Влияние напряжения смещения на морфологию поверхности и структуру азотсодержащих тонких пленок диоксида титана; Перспективы развития фундаментальных наук; Т. 1 : Физика

Dades bibliogràfiques
Parent link:Перспективы развития фундаментальных наук=Prospects of Fundamental Sciences Development: сборник научных трудов XIII Международной конференции студентов, аспирантов и молодых ученых, г. Томск, 26-29 апреля 2016 г./ Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ) ; под ред. И. А. Курзиной, Г. А. Вороновой.— , 2016
Т. 1 : Физика.— 2016.— [С. 112-114]
Autor principal: Иванова Н. М. Нина Михаиловна
Autor corporatiu: Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ) Физико-технический институт (ФТИ) Кафедра экспериментальной физики (ЭФ)
Altres autors: Пустовалова А. А. Алла Александровна (научный руководитель), Пичугин В. Ф. Владимир Федорович
Sumari:Заглавие с титульного экрана
Nitrogen-TiO2 thin films have been deposited by the reactive magnetron sputtering by using differentO2/N2 gas ratios and negative bias voltage. This work reports on the study results of the changes in the surfacemorphology, structure and phase composition of the thin films depending on deposition modes. SEM analysisshowed the reduction of grains with nitrogen introduction. XRD data demonstrated phase transition in the filmsthrough the nitrogen incorporation and bias voltage applying.
Idioma:rus
Publicat: 2016
Matèries:
Accés en línia:http://earchive.tpu.ru/handle/11683/25997
Format: Electrònic Capítol de llibre
KOHA link:https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=618097
Descripció
Sumari:Заглавие с титульного экрана
Nitrogen-TiO2 thin films have been deposited by the reactive magnetron sputtering by using differentO2/N2 gas ratios and negative bias voltage. This work reports on the study results of the changes in the surfacemorphology, structure and phase composition of the thin films depending on deposition modes. SEM analysisshowed the reduction of grains with nitrogen introduction. XRD data demonstrated phase transition in the filmsthrough the nitrogen incorporation and bias voltage applying.