Проблемы высокотемпературного синтеза композита, содержащего нитрид галлия; Химия и химическая технология в XXI веке

Проблемы высокотемпературного синтеза композита, содержащего нитрид галлия; Химия и химическая технология в XXI веке

Dades bibliogràfiques
Parent link:	Химия и химическая технология в XXI веке.— 2017.— [С.108-110]
Autor principal:	Черепанова Д. Н. (научный руководитель)
Autor corporatiu:	Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ) Институт физики высоких технологий (ИФВТ) Кафедра общей химии и химической технологии (ОХХТ)
Altres autors:	Ильин А. П. Александр Петрович
Sumari:	Заглавие с экрана
Idioma:	rus
Publicat:	2017
Col·lecció:	Химия и химическая технология неорганических веществ и материалов
Matèries:	труды учёных ТПУ электронный ресурс микроэлектроника нитрид галлия светодиоды преобразование энергии синтез
Accés en línia:	http://earchive.tpu.ru/handle/11683/41724
Format:	Electrònic Capítol de llibre
KOHA link:	https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=622829

Ítems similars

Проблемы высокотемпературного синтеза композита, содержащего нитрид галлия; Перспективные материалы конструкционного и медицинского назначения
per: Черепанова Д. Н.
Publicat: (2018)

Проблемы высокотемпературного синтеза композита, содержащего нитрид галлия; Современные технологии и материалы новых поколений
per: Черепанова Д. Н.
Publicat: (2017)

Арсенид галлия, компенсированный примесями с глубокими уровнями (электронные свойства, структуры, применение: диссертация на соискание ученой степени доктора физико-математических наук
per: Толбанов О. П. Олег Петрович
Publicat: (Томск, 1999)

Арсенид галлия, компенсированный примесями с глубокими уровнями (электронные свойства, структуры, применение: автореферат диссертации на соискание ученой степени доктора физико-математических наук
per: Толбанов О. П. Олег Петрович
Publicat: (Томск, [Б. и.], 1999)

Процессы рекомбинации в квантовых точках GaN в матрице AIN: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; Спец. 01.04.10
per: Александров И. А. Иван Анатольевич
Publicat: (Новосибирск, 2015)

Арсенид галлия в микроэлектронике: пер. с англ.
Publicat: (Москва, Мир, 1988)

Нитрид кремния в электронике
Publicat: (Новосибирск, Наука, 1982)

Разработка методологии контроля чистоты сапфировых подложек для изготовления гетеротранзисторов и оптоэлектронных приборов на основе нитрида галлия; Химия и химическая технология на рубеже тысячелетий
per: Гурская А. А.
Publicat: (2004)

Имульсная люминесценция гетероструктур на основе GaN; Современные техника и технологии; Т. 3
per: Васенев А. С.
Publicat: (2012)

Способ получения порошка, содержащего карбид кремния и нитрид алюминия, из золы природного угля
Publicat: ()

Power switching transistors based on gallium nitride epitaxial heterostructures; Russian Microelectronics; Vol. 46, iss. 3
per: Erofeev E. V. Evgeny Viktorovich
Publicat: (2017)

Нитрид кремния и материалы на его основе
per: Андриевский Р. А. Ростислав Александрович
Publicat: (Москва, Металлургия, 1984)

Влияние высокотемпературного отжига и обработка в кислородной плазме на свойства тонких пленок оксида галлия; Электронные приборы, системы и технологии
per: Вишникина В. В.
Publicat: (2012)

Время-разрешенная фотолюминесценция в квантовых ямах InGaN/GaN; Известия вузов. Физика; Т. 56, № 7-2
per: Олешко В. И. Владимир Иванович
Publicat: (2013)

Времяразрешенная люминесцентная спектроскопия гетероструктур на основе InGaN/GaN-квантовых ям; Известия вузов. Физика; Т. 56, № 8-3
Publicat: (2013)

Разработка макета дискретного быстродействующего драйвера управления силовыми GaN транзисторами; Интеллектуальные энергосистемы; Т. 3
per: Ерофеев Е. В.
Publicat: (2017)

Люминесценция тонкопленочных светодиодных структур при возбуждении сильноточным электронным пучком; Известия вузов. Физика; Т. 56, № 1
Publicat: (2013)

Влияние плотности дислокаций на суперлюминесценцию эпитаксиальных слоев GaN, выращенных методом металлоорганической газофазной эпитаксии на сапфировых подложках; Прикладная физика; № 3
per: Олешко В. И. Владимир Иванович
Publicat: (2024)

Исследование и применение широкозонных полупроводников: сборник научных трудов
Publicat: (Ленинград, Изд-во ЛЭТИ, 1982)

Электроника на основе нитрида галлия: пер. с англ.
per: Куэй Р. Рюдигер
Publicat: (Москва, Техносфера, 2011)

Деградация светодиодных гетероструктур на основе InGaN/GaN при возбуждении сильноточным электронным пучком; Известия вузов. Физика; Т. 56, № 8-3
per: Олешко В. И. Владимир Иванович
Publicat: (2013)

Полупроводниковая электроника: сборник научных трудов
Publicat: (Ленинград, Изд-во ЛЭТИ, 1979)

Синтез высокоплотной нитрид-алюминиевой керамики с использованием добавок нанодисперсного порошка AlN, полученного плазмодинамическим методом; Ломоносов-2016
per: Гуков М. И.
Publicat: (2016)

Ceramic Materials for the Low-Temperature Synthesis of Dielectric Coatings Used in Electronics, Led Devices and Spacecraft Control Systems; Key Engineering Materials; Vol. 712 : Advanced Materials for Technical and Medical Purpose (AMTMP 2016)
per: Ivanov A. A.
Publicat: (2016)

Перспективные материалы радиоэлектроники: сборник научных трудов
Publicat: (Ленинград, Изд-во ЛЭТИ, 1984)

Полярографическое определение серы в порошках арсенида и фосфида галлия: отдельный оттиск
per: Каплан Б. Я.
Publicat: (Москва, [Б. и.], 1969)

Получение композиционного карбид-, нитридкремниевого (Si[3]N[4]-SiC) материала методом самораспространяющегося высокотемпературного синтеза; Современные техника и технологии; Т. 1
per: Рыгин А. В.
Publicat: ()

Электроперенос пленок арсенида галлия, синтезированных ионной абляцией; ФВЗЧК-2014
Publicat: (2014)

Исследование процесса металлизации алюмонитридной керамики; Высокие технологии в современной науке и технике (ВТСНТ-2018)
per: Тарновский Р. В.
Publicat: (2018)

Арсенид галлия: сборник статей
Publicat: (Томск, Изд-во ТГУ, 1968)

Исследование точностных характеристик методики определения хрома в арсениде галлия; Электрохимические методы анализа
per: Сараева В. Е.
Publicat: (1989)

Изучение радиопоглощающих свойств арсенида галлия; Физическое образование в вузах; Т. 24, № S1
per: Семенова В. И. Валерия Игоревна
Publicat: (2018)

Спектры DLTS арсенида галлия, облучённого нейтронами; Физика твердого тела
per: Пешев В. В.
Publicat: (2002)

Использование ИВА-метода при определении среды в легированном селениде галлия; Теория и практика электроаналитической химии
per: Сачкова Е. И.
Publicat: (2010)

Осаждение пленок арсенида галлия ионной абляцией и их термическая и химическая пассивация; ФВЗЧК-2011
Publicat: (2011)

Квантово-чувствительные детекторы ионизирующих излучений на основе компенсированного арсенида галлия; Известия вузов. Физика; Т. 46, № 8
per: Толбанов О. П.
Publicat: (2003)

Физико-химические условия устойчивости гетероструктур плёночных наночипов на основе нитрида галлия: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; спец.02.00.04
per: Комаровских Н. В. Нина Валерьевна
Publicat: (Барнаул, 2013)

Использование стекла в металлизации керамики на основе нитрида алюминия; Высокие технологии в современной науке и технике (ВТСНТ-2017)
per: Тарновский Р. В.
Publicat: (2017)

Осаждение пленок арсенида галлия методом импульсной ионной абляции и их свойства; Физика твердого тела
Publicat: (2009)

Исследование процесса формирования магнитных наноструктур на основе галлия и железа; К вершинам науки
per: Маматова А. М. Алина Манасовна
Publicat: (2024)