Осаждение барьерных слоев на основе нитрида титана с помощью дуальной МРС
| Parent link: | Перспективы развития фундаментальных наук=Prospects of fundamental sciences development: сборник научных трудов XII Международной конференция студентов и молодых ученых, г. Томск, 21-24 апреля 2015 г./ Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ) ; Национальный исследовательский Томский государственный университет (ТГУ) ; Томский государственный архитектурно-строительный университет (ТГАСУ) ; Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники (ТУСУР) ; ред. кол. И. А. Курзина ; Г. А. Воронова ; С. А. Поробова. [С. 125-127].— , 2015 |
|---|---|
| Prif Awdur: | |
| Awdur Corfforaethol: | |
| Awduron Eraill: | , |
| Crynodeb: | Заглавие с экрана The titanium nitride (TiN) thin films of polycrystalline structure (110), (200) and (220) with elasticmodulus 153.2…395.7 GPa were obtained by means of magnetron sputtering of titanium cathode in argon andnitrogen. The electrical resistance of the samples is in the range of 0.15 ... 1.24 m[omega]·cm. The effects of phasecomposition, microstructure, morphology and physical-mechanical properties of TiN on d[s-t] and N[2] flow rate arepresented. |
| Cyhoeddwyd: |
2015
|
| Cyfres: | Физика |
| Pynciau: | |
| Mynediad Ar-lein: | http://earchive.tpu.ru/handle/11683/19128 http://www.lib.tpu.ru/fulltext/c/2015/C21/032.pdf |
| Fformat: | Electronig Pennod Llyfr |
| KOHA link: | https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=612939 |
MARC
| LEADER | 00000naa2a2200000 4500 | ||
|---|---|---|---|
| 001 | 612939 | ||
| 005 | 20250904104844.0 | ||
| 035 | |a (RuTPU)RU\TPU\conf\11070 | ||
| 035 | |a RU\TPU\conf\11066 | ||
| 090 | |a 612939 | ||
| 100 | |a 20150701d2015 k y0rusy50 ca | ||
| 101 | 0 | |a rus | |
| 102 | |a RU | ||
| 105 | |a a z 101zy | ||
| 135 | |a drgn ---uucaa | ||
| 181 | 0 | |a i | |
| 182 | 0 | |a b | |
| 200 | 1 | |a Осаждение барьерных слоев на основе нитрида титана с помощью дуальной МРС |d Deposition of the barrier layers of titanium nitride with dual MSS |f Д. В. Киселева, К. С. Михневич, Ю. Н. Юрьев |g науч. рук. Ю. Н. Юрьев | |
| 203 | |a Текст |c электронный | ||
| 215 | |a 1 файл(206 Кб) | ||
| 225 | 1 | |a Физика | |
| 300 | |a Заглавие с экрана | ||
| 320 | |a [Библиогр.: с. 127 (5 назв.)] | ||
| 330 | |a The titanium nitride (TiN) thin films of polycrystalline structure (110), (200) and (220) with elasticmodulus 153.2…395.7 GPa were obtained by means of magnetron sputtering of titanium cathode in argon andnitrogen. The electrical resistance of the samples is in the range of 0.15 ... 1.24 m[omega]·cm. The effects of phasecomposition, microstructure, morphology and physical-mechanical properties of TiN on d[s-t] and N[2] flow rate arepresented. | ||
| 337 | |a Adobe Reader | ||
| 463 | 1 | |0 (RuTPU)RU\TPU\conf\10376 |t Перспективы развития фундаментальных наук |l Prospects of fundamental sciences development |o сборник научных трудов XII Международной конференция студентов и молодых ученых, г. Томск, 21-24 апреля 2015 г. |f Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ) ; Национальный исследовательский Томский государственный университет (ТГУ) ; Томский государственный архитектурно-строительный университет (ТГАСУ) ; Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники (ТУСУР) ; ред. кол. И. А. Курзина ; Г. А. Воронова ; С. А. Поробова |v [С. 125-127] |d 2015 | |
| 510 | 1 | |a Deposition of the barrier layers of titanium nitride with dual MSS |z eng | |
| 610 | 1 | |a электронный ресурс | |
| 610 | 1 | |a труды учёных ТПУ | |
| 610 | 1 | |a осаждение | |
| 610 | 1 | |a барьерные слои | |
| 610 | 1 | |a нитрид титана | |
| 610 | 1 | |a магнетронные системы | |
| 610 | 1 | |a магнетронные распылительные системы | |
| 610 | 1 | |a пленки | |
| 700 | 1 | |a Киселева |b Д. В. | |
| 701 | 1 | |a Михневич |b К. С. | |
| 701 | 1 | |a Юрьев |b Ю. Н. |c специалист в области водородной энергетики |c заведующий лабораторией Томского политехнического университета, младший научный сотрудник |f 1984- |g Юрий Николаевич |3 (RuTPU)RU\TPU\pers\30543 |9 14839 | |
| 702 | 1 | |a Юрьев |b Ю. Н. |c специалист в области водородной энергетики |c заведующий лабораторией Томского политехнического университета, младший научный сотрудник |f 1984- |g Юрий Николаевич |4 727 | |
| 712 | 0 | 2 | |a Национальный исследовательский Томский политехнический университет |c (2009- ) |9 26305 |
| 801 | 1 | |a RU |b 63413507 |c 20101016 | |
| 801 | 2 | |a RU |b 63413507 |c 20210128 |g RCR | |
| 850 | |a 63413507 | ||
| 856 | 4 | |u http://earchive.tpu.ru/handle/11683/19128 | |
| 856 | 4 | |u http://www.lib.tpu.ru/fulltext/c/2015/C21/032.pdf | |
| 942 | |c BK | ||