Осаждение барьерных слоев на основе нитрида титана с помощью дуальной МРС

Осаждение барьерных слоев на основе нитрида титана с помощью дуальной МРС

Bibliographic Details
Parent link:Перспективы развития фундаментальных наук=Prospects of fundamental sciences development: сборник научных трудов XII Международной конференция студентов и молодых ученых, г. Томск, 21-24 апреля 2015 г./ Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ) ; Национальный исследовательский Томский государственный университет (ТГУ) ; Томский государственный архитектурно-строительный университет (ТГАСУ) ; Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники (ТУСУР) ; ред. кол. И. А. Курзина ; Г. А. Воронова ; С. А. Поробова. [С. 125-127].— , 2015
Main Author: Киселева Д. В.
Corporate Author: Национальный исследовательский Томский политехнический университет
Other Authors: Михневич К. С. (727), Юрьев Ю. Н. Юрий Николаевич
Summary:Заглавие с экрана
The titanium nitride (TiN) thin films of polycrystalline structure (110), (200) and (220) with elasticmodulus 153.2…395.7 GPa were obtained by means of magnetron sputtering of titanium cathode in argon andnitrogen. The electrical resistance of the samples is in the range of 0.15 ... 1.24 m[omega]·cm. The effects of phasecomposition, microstructure, morphology and physical-mechanical properties of TiN on d[s-t] and N[2] flow rate arepresented.
Published: 2015
Series:Физика
Subjects:
электронный ресурс
труды учёных ТПУ
осаждение
барьерные слои
нитрид титана
магнетронные системы
магнетронные распылительные системы
пленки
Online Access:http://earchive.tpu.ru/handle/11683/19128
http://www.lib.tpu.ru/fulltext/c/2015/C21/032.pdf
Format: Electronic Book Chapter
KOHA link:https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=612939
Description
Physical Description:1 файл(206 Кб)
Summary:Заглавие с экрана
The titanium nitride (TiN) thin films of polycrystalline structure (110), (200) and (220) with elasticmodulus 153.2…395.7 GPa were obtained by means of magnetron sputtering of titanium cathode in argon andnitrogen. The electrical resistance of the samples is in the range of 0.15 ... 1.24 m[omega]·cm. The effects of phasecomposition, microstructure, morphology and physical-mechanical properties of TiN on d[s-t] and N[2] flow rate arepresented.

Similar Items