APA (7th ed.) Citation

Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ) Институт физики высоких технологий (ИФВТ) Кафедра лазерной и световой техники (ЛиСТ), Олешко В. И. Владимир Иванович, Садуова Б. К., Ли Фэй, & Ли Цзысюань. (2015). Влияние дислокаций на люминесценцию эпитаксиальных слоев GaN; Высокие технологии в современной науке и технике. 2015.

Chicago Style (17th ed.) Citation

Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ) Институт физики высоких технологий (ИФВТ) Кафедра лазерной и световой техники (ЛиСТ), Олешко В. И. Владимир Иванович, Садуова Б. К., Ли Фэй, and Ли Цзысюань. Влияние дислокаций на люминесценцию эпитаксиальных слоев GaN; Высокие технологии в современной науке и технике. 2015, 2015.

MLA (9th ed.) Citation

Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ) Институт физики высоких технологий (ИФВТ) Кафедра лазерной и световой техники (ЛиСТ), et al. Влияние дислокаций на люминесценцию эпитаксиальных слоев GaN; Высокие технологии в современной науке и технике. 2015, 2015.