Технологии получения гетероструктур AlGaInP

Технологии получения гетероструктур AlGaInP

Bibliografiske detaljer
Parent link:	Инновации в машиностроении: сборник трудов Международной молодежной конференции, г. Юрга, 27-29 августа 2012 г./ Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ), Юргинский технологический институт (ЮТИ) ; под ред. Д. А. Чинахова. [С. 141-143].— , 2012
Hovedforfatter:	Орлова К. Н. Ксения Николаевна
Corporate Authors:	Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ) Юргинский технологический институт (филиал) (ЮТИ) Кафедра естественного научного образования (ЕНО), Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ) Юргинский технологический институт (филиал) (ЮТИ) Кафедра безопасности жизнедеятельности, экологии и физического воспитания (БЖДЭФВ)
Summary:	Заглавие с титульного листа.
Sprog:	russisk
Udgivet:	2012
Serier:	Инновационные технологии и техника обработки материалов в машиностроении
Fag:	труды учёных ТПУ электронный ресурс гетероструктуры AlGaInP получение технологии
Online adgang:	http://www.lib.tpu.ru/fulltext/c/2012/C58/002.pdf
Format:	Electronisk Book Chapter
KOHA link:	https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=611695

Lignende værker

Способы увеличения мощности излучения светодиодов на основе гетероструктур AlGaInP
af: Орлова К. Н. Ксения Николаевна
Udgivet: (2012)

Исследование изменения электрофизических характеристик светодиодов на основе гетероструктур AlGaInP (λ=624 нм) с множественными квантовыми ямами при воздействии быстрых нейтронов
af: Орлова К. Н. Ксения Николаевна
Udgivet: (2016)

Радиационная модель светодиодов на основе гетероструктур AlGaInP
af: Градобоев А. В. Александр Васильевич
Udgivet: (2012)

Радиационная стойкость гетероструктур AlGaInP (λ = 630 нм) с множественными квантовыми ямами
af: Орлова К. Н. Ксения Николаевна
Udgivet: (2014)

Исследование деградации мощности излучения гетероструктур AlGaInP красного и желтого цвета свечения при облучении гамма-квантами
af: Градобоев А. В. Александр Васильевич
Udgivet: (2013)

Диагностика радиационной стойкости светодиодов с наноразмерными квантовыми ямами на основе гетероструктур AlGaInP
af: Орлова К. Н. Ксения Николаевна
Udgivet: (2012)

Изменение вольт-амперных характеристик светодиодов на основе гетероструктур AlGaInP красного и желтого цвета свечения при облучении гамма-квантами и быстрыми нейтронами
af: Градобоев А. В. Александр Васильевич
Udgivet: (2013)

Исследование гетероструктур AlGaInP при облучении гамма-квантами в области перестройки дефектной структуры
Udgivet: (2013)

Analysis of the Use of Reflectors and Reflective Surfaces for Increasing the Light Efficiency of LEDs Based on AlGaInP Heterostructures
af: Gradoboev A. V. Aleksandr Vasilyevich
Udgivet: (2019)

Деградация параметров гетероструктур AlGaInP при облучении быстрыми нейтронами и гамма-квантами
af: Градобоев А. В. Александр Васильевич
Udgivet: (2013)

Gamma degradation of light-emitting diodes based on heterostructured AlGaInP
af: Orlova K. N. Kseniya Nikolaevna
Udgivet: (2012)

Resistance of LEDs Based on AlGaInP Heterostructures to Irradiation by Fast Neutrons
af: Gradoboev A. V. Aleksandr Vasilyevich
Udgivet: (2013)

Phenomenological Model of Radiation Hardness of LEDs Based on AlGaInP Heterostructures with Multiple Quantum Wells
af: Gradoboev A. V. Aleksandr Vasilyevich
Udgivet: (2019)

Основные способы увеличения мощности излучения светодиодов AlGaInP с квантовыми ямами
af: Орлова К. Н. Ксения Николаевна
Udgivet: (2012)

Деградация светодиодов на основе AlGaInP при облучении быстрыми нейтронами
af: Орлова К. Н. Ксения Николаевна
Udgivet: (2011)

Investigation of AlGaInP heterostructures under gamma-irradiation in the field of restructuring defect structure
af: Gradoboev A. V. Aleksandr Vasilyevich
Udgivet: (2015)

Эпитаксиальные методы получения наноразмерных гетероструктур InGaAlP
af: Орлова К. Н. Ксения Николаевна
Udgivet: (2012)

Radiation Model of Light Emitting Diode Based on AlGaInP Heterostructures with Multiple Quantum Wells
af: Gradoboev A. V. Aleksandr Vasilyevich
Udgivet: (2014)

Change in radiating power of the AlGaInP heterostructures under irradiation by fast neutrons
af: Orlova K. N. Kseniya Nikolaevna
Udgivet: (2014)

Стимулированная люминесценция светодиодных гетероструктур при возбуждении сильноточным электронным пучком
af: Цзысюань Ли
Udgivet: (2023)

Spectral Characteristics of Photoluminescence Synthesized in the Field of Radiation YAGG Phosphors with Different Al/Ga Ratio
Udgivet: (2024)

Luminescent diagnostics of led heterostructures based on InGaN/GaN
Udgivet: (2016)

Радиационная стойкость гетероструктур AlGaInP с множественными квантовыми ямами диссертация на соискание ученой степени кандидата технических наук спец. 01.04.07
af: Орлова К. Н. Ксения Николаевна
Udgivet: (Томск, 2013)

Радиационная стойкость гетероструктур AlGaInP с множественными квантовыми ямами автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук спец. 01.04.07
af: Орлова К. Н. Ксения Николаевна
Udgivet: (Томск, 2013)

Контроль проявления дислокаций при воздействии ионизирующего излучения
Udgivet: (2019)

Радиационная стойкость гетероструктур AlGaInP с множественными квантовыми ямами автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук спец. 01.04.07
af: Орлова К. Н. Ксения Николаевна
Udgivet: (Томск, 2013)

Образование и отжиг радиационных дефектов в области пространственного заряда соединений GaAs и InP
af: Соболева Э. Г. Эльвира Гомеровна
Udgivet: (2016)

Эпитаксиальные слои GaN на кремниевых подложках для AlGaN/GaN гетероструктур с высокой подвижностью электронов автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук спец. 1.3.11
af: Малин Т. В. Тимур Валерьевич
Udgivet: (Новосибирск, 2025)

Deterioration of Watt and Voltage Characteristics of AlGaInP Heterostructures under Irradiation by Fast Neutrons
af: Gradoboev A. V. Aleksandr Vasilyevich
Udgivet: (2016)

Changing the Shape of Watt-Ampere Characteristic of LEDs Based upon GaP ([lambda]=590 nm) Irradiated by Gamma-Quanta
af: Gradoboev A. V. Aleksandr Vasilyevich
Udgivet: (2019)

Transition in AlGaInP heterostructures with multiple quantum wells during fast neutron radiation
af: Gradoboev A. V. Aleksandr Vasilyevich
Udgivet: (2015)

Investigation of Changing Volt-Ampere Characteristics of AlGaInP Heterostructures with Multiple Quantum Wells under Ionizing Radiation
af: Gradoboev A. V. Aleksandr Vasilyevich
Udgivet: (2016)

Туннельная излучательная рекомбинация в p-n- гетероструктурах на основе нитрида галлия и других соединнений типа [AIIIBV]
af: Кудряшов В. Е.
Udgivet: (2003)

LEDs based upon AlGaInP heterostructures with multiple quantum wells: comparison of fast neutrons and gammaquanta irradiation
af: Gradoboev A. V. Aleksandr Vasilyevich
Udgivet: (2018)

Имульсная люминесценция гетероструктур на основе GaN
af: Васенев А. С.
Udgivet: (2012)

Influence of preliminary irradiation by qamma-quanta on dvelopment of catastrofic failures during operation of IR-LEDs
af: Gradoboev A. V. Aleksandr Vasilyevich
Udgivet: (2016)

Исследование влияния технологических параметров системы Ga-AsCl3-H2 - лигатура на рост и свойства эпитаксиальных структур GaAs для СВЧ-приборов диссертация на соискание ученой степени кандидата технических наук спец. 05.12.11
af: Чижевич Л. А.
Udgivet: (Томск, [Б. и.], 1974)

Исследование стойкости светодиодов на основе гетероструктур AlGaAs к воздействию нейтронного излучения
af: Жамалдинов Ф. Ф.
Udgivet: (2022)

Формирование гетероструктур наноприборов методом МЛЭ
af: Шашурин В. Д.
Udgivet: (Москва, МГТУ им. Н.Э. Баумана, 2009)

Метод огибающих функций для гетероструктур. Модели сшивания и применения для [AlAs/AlxGa1-xAs(110)]
af: Караваев Г. Ф.
Udgivet: (2003)