Плазмодинамический синтез нитрида алюминия в системах с газообразным и твердым прекурсором; Перспективы развития фундаментальных наук

Dades bibliogràfiques
Parent link:Перспективы развития фундаментальных наук.— 2015.— [С. 1143-1145]
Autor principal: Шаненков И. И. Иван Игоревич
Autor corporatiu: Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ) Энергетический институт (ЭНИН) Кафедра электроснабжения промышленных предприятий (ЭПП)
Altres autors: Шаненкова Ю. Л. Юлия Леонидовна (научный руководитель), Сивков А. А. Александр Анатольевич
Sumari:Заглавие с экрана
Aluminum nitride is prospective material due to its high thermal conductivity. This paper shows the results of obtaining of aluminum nitride by plasma dynamic method in systems with gaseous (nitrogen N2) and solid (melamine C[3]N[6]H[6]) precursors. Synthesized products were investigated using XRD and TEM analyses. According to TEM products predominantly consist of well-crystallized single crystals of aluminum nitride with particle size 60-120 nm and small amount of aluminum particles. The results of XRD show that using of solid precursors is more preferable in the area of obtaining AlN phase but the product has a lot of impurities.
Idioma:rus
Publicat: 2015
Col·lecció:Наноматериалы и нанотехнологии
Matèries:
Accés en línia:http://earchive.tpu.ru/handle/11683/19091
http://www.lib.tpu.ru/fulltext/c/2015/C21/364.pdf
Format: Electrònic Capítol de llibre
KOHA link:https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=613202