Angular-of-incidence dependence of total yield of channeling radiation from relativistic electrons in thin Si and c crystals

Angular-of-incidence dependence of total yield of channeling radiation from relativistic electrons in thin Si and c crystals

Xehetasun bibliografikoak
Parent link:Radiation from Relativistic Electrons in Periodic Structures. RREPS-15: XI International Symposium, 6-11 September 2015, Saint Petersburg, Russia/ National Research Tomsk Polytechnic University (TPU) ; Saint Petersburg State University ; National Research Nuclear University “MEPhI”. [P. 36].— , 2015
Erakunde egilea: Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ) Физико-технический институт (ФТИ) Кафедра теоретической и экспериментальной физики (ТиЭФ)
Beste egile batzuk: Abdrashitov S. Sergei, Bogdanov O. V. Oleg Viktorovich, Dabagov S. Sultan, Pivovarov Yu. L. Yuriy Leonidovich, Tukhfatullin T. A. Timur Ahatovich
Gaia:Title screen.
Argitaratua: 2015
Saila:Poster Session
Gaiak:
электронный ресурс
труды учёных ТПУ
релятивистские электроны
кремниевые кристаллы
излучения
угловая расходимость
Sarrera elektronikoa:http://earchive.tpu.ru/handle/11683/22402
http://www.lib.tpu.ru/fulltext/c/2015/C64/015.pdf
Formatua: Baliabide elektronikoa Liburu kapitulua
KOHA link:https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=615307
Deskribapena
Gaia:Title screen.

Antzeko izenburuak