Влияние дислокаций на люминесценцию эпитаксиальных слоев GaN; Высокие технологии в современной науке и технике

Влияние дислокаций на люминесценцию эпитаксиальных слоев GaN; Высокие технологии в современной науке и технике

Bibliographic Details
Parent link:	Высокие технологии в современной науке и технике.— 2015.— [С. 202-206]
Corporate Author:	Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ) Институт физики высоких технологий (ИФВТ) Кафедра лазерной и световой техники (ЛиСТ)
Other Authors:	Олешко В. И. Владимир Иванович, Садуова Б. К., Ли Фэй, Ли Цзысюань
Summary:	Заглавие с титульного экрана
Language:	Russian
Published:	2015
Series:	Оптические технологии
Subjects:	труды учёных ТПУ электронный ресурс дислокации люминесценция эпитаксиальные слои
Online Access:	http://earchive.tpu.ru/handle/11683/16111 http://www.lib.tpu.ru/fulltext/c/2015/C17/054.pdf
Format:	Electronic Book Chapter
KOHA link:	https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=613596

Similar Items

Импульсная люминесцентная спектрометрия эпитаксиальных слоев GaN, выращенных на подложках AL2O3; Ресурсоэффективным технологиям - энергию и энтузиазм молодых
by: Сычева А. В.
Published: (2014)

Время-разрешенная люминесцентная спектроскопия эпитаксиальных слоев GaN, выращенных на подложках Al2O3; Современные техника и технологии; Т. 2
by: Горина С. Г. Светлана Геннадьевна
Published: (2014)

Контроль параметров полупроводниковых материалов и эпитаксиальных слоев
by: Батавин В. В. Виталий Васильевич
Published: (Москва, Советское радио, 1976)

Легирование эпитаксиальных слоев полупроводников
by: Харченко В. В. Валерий Владимирович
Published: (Ташкент, Фан, 1979)

Влияние плотности дислокаций на суперлюминесценцию эпитаксиальных слоев GaN, выращенных методом металлоорганической газофазной эпитаксии на сапфировых подложках; Прикладная физика; № 3
by: Олешко В. И. Владимир Иванович
Published: (2024)

Люминесценция и разрушение гетероструктур на основе InGaN/GaN при облучении сильноточным электронным пучком: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; спец. 01.04.07
by: Сысоева С. Г. Светлана Геннадьевна
Published: (Томск, [Б. и.], 2018)

Механизмы разрушения в гетероструктурах InGaN/GaN под действием сильноточного электронного пучка; Ученые записки физического факультета Московского университета; № 5
by: Олешко В. И. Владимир Иванович
Published: (2015)

Технология эпитаксиальных слоев арсенида галлия и приборы на их основе
by: Черняев В. Н. Владимир Николаевич
Published: (Москва, Энергия, 1974)

Оптические и волноводные свойства эпитаксиальных структур GaN/InGaN, выращенных на сапфировой подложке; Известия вузов. Физика; Т. 58, № 8-3
Published: (2015)

Люминесценция и разрушение гетероструктур на основе InGaN/GaN при облучении сильноточным электронным пучком: диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; спец. 01.04.07
by: Сысоева С. Г. Светлана Геннадьевна
Published: (Томск, [Б. и.], 2017)

Эпитаксиальные слои GaN на кремниевых подложках для AlGaN/GaN гетероструктур с высокой подвижностью электронов: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук; спец. 1.3.11
by: Малин Т. В. Тимур Валерьевич
Published: (Новосибирск, 2025)

Методы контроля качества монокристаллов арсенида галлия и фосфида индия эпитаксиальных слоев.; Исследование распределения напряжений в монокристаллах и эпитаксиальных слоях: Промежуточный отчет о НИР; Тема: х/д 2-51/86
Published: (Томск, 1989)

Исследование влияния технологических параметров системы Ga-AsCl3-H2 - лигатура на рост и свойства эпитаксиальных структур GaAs для СВЧ-приборов: диссертация на соискание ученой степени кандидата технических наук; спец. 05.12.11
by: Чижевич Л. А.
Published: (Томск, [Б. и.], 1974)

Люминесценция и разрушение гетероструктур на основе InGaN/GaN при облучении сильноточным электронным пучком: диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; спец. 01.04.07
by: Сысоева С. Г. Светлана Геннадьевна
Published: (Томск, 2017)

Люминесценция и разрушение гетероструктур на основе InGaN/GaN при облучении сильноточным электронным пучком: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; спец. 01.04.07
by: Сысоева С. Г. Светлана Геннадьевна
Published: (Томск, 2018)

Имульсная люминесценция гетероструктур на основе GaN; Современные техника и технологии; Т. 3
by: Васенев А. С.
Published: (2012)

Переходные области эпитаксиальных полупроводниковых пленок: монография
by: Александров Л. Н. Леонид Наумович
Published: (Новосибирск, Наука, 1978)

Дефекты и диффузия в эпитаксиальных структурах: [монография]
by: Джафаров Т. Д. Таяр Джумшуд оглы
Published: (Ленинград, Наука, 1978)

Деградация светодиодных гетероструктур на основе InGaN/GaN при возбуждении сильноточным электронным пучком; Известия вузов. Физика; Т. 56, № 8-3
by: Олешко В. И. Владимир Иванович
Published: (2013)

Дислокации и пластичность: [монография]
by: Акулов Н. С. Николай Сергеевич
Published: (Минск, Изд-во Академии наук БССР, 1961)

Получение эпитаксиальных структур кремния с контролируемым примесным профилем
by: Харченко В. В. Валерий Владимирович
Published: (Ташкент, Фан, 1989)

Методы прямого наблюдения дислокаций: пер. с англ.
by: Амелинкс С.
Published: (Москва, Мир, 1968)

Теория формирования эпитаксиальных наноструктур
by: Дубровский В. Г. Владимир Германович
Published: (Москва, Физматлит, 2009)

Газофазная микрометаллургия полупроводников
by: Дорфман В. Ф. Вениамин Фриделевич
Published: (Москва, Металлургия, 1974)

Сдвиговые дислокации и методика их изучения
by: Уткин В. П. Валентин Павлович
Published: (Москва, Наука, 1980)

Актуальные вопросы теории дислокаций: сборник статей
Published: (Москва, Мир, 1968)

Динамика дислокаций: сборник статей
Published: (Киев, Наукова думка, 1975)

Время разрешенная фотолюминесцентная спектроскопия гетероструктур на основе InGaN/GaN-квантовых ям; Высокие технологии в современной науке и технике (ВТСНТ-2017)
by: Ли Цзысюань
Published: (2017)

Дислокации в теории упругости. Влияние дислокаций на механические свойства кристаллов
by: Косевич А. М. Арнольд Маркович
Published: (Киев, Наукова думка, 1978)

Особенности определения электрофизических параметров варизонных структур КРТ, выращенных методом молекулярно-лучевой терапии; Известия вузов. Физика; Т. 47, № 7
Published: (2004)

Дислокации в кристаллах; Нитевидные кристаллы: информационный бюллетень новой литературы; № 11; № 4
Published: (Черноголовка, [Б. и.], 1968)

Распространение дислокаций в облученных кристаллах; Кристаллография; Т. 9, вып. 2
by: Берзина И. Г.
Published: (1964)

Введение в дислокации (структура и свойства дислокации): пер. с англ.
by: Халл Д. Дерек
Published: (Москва, Атомиздат, 1968)

Дислокации: пер. с англ.
by: Фридель Ж. Жак
Published: (Москва, Мир, 1967)

Нагревание люминофора в светодиоде; Высокие технологии в современной науке и технике (ВТСНТ-2016)
by: Сулейманов С. Р.
Published: (2016)

Дислокации в кристаллах: пер. с англ.
by: Рид В. Т.
Published: (Москва, Металлургиздат, 1957)

Малые примеси и дислокации; Известия вузов. Черная металлургия; № 12
by: Тютева Н. Д.
Published: (1963)

Дислокации в кристаллах: библиографический указатель
Published: (Москва, Изд-во Академии наук СССР, 1960)

Электронные свойства дислокаций в полупроводниках
Published: (Москва, Эдиториал УРСС, 2000)

Теория дислокаций: пер. с англ.
by: Коттрел А. Х.
Published: (Москва, Мир, 1969)