Легирование поверхности алюминия титаном посредством облучения системы Ti (пленка) / Al (подложка), интенсивным импульсным электронным пучком - анализ тепловых процессов

Bibliographische Detailangaben
Parent link:Перспективы развития фундаментальных наук=Prospects of fundamental sciences development: сборник научных трудов XII Международной конференция студентов и молодых ученых, г. Томск, 21-24 апреля 2015 г./ Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ) ; Национальный исследовательский Томский государственный университет (ТГУ) ; Томский государственный архитектурно-строительный университет (ТГАСУ) ; Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники (ТУСУР) ; ред. кол. И. А. Курзина ; Г. А. Воронова ; С. А. Поробова. [С. 1091-1093].— , 2015
1. Verfasser: Рыгина М. Е.
Körperschaft: Национальный исследовательский Томский политехнический университет
Weitere Verfasser: Иванова О. В. (727), Иконникова И. А., Иванов Ю. Ф. Юрий Федорович
Zusammenfassung:Заглавие с экрана
Computer simulation of temperature fields formed in the radiation of system film/substrate intense electron beam irradiation. Essential distinctions in formation of a temperature field in films of the titan located on aluminum and in a massive sample of the titan are revealed.
Veröffentlicht: 2015
Schriftenreihe:Наноматериалы и нанотехнологии
Schlagworte:
Online-Zugang:http://earchive.tpu.ru/handle/11683/19079
http://www.lib.tpu.ru/fulltext/c/2015/C21/347.pdf
Format: Elektronisch Buchkapitel
KOHA link:https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=613181
Beschreibung
Beschreibung:1 файл(354 Кб)
Zusammenfassung:Заглавие с экрана
Computer simulation of temperature fields formed in the radiation of system film/substrate intense electron beam irradiation. Essential distinctions in formation of a temperature field in films of the titan located on aluminum and in a massive sample of the titan are revealed.