Проблемы высокотемпературного синтеза композита, содержащего нитрид галлия

Проблемы высокотемпературного синтеза композита, содержащего нитрид галлия

Bibliographische Detailangaben
Parent link:	Химия и химическая технология в XXI веке.— 2017.— [С.108-110]
1. Verfasser:	Черепанова Д. Н. (727)
Körperschaft:	Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ) Институт физики высоких технологий (ИФВТ) Кафедра общей химии и химической технологии (ОХХТ)
Weitere Verfasser:	Ильин А. П. Александр Петрович
Zusammenfassung:	Заглавие с экрана
Sprache:	Russisch
Veröffentlicht:	2017
Schriftenreihe:	Химия и химическая технология неорганических веществ и материалов
Schlagworte:	труды учёных ТПУ электронный ресурс микроэлектроника нитрид галлия светодиоды преобразование энергии синтез
Online-Zugang:	http://earchive.tpu.ru/handle/11683/41724
Format:	Elektronisch Buchkapitel
KOHA link:	https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=622829

Ähnliche Einträge

Проблемы высокотемпературного синтеза композита, содержащего нитрид галлия
von: Черепанова Д. Н.
Veröffentlicht: (2018)

Проблемы высокотемпературного синтеза композита, содержащего нитрид галлия
von: Черепанова Д. Н.
Veröffentlicht: (2017)

Процессы рекомбинации в квантовых точках GaN в матрице AIN автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук Спец. 01.04.10
von: Александров И. А. Иван Анатольевич
Veröffentlicht: (Новосибирск, 2015)

Введение в технологию материалов микроэлектроники. В 3 частях. Часть 1. От минерального сырья к монокристаллу учебник для вузов
von: Александрова О. А.
Veröffentlicht: (Санкт-Петербург, Лань, 2023)

Арсенид галлия, компенсированный примесями с глубокими уровнями (электронные свойства, структуры, применение диссертация на соискание ученой степени доктора физико-математических наук
von: Толбанов О. П. Олег Петрович
Veröffentlicht: (Томск, 1999)

Арсенид галлия в микроэлектронике пер. с англ.
Veröffentlicht: (Москва, Мир, 1988)

Арсенид галлия, компенсированный примесями с глубокими уровнями (электронные свойства, структуры, применение автореферат диссертации на соискание ученой степени доктора физико-математических наук
von: Толбанов О. П. Олег Петрович
Veröffentlicht: (Томск, [Б. и.], 1999)

Разработка методологии контроля чистоты сапфировых подложек для изготовления гетеротранзисторов и оптоэлектронных приборов на основе нитрида галлия
von: Гурская А. А.
Veröffentlicht: (2004)

Нитрид кремния в электронике
Veröffentlicht: (Новосибирск, Наука, 1982)

Имульсная люминесценция гетероструктур на основе GaN
von: Васенев А. С.
Veröffentlicht: (2012)

Power switching transistors based on gallium nitride epitaxial heterostructures
von: Erofeev E. V. Evgeny Viktorovich
Veröffentlicht: (2017)

Разработка макета дискретного быстродействующего драйвера управления силовыми GaN транзисторами
von: Ерофеев Е. В.
Veröffentlicht: (2017)

Время-разрешенная фотолюминесценция в квантовых ямах InGaN/GaN
von: Олешко В. И. Владимир Иванович
Veröffentlicht: (2013)

Времяразрешенная люминесцентная спектроскопия гетероструктур на основе InGaN/GaN-квантовых ям
Veröffentlicht: (2013)

Люминесценция тонкопленочных светодиодных структур при возбуждении сильноточным электронным пучком
Veröffentlicht: (2013)

Влияние плотности дислокаций на суперлюминесценцию эпитаксиальных слоев GaN, выращенных методом металлоорганической газофазной эпитаксии на сапфировых подложках
von: Олешко В. И. Владимир Иванович
Veröffentlicht: (2024)

Исследование и применение широкозонных полупроводников сборник научных трудов
Veröffentlicht: (Ленинград, Изд-во ЛЭТИ, 1982)

Электроника на основе нитрида галлия пер. с англ.
von: Куэй Р. Рюдигер
Veröffentlicht: (Москва, Техносфера, 2011)

Полупроводниковая электроника сборник научных трудов
Veröffentlicht: (Ленинград, Изд-во ЛЭТИ, 1979)

Деградация светодиодных гетероструктур на основе InGaN/GaN при возбуждении сильноточным электронным пучком
von: Олешко В. И. Владимир Иванович
Veröffentlicht: (2013)

Перспективные материалы радиоэлектроники сборник научных трудов
Veröffentlicht: (Ленинград, Изд-во ЛЭТИ, 1984)

Влияние высокотемпературного отжига и обработка в кислородной плазме на свойства тонких пленок оксида галлия
von: Вишникина В. В.
Veröffentlicht: (2012)

Нитрид кремния и материалы на его основе
von: Андриевский Р. А. Ростислав Александрович
Veröffentlicht: (Москва, Металлургия, 1984)

Ceramic Materials for the Low-Temperature Synthesis of Dielectric Coatings Used in Electronics, Led Devices and Spacecraft Control Systems
von: Ivanov A. A.
Veröffentlicht: (2016)

Исследование процесса металлизации алюмонитридной керамики
von: Тарновский Р. В.
Veröffentlicht: (2018)

Физико-химические условия устойчивости гетероструктур плёночных наночипов на основе нитрида галлия автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук спец.02.00.04
von: Комаровских Н. В. Нина Валерьевна
Veröffentlicht: (Барнаул, 2013)

Получение композиционного карбид-, нитридкремниевого (Si[3]N[4]-SiC) материала методом самораспространяющегося высокотемпературного синтеза
von: Рыгин А. В.
Veröffentlicht: ()

Изучение радиопоглощающих свойств арсенида галлия
von: Семенова В. И. Валерия Игоревна
Veröffentlicht: (2018)

Способ получения порошка, содержащего карбид кремния и нитрид алюминия, из золы природного угля
Veröffentlicht: ()

Синтез высокоплотной нитрид-алюминиевой керамики с использованием добавок нанодисперсного порошка AlN, полученного плазмодинамическим методом
von: Гуков М. И.
Veröffentlicht: (2016)

Арсенид галлия сборник статей
Veröffentlicht: (Томск, Изд-во ТГУ, 1968)

Полярографическое определение серы в порошках арсенида и фосфида галлия отдельный оттиск
von: Каплан Б. Я.
Veröffentlicht: (Москва, [Б. и.], 1969)

Напряжения в имплантированных структурах арсенида галлия
von: Ардышев М. В.
Veröffentlicht: (2002)

Электроперенос пленок арсенида галлия, синтезированных ионной абляцией
Veröffentlicht: (2014)

Спектры DLTS арсенида галлия, облучённого нейтронами
von: Пешев В. В.
Veröffentlicht: (2002)

Протонный отжиг имплантированных арсенида галлия и кремния
von: Ардышев М. В.
Veröffentlicht: (2004)

Исследование точностных характеристик методики определения хрома в арсениде галлия
von: Сараева В. Е.
Veröffentlicht: (1989)

Квантово-чувствительные детекторы ионизирующих излучений на основе компенсированного арсенида галлия
von: Толбанов О. П.
Veröffentlicht: (2003)

Использование ИВА-метода при определении среды в легированном селениде галлия
von: Сачкова Е. И.
Veröffentlicht: (2010)

Исследование и применение широкозонных полупроводников сборник научных трудов
Veröffentlicht: (Ленинград, Изд-во ЛЭТИ, 1981)