Осаждение барьерных слоев на основе нитрида титана с помощью дуальной МРС; Перспективы развития фундаментальных наук

Bibliografische gegevens
Parent link:Перспективы развития фундаментальных наук.— 2015.— [С. 125-127]
Hoofdauteur: Киселева Д. В.
Coauteur: Томский политехнический университет
Andere auteurs: Михневич К. С. (научный руководитель), Юрьев Ю. Н. Юрий Николаевич
Samenvatting:Заглавие с экрана
The titanium nitride (TiN) thin films of polycrystalline structure (110), (200) and (220) with elasticmodulus 153.2…395.7 GPa were obtained by means of magnetron sputtering of titanium cathode in argon andnitrogen. The electrical resistance of the samples is in the range of 0.15 ... 1.24 m[omega]·cm. The effects of phasecomposition, microstructure, morphology and physical-mechanical properties of TiN on d[s-t] and N[2] flow rate arepresented.
Taal:Russisch
Gepubliceerd in: 2015
Reeks:Физика
Onderwerpen:
Online toegang:http://earchive.tpu.ru/handle/11683/19128
http://www.lib.tpu.ru/fulltext/c/2015/C21/032.pdf
Formaat: Elektronisch Hoofdstuk
KOHA link:https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=612939

Gelijkaardige items