Осаждение барьерных слоев на основе нитрида титана с помощью дуальной МРС; Перспективы развития фундаментальных наук

Bibliographic Details
Parent link:	Перспективы развития фундаментальных наук.— 2015.— [С. 125-127]
Main Author:	Киселева Д. В.
Corporate Author:	Национальный исследовательский Томский политехнический университет
Other Authors:	Михневич К. С. (научный руководитель), Юрьев Ю. Н. Юрий Николаевич
Summary:	Заглавие с экрана The titanium nitride (TiN) thin films of polycrystalline structure (110), (200) and (220) with elasticmodulus 153.2…395.7 GPa were obtained by means of magnetron sputtering of titanium cathode in argon andnitrogen. The electrical resistance of the samples is in the range of 0.15 ... 1.24 m[omega]·cm. The effects of phasecomposition, microstructure, morphology and physical-mechanical properties of TiN on d[s-t] and N[2] flow rate arepresented.
Language:	Russian
Published:	2015
Series:	Физика
Subjects:	электронный ресурс труды учёных ТПУ осаждение барьерные слои нитрид титана магнетронные системы магнетронные распылительные системы пленки
Online Access:	http://earchive.tpu.ru/handle/11683/19128 http://www.lib.tpu.ru/fulltext/c/2015/C21/032.pdf
Format:	Electronic Book Chapter
KOHA link:	https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=612939

Description
Physical Description:	1 файл(206 Кб)
Summary:	Заглавие с экрана The titanium nitride (TiN) thin films of polycrystalline structure (110), (200) and (220) with elasticmodulus 153.2…395.7 GPa were obtained by means of magnetron sputtering of titanium cathode in argon andnitrogen. The electrical resistance of the samples is in the range of 0.15 ... 1.24 m[omega]·cm. The effects of phasecomposition, microstructure, morphology and physical-mechanical properties of TiN on d[s-t] and N[2] flow rate arepresented.

Similar Items