Распределение валентной электронной плотности в системе титан-водород c вакансией; Перспективы развития фундаментальных наук

書誌詳細
Parent link:Перспективы развития фундаментальных наук.— 2015.— [С. 230-232]
第一著者: Син Синхао
団体著者: Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ) Физико-технический институт (ФТИ) Кафедра общей физики (ОФ)
その他の著者: Святкин Л. А. Леонид Александрович (научный руководитель)
要約:Заглавие с экрана
The results of first-principle calculations of valence electron distribution in the titanium-hydrogen system with vacancy have been presented. The formation of the hydrogen-vacancy subsystems in the Ti-H leads to strongly anisotropic redistribution of the metal charge density. It is shown that the location of hydrogen in the interstitial near the vacancy is characterized by strong chemical binding of hydrogen with titanium.
言語:ロシア語
出版事項: 2015
シリーズ:Физика
主題:
オンライン・アクセス:http://earchive.tpu.ru/handle/11683/19151
http://www.lib.tpu.ru/fulltext/c/2015/C21/066.pdf
フォーマット: 電子媒体 図書の章
KOHA link:https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=612966

MARC

LEADER 00000naa2a2200000 4500
001 612966
005 20260429134447.0
035 |a (RuTPU)RU\TPU\conf\11097 
035 |a RU\TPU\conf\11094 
090 |a 612966 
100 |a 20150702d2015 k y0rusy50 ca 
101 0 |a rus 
102 |a RU 
135 |a drgn ---uucaa 
181 0 |a i  
182 0 |a b 
200 1 |a Распределение валентной электронной плотности в системе титан-водород c вакансией  |d Valence electron distribution in the titanium-hydrogen system with vacancy  |f Син Синхао, Л. А. Святкин  |g науч. рук. Л. А. Святкин 
203 |a Текст  |c электронный 
215 |a 1 файл(2.1 Мб) 
225 1 |a Физика 
300 |a Заглавие с экрана 
320 |a [Библиогр.: с. 232 (4 назв.)] 
330 |a The results of first-principle calculations of valence electron distribution in the titanium-hydrogen system with vacancy have been presented. The formation of the hydrogen-vacancy subsystems in the Ti-H leads to strongly anisotropic redistribution of the metal charge density. It is shown that the location of hydrogen in the interstitial near the vacancy is characterized by strong chemical binding of hydrogen with titanium. 
337 |a Adobe Reader 
463 1 |0 (RuTPU)RU\TPU\conf\10376  |t Перспективы развития фундаментальных наук  |l Prospects of fundamental sciences development  |o сборник научных трудов XII Международной конференция студентов и молодых ученых, г. Томск, 21-24 апреля 2015 г.  |f Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ) ; Национальный исследовательский Томский государственный университет (ТГУ) ; Томский государственный архитектурно-строительный университет (ТГАСУ) ; Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники (ТУСУР) ; ред. кол. И. А. Курзина ; Г. А. Воронова ; С. А. Поробова  |v [С. 230-232]  |d 2015 
510 1 |a Valence electron distribution in the titanium-hydrogen system with vacancy  |z eng 
610 1 |a электронный ресурс 
610 1 |a труды учёных ТПУ 
610 1 |a валентная плотность 
610 1 |a электронная плотность 
610 1 |a титан 
610 1 |a водород 
610 1 |a вакансии 
700 0 |a Син Синхао 
701 1 |a Святкин  |b Л. А.  |c физик  |c доцент Томского политехнического университета, Кандидат физико-математических наук  |f 1988-  |g Леонид Александрович  |3 (RuTPU)RU\TPU\pers\30790  |9 15046 
702 1 |a Святкин  |b Л. А.  |c физик  |c ассистент Томского политехнического университета  |f 1988-  |g Леонид Александрович  |4 727 
712 0 2 |a Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ)  |b Физико-технический институт (ФТИ)  |b Кафедра общей физики (ОФ)  |3 (RuTPU)RU\TPU\col\18734 
801 1 |a RU  |b 63413507  |c 20101016 
801 2 |a RU  |b 63413507  |c 20210128  |g RCR 
856 4 |u http://earchive.tpu.ru/handle/11683/19151 
856 4 |u http://www.lib.tpu.ru/fulltext/c/2015/C21/066.pdf 
942 |c BK