|
|
|
|
| LEADER |
00000nam0a2200000 4500 |
| 001 |
62146 |
| 005 |
20231101212004.0 |
| 010 |
|
|
|a 5030001301
|
| 035 |
|
|
|a (RuTPU)RU\TPU\book\65879
|
| 090 |
|
|
|a 62146
|
| 100 |
|
|
|a 20040405d1988 km y0rusy50 ca
|
| 101 |
1 |
|
|a rus
|c eng
|
| 102 |
|
|
|a RU
|
| 105 |
|
|
|a a z 001zy
|
| 200 |
1 |
|
|a Арсенид галлия в микроэлектронике
|e пер. с англ.
|f Под ред. Н. Айнспрука; У. Ф. Уиссмена
|
| 210 |
|
|
|a Москва
|c Мир
|d 1988
|
| 215 |
|
|
|a 555 с.
|c ил.
|
| 320 |
|
|
|a Библиография в конце глав.
|
| 320 |
|
|
|a Предметно-именной указатель: с. 548-552
|
| 606 |
|
|
|a Микроэлектронные схемы
|x Материалы
|2 stltpush
|3 (RuTPU)RU\TPU\subj\43827
|9 63269
|
| 610 |
1 |
|
|a микроэлектроника
|
| 610 |
1 |
|
|a галлия арсенид
|
| 610 |
1 |
|
|a полупроводниковые свойства
|
| 610 |
1 |
|
|a интегральные схемы
|
| 610 |
1 |
|
|a транзисторы
|
| 675 |
|
|
|a 621.382.049.77.002
|v 3
|
| 702 |
|
1 |
|a Айнспрук
|b Н.
|4 340
|
| 702 |
|
1 |
|a Уиссмен
|b У. Ф.
|g Уильям Ф.
|4 340
|
| 801 |
|
1 |
|a RU
|b 63413507
|c 20040405
|g PSBO
|
| 801 |
|
2 |
|a RU
|b 63413507
|c 20180116
|g PSBO
|
| 942 |
|
|
|c BK
|
