов  |b В. М.  |4 727 
801 2 |a RU  |b 63413507  |c 20171204  |g RCR 
856 4 |u http://earchive.tpu.ru/handle/11683/44171 
942 |c BK