Осаждение барьерных слоев на основе нитрида титана с помощью дуальной МРС; Перспективы развития фундаментальных наук

Bibliographische Detailangaben
Parent link:	Перспективы развития фундаментальных наук.— 2015.— [С. 125-127]
1. Verfasser:	Киселева Д. В.
Körperschaft:	Национальный исследовательский Томский политехнический университет
Weitere Verfasser:	Михневич К. С. (научный руководитель), Юрьев Ю. Н. Юрий Николаевич
Zusammenfassung:	Заглавие с экрана The titanium nitride (TiN) thin films of polycrystalline structure (110), (200) and (220) with elasticmodulus 153.2…395.7 GPa were obtained by means of magnetron sputtering of titanium cathode in argon andnitrogen. The electrical resistance of the samples is in the range of 0.15 ... 1.24 m[omega]·cm. The effects of phasecomposition, microstructure, morphology and physical-mechanical properties of TiN on d[s-t] and N[2] flow rate arepresented.
Sprache:	Russisch
Veröffentlicht:	2015
Schriftenreihe:	Физика
Schlagworte:	электронный ресурс труды учёных ТПУ осаждение барьерные слои нитрид титана магнетронные системы магнетронные распылительные системы пленки
Online-Zugang:	http://earchive.tpu.ru/handle/11683/19128 http://www.lib.tpu.ru/fulltext/c/2015/C21/032.pdf
Format:	Elektronisch Buchkapitel
KOHA link:	https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=612939

Online