Влияние напряжения смещения на морфологию поверхности и структуру азотсодержащих тонких пленок диоксида титана; Перспективы развития фундаментальных наук; Т. 1 : Физика
| Parent link: | Перспективы развития фундаментальных наук=Prospects of Fundamental Sciences Development: сборник научных трудов XIII Международной конференции студентов, аспирантов и молодых ученых, г. Томск, 26-29 апреля 2016 г./ Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ) ; под ред. И. А. Курзиной, Г. А. Вороновой.— , 2016 Т. 1 : Физика.— 2016.— [С. 112-114] |
|---|---|
| Glavni avtor: | |
| Korporativna značnica: | |
| Drugi avtorji: | , |
| Izvleček: | Заглавие с титульного экрана Nitrogen-TiO2 thin films have been deposited by the reactive magnetron sputtering by using differentO2/N2 gas ratios and negative bias voltage. This work reports on the study results of the changes in the surfacemorphology, structure and phase composition of the thin films depending on deposition modes. SEM analysisshowed the reduction of grains with nitrogen introduction. XRD data demonstrated phase transition in the filmsthrough the nitrogen incorporation and bias voltage applying. |
| Jezik: | ruščina |
| Izdano: |
2016
|
| Teme: | |
| Online dostop: | http://earchive.tpu.ru/handle/11683/25997 |
| Format: | Elektronski Book Chapter |
| KOHA link: | https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=618097 |
MARC
| LEADER | 00000naa2a2200000 4500 | ||
|---|---|---|---|
| 001 | 618097 | ||
| 005 | 20231101133007.0 | ||
| 035 | |a (RuTPU)RU\TPU\conf\16478 | ||
| 035 | |a RU\TPU\conf\16477 | ||
| 090 | |a 618097 | ||
| 100 | |a 20160523d2016 k y0rusy50 ca | ||
| 101 | 0 | |a rus |d eng | |
| 102 | |a RU | ||
| 105 | |a y z 101zy | ||
| 135 | |a drcn ---uucaa | ||
| 181 | 0 | |a i | |
| 182 | 0 | |a b | |
| 200 | 1 | |a Влияние напряжения смещения на морфологию поверхности и структуру азотсодержащих тонких пленок диоксида титана |d Influence of bias voltage on the surface morphology and structure of nitrogen-containing titanium dioxide thin films |f Н. М. Иванова, А. А. Пустовалова |g науч. рук. В. Ф. Пичугин | |
| 203 | |a Текст |c электронный | ||
| 230 | |a 1 компьютерный файл (pdf; 1688 Кb) | ||
| 300 | |a Заглавие с титульного экрана | ||
| 320 | |a [Библиогр.: с. 114 (3 назв.)] | ||
| 330 | |a Nitrogen-TiO2 thin films have been deposited by the reactive magnetron sputtering by using differentO2/N2 gas ratios and negative bias voltage. This work reports on the study results of the changes in the surfacemorphology, structure and phase composition of the thin films depending on deposition modes. SEM analysisshowed the reduction of grains with nitrogen introduction. XRD data demonstrated phase transition in the filmsthrough the nitrogen incorporation and bias voltage applying. | ||
| 461 | 1 | |0 (RuTPU)RU\TPU\conf\16353 |t Перспективы развития фундаментальных наук |l Prospects of Fundamental Sciences Development |o сборник научных трудов XIII Международной конференции студентов, аспирантов и молодых ученых, г. Томск, 26-29 апреля 2016 г. |o в 7 т. |f Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ) ; под ред. И. А. Курзиной, Г. А. Вороновой |d 2016 | |
| 463 | 0 | |0 (RuTPU)RU\TPU\conf\16354 |t Т. 1 : Физика |v [С. 112-114] |d 2016 | |
| 510 | 1 | |a Influence of bias voltage on the surface morphology and structure of nitrogen-containing titanium dioxide thin films |z eng | |
| 610 | 1 | |a труды учёных ТПУ | |
| 610 | 1 | |a электронный ресурс | |
| 610 | 1 | |a диоксид титана | |
| 610 | 1 | |a физико-химические свойства | |
| 610 | 1 | |a электрические свойства | |
| 610 | 1 | |a магнетронные распылительные системы | |
| 610 | 1 | |a нержавеющие стали | |
| 700 | 1 | |a Иванова |b Н. М. |c физик |c старший лаборант Томского политехнического университета |f 1991- |g Нина Михаиловна |2 stltpush |3 (RuTPU)RU\TPU\pers\34113 | |
| 701 | 1 | |a Пустовалова |b А. А. |c биофизик |c инженер Томского политехнического университета |f 1989- |g Алла Александровна |2 stltpush |3 (RuTPU)RU\TPU\pers\31045 | |
| 702 | 1 | |a Пичугин |b В. Ф. |c российский физик |c профессор Томского политехнического университета, доктор физико-математических наук |f 1944- |g Владимир Федорович |2 stltpush |4 727 | |
| 712 | 0 | 2 | |a Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ) |b Физико-технический институт (ФТИ) |b Кафедра экспериментальной физики (ЭФ) |h 7596 |2 stltpush |3 (RuTPU)RU\TPU\col\21255 |
| 801 | 2 | |a RU |b 63413507 |c 20211116 |g RCR | |
| 856 | 4 | |u http://earchive.tpu.ru/handle/11683/25997 | |
| 942 | |c BK | ||