The reliability of the power semiconductor module on the operating temperature

Bibliographic Details
Parent link:Интеллектуальные энергосистемы: труды II Международного молодёжного форума, 6-10 октября 2014 г., г. Томск/ Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ).— , 2014
Т. 1.— 2014.— [P. 59-66]
Main Author: Kravchenko E. V. Evgeny Vladimirovich
Corporate Author: Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ) Энергетический институт (ЭНИН) Кафедра автоматизации теплоэнергетических процессов (АТП)
Other Authors: Ivleva D.
Summary:Заглавие с титульного экрана
A comparison of the intensities of the failure of a power unit with the real thermal regime of the device under conditions of natural con-vection and obtained by using statistical data analysis. The integrated assess-ment of reliability based on the methods of physics failures. The necessity of taking into account the actual non-stationary temperature fields to improve the reliability of the forecast operating life of power semiconductor devices.
Published: 2014
Series:Теплофизика и теоретическая теплотехника
Subjects:
Online Access:http://www.lib.tpu.ru/fulltext/c/2014/C43/V1/015.pdf
Format: Electronic Book Chapter
KOHA link:https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=608902

MARC

LEADER 00000naa2a2200000 4500
001 608902
005 20240220133606.0
035 |a (RuTPU)RU\TPU\conf\6338 
090 |a 608902 
100 |a 20141017d2014 k y0rusy50 ca 
101 0 |a eng 
102 |a RU 
105 |a y z 101zy 
135 |a drnn ---uucaa 
181 0 |a i  
182 0 |a b 
200 1 |a The reliability of the power semiconductor module on the operating temperature  |f E. V. Kravchenko, D. Ivleva 
203 |a Text  |c electronic 
225 1 |a Теплофизика и теоретическая теплотехника 
300 |a Заглавие с титульного экрана 
320 |a [Ref.: p. 65-66 (31 tit.)] 
330 |a A comparison of the intensities of the failure of a power unit with the real thermal regime of the device under conditions of natural con-vection and obtained by using statistical data analysis. The integrated assess-ment of reliability based on the methods of physics failures. The necessity of taking into account the actual non-stationary temperature fields to improve the reliability of the forecast operating life of power semiconductor devices. 
337 |a Adobe Reader 
461 1 |0 (RuTPU)RU\TPU\conf\6228  |t Интеллектуальные энергосистемы  |o труды II Международного молодёжного форума, 6-10 октября 2014 г., г. Томск  |o в 2 т.  |f Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ)  |d 2014 
463 1 |0 (RuTPU)RU\TPU\conf\6230  |t Т. 1  |v [P. 59-66]  |d 2014 
610 1 |a труды учёных ТПУ 
610 1 |a электронный ресурс 
610 1 |a надежность 
610 1 |a силовые модули 
610 1 |a температура 
610 1 |a питание 
610 1 |a полупроводниковые приборы 
610 1 |a блоки 
700 1 |a Kravchenko  |b E. V.  |c specialist in the field of power engineering  |c Associate Professor of Tomsk Polytechnic University, Candidate of technical sciences  |f 1981-  |g Evgeny Vladimirovich  |3 (RuTPU)RU\TPU\pers\32852  |9 16700 
701 1 |a Ivleva  |b D. 
712 0 2 |a Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ)  |b Энергетический институт (ЭНИН)  |b Кафедра автоматизации теплоэнергетических процессов (АТП)  |3 (RuTPU)RU\TPU\col\18678 
801 2 |a RU  |b 63413507  |c 20200311  |g RCR 
856 4 |u http://www.lib.tpu.ru/fulltext/c/2014/C43/V1/015.pdf 
942 |c BK