Влияние параметров источника питания магнетрона на свойства плёнок нитрида кремния; Перспективы развития фундаментальных наук; Т. 1 : Физика
| Parent link: | Перспективы развития фундаментальных наук=Prospects of Fundamental Sciences Development: сборник научных трудов XIV Международной конференции студентов, аспирантов и молодых ученых, г. Томск, 25-28 апреля 2017 г./ Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ) ; под ред. И. А. Курзиной, Г. А. Вороновой.— , 2017 Т. 1 : Физика.— 2017.— [С. 270-272] |
|---|---|
| Glavni avtor: | |
| Korporativna značnica: | |
| Drugi avtorji: | , |
| Izvleček: | Заглавие с экрана Silicon nitride (Si3N4) films were deposited by magnetron sputtering of silicon target in (Ar+N2) atmosphere with refractive index 1.95 - 2.05. The results of Fourier transform infrared (FTIR) spectrophotometry showed Si-N bonds in the thin films with concentration 2.41·1023 - 3.48·1023 cm-3. Dependences of deposition rate, optical characteristics and surface morphology on rate of N2 flow and properties of magnetron power supply. |
| Jezik: | ruščina |
| Izdano: |
2017
|
| Teme: | |
| Online dostop: | http://earchive.tpu.ru/handle/11683/41465 |
| Format: | Elektronski Book Chapter |
| KOHA link: | https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=622692 |
MARC
| LEADER | 00000naa2a2200000 4500 | ||
|---|---|---|---|
| 001 | 622692 | ||
| 005 | 20231101133226.0 | ||
| 035 | |a (RuTPU)RU\TPU\conf\21494 | ||
| 035 | |a RU\TPU\conf\21493 | ||
| 090 | |a 622692 | ||
| 100 | |a 20170704d2017 k y0rusy50 ca | ||
| 101 | 0 | |a rus |d eng | |
| 102 | |a RU | ||
| 105 | |a y z 100zy | ||
| 135 | |a drcn ---uucaa | ||
| 181 | 0 | |a i | |
| 182 | 0 | |a b | |
| 200 | 1 | |a Влияние параметров источника питания магнетрона на свойства плёнок нитрида кремния |d Study on the influence of the magnetron power supply on the properties of the silicon nitride films |f Ю. В. Петраков, Д. В. Киселева |g науч. рук. Ю. Н. Юрьев | |
| 203 | |a Текст |c электронный | ||
| 230 | |a 1 компьютерный файл (pdf; 255 Kb) | ||
| 300 | |a Заглавие с экрана | ||
| 320 | |a [Библиогр.: с. 272 (7 назв.)] | ||
| 330 | |a Silicon nitride (Si3N4) films were deposited by magnetron sputtering of silicon target in (Ar+N2) atmosphere with refractive index 1.95 - 2.05. The results of Fourier transform infrared (FTIR) spectrophotometry showed Si-N bonds in the thin films with concentration 2.41·1023 - 3.48·1023 cm-3. Dependences of deposition rate, optical characteristics and surface morphology on rate of N2 flow and properties of magnetron power supply. | ||
| 461 | 1 | |0 (RuTPU)RU\TPU\conf\21388 |t Перспективы развития фундаментальных наук |l Prospects of Fundamental Sciences Development |o сборник научных трудов XIV Международной конференции студентов, аспирантов и молодых ученых, г. Томск, 25-28 апреля 2017 г. |o в 7 т. |f Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ) ; под ред. И. А. Курзиной, Г. А. Вороновой |d 2017 | |
| 463 | 1 | |0 (RuTPU)RU\TPU\conf\21389 |t Т. 1 : Физика |v [С. 270-272] |d 2017 | |
| 510 | 1 | |a Study on the influence of the magnetron power supply on the properties of the silicon nitride films |z eng | |
| 610 | 1 | |a труды учёных ТПУ | |
| 610 | 1 | |a электронный ресурс | |
| 610 | 1 | |a магнетронное распыление | |
| 610 | 1 | |a нитрид кремния | |
| 610 | 1 | |a эллипсометрия | |
| 610 | 1 | |a спектроскопия | |
| 610 | 1 | |a плазмообразующие газы | |
| 700 | 1 | |a Петраков |b Ю. В. | |
| 701 | 1 | |a Киселева |b Д. В. | |
| 702 | 1 | |a Юрьев |b Ю. Н. |c специалист в области водородной энергетики |c заведующий лабораторией Томского политехнического университета, младший научный сотрудник |f 1984- |g Юрий Николаевич |2 stltpush |4 727 | |
| 712 | 0 | 2 | |a Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ) |b Физико-технический институт (ФТИ) |b Кафедра экспериментальной физики (ЭФ) |h 7596 |2 stltpush |3 (RuTPU)RU\TPU\col\21255 |
| 801 | 2 | |a RU |b 63413507 |c 20170718 |g RCR | |
| 856 | 4 | |u http://earchive.tpu.ru/handle/11683/41465 | |
| 942 | |c BK | ||