Легирование поверхности алюминия титаном посредством облучения системы Ti (пленка) / Al (подложка) интенсивным импульсным электронным пучком: структура и свойства
| Parent link: | Перспективы развития фундаментальных наук=Prospects of fundamental sciences development: сборник научных трудов XII Международной конференция студентов и молодых ученых, г. Томск, 21-24 апреля 2015 г./ Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ) ; Национальный исследовательский Томский государственный университет (ТГУ) ; Томский государственный архитектурно-строительный университет (ТГАСУ) ; Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники (ТУСУР) ; ред. кол. И. А. Курзина ; Г. А. Воронова ; С. А. Поробова. [С. 1094-1096].— , 2015 |
|---|---|
| Autore principale: | |
| Ente Autore: | |
| Altri autori: | , , |
| Riassunto: | Заглавие с экрана The miksing of system a film (Ti)/substrate (Al) is carried out by an intensive electron beam. The radiation modes allowing to increase microhardness and reduction in the rate of wear of material are revealed. Physical justification of this phenomenon is given. |
| Pubblicazione: |
2015
|
| Serie: | Наноматериалы и нанотехнологии |
| Soggetti: | |
| Accesso online: | http://earchive.tpu.ru/handle/11683/19080 http://www.lib.tpu.ru/fulltext/c/2015/C21/348.pdf |
| Natura: | Elettronico Capitolo di libro |
| KOHA link: | https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=613183 |
| Descrizione fisica: | 1 файл(484 Кб) |
|---|---|
| Riassunto: | Заглавие с экрана The miksing of system a film (Ti)/substrate (Al) is carried out by an intensive electron beam. The radiation modes allowing to increase microhardness and reduction in the rate of wear of material are revealed. Physical justification of this phenomenon is given. |