The reliability of the power semiconductor module on the operating temperature

The reliability of the power semiconductor module on the operating temperature

Bibliographic Details
Parent link:Интеллектуальные энергосистемы: труды II Международного молодёжного форума, 6-10 октября 2014 г., г. Томск/ Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ).— , 2014
Т. 1.— 2014.— [P. 59-66]
Main Author: Kravchenko E. V. Evgeny Vladimirovich
Corporate Author: Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ) Энергетический институт (ЭНИН) Кафедра автоматизации теплоэнергетических процессов (АТП)
Other Authors: Ivleva D.
Summary:Заглавие с титульного экрана
A comparison of the intensities of the failure of a power unit with the real thermal regime of the device under conditions of natural con-vection and obtained by using statistical data analysis. The integrated assess-ment of reliability based on the methods of physics failures. The necessity of taking into account the actual non-stationary temperature fields to improve the reliability of the forecast operating life of power semiconductor devices.
Published: 2014
Series:Теплофизика и теоретическая теплотехника
Subjects:
труды учёных ТПУ
электронный ресурс
надежность
силовые модули
температура
питание
полупроводниковые приборы
блоки
Online Access:http://www.lib.tpu.ru/fulltext/c/2014/C43/V1/015.pdf
Format: Electronic Book Chapter
KOHA link:https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=608902

Similar Items

Similar Items