Изучение свойств нитрид-, карбидкремниевого (Si[3]N[4]-SiC) композиционного материала; Материалы и технологии новых поколений в современном материаловедении

Dades bibliogràfiques
Parent link:Материалы и технологии новых поколений в современном материаловедении.— 2015.— [С. 232-235]
Autor principal: Рыгин А. В.
Autor corporatiu: Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ)
Sumari:Заглавие с титульного экрана
Materials based on silicon carbide and nitride occupy a certain segment of ceramics market due to its thermal and chemical stability, thermal conductivity and hardness. In presented report properties, composition, structure and catalytic activity of silicon nitride and silicon carbide Si[3]N[4]-SiC material have been studied. The behavior of 5% mas. Ag supported on Si[3]N[4]-SiC has been investigated in the process of gas-phase catalytic oxidation of ethylene glycol to glyoxal.
Idioma:rus
Publicat: 2015
Col·lecció:Перспективные материалы и технологии
Matèries:
Accés en línia:http://earchive.tpu.ru/handle/11683/18276
http://www.lib.tpu.ru/fulltext/c/2015/C39/056.pdf
Format: Electrònic Capítol de llibre
KOHA link:https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=616463

MARC

LEADER 00000naa2a2200000 4500
001 616463
005 20231101132917.0
035 |a (RuTPU)RU\TPU\conf\14701 
035 |a RU\TPU\conf\14673 
090 |a 616463 
100 |a 20151228d2015 k y0rusy50 ca 
101 0 |a rus  |d eng 
102 |a RU 
105 |a y z 101zy 
135 |a drgn ---uucaa 
181 0 |a i  
182 0 |a b 
200 1 |a Изучение свойств нитрид-, карбидкремниевого (Si[3]N[4]-SiC) композиционного материала  |d Properties of silicon nitrid, silicon carbide (Si[3]N[4]-SiC) composite materials  |f А. В. Рыгин 
203 |a Текст  |c электронный 
225 1 |a Перспективные материалы и технологии 
230 |a 1 компьютерный файл (pdf; 1.0 Мб) 
300 |a Заглавие с титульного экрана 
320 |a [Библиогр.: с. 235 (6 назв.)] 
330 |a Materials based on silicon carbide and nitride occupy a certain segment of ceramics market due to its thermal and chemical stability, thermal conductivity and hardness. In presented report properties, composition, structure and catalytic activity of silicon nitride and silicon carbide Si[3]N[4]-SiC material have been studied. The behavior of 5% mas. Ag supported on Si[3]N[4]-SiC has been investigated in the process of gas-phase catalytic oxidation of ethylene glycol to glyoxal. 
337 |a Adobe Reader 
463 0 |0 (RuTPU)RU\TPU\conf\14276  |t Материалы и технологии новых поколений в современном материаловедении  |o сборник трудов Международной конференции с элементами научной школы для молодежи, г. Томск, 9 – 11 ноября 2015 г.  |f Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ) ; Академия наук СССР (АН СССР), Сибирское отделение (СО), Институт физики прочности и материаловедения (ИФПМ) ; Российский фонд фундаментальных исследований (РФФИ)  |v [С. 232-235]  |d 2015 
510 1 |a Properties of silicon nitrid, silicon carbide (Si[3]N[4]-SiC) composite materials  |z eng 
610 1 |a труды учёных ТПУ 
610 1 |a электронный ресурс 
610 1 |a кремниевые материалы 
610 1 |a композиционные материалы 
610 1 |a структурные свойства 
610 1 |a каталитическая активность 
610 1 |a фильтрационное горение 
610 1 |a шунгиты 
700 1 |a Рыгин  |b А. В. 
712 0 2 |a Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ)  |c (2009- )  |2 stltpush  |3 (RuTPU)RU\TPU\col\15902 
801 2 |a RU  |b 63413507  |c 20210209  |g RCR 
856 4 |u http://earchive.tpu.ru/handle/11683/18276 
856 4 |u http://www.lib.tpu.ru/fulltext/c/2015/C39/056.pdf 
942 |c BK