Температурные условия CVD-осаждения как определяющий фактор в формировании плёнок кобальта с заданными эксплуатационными характеристиками

Bibliographic Details
Parent link:Перспективы развития фундаментальных наук=Prospects of fundamental sciences development: сборник научных трудов XI Международной конференция студентов и молодых ученых, г. Томск, 22-25 апреля 2014 г./ Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ) ; под ред. Е. А. Вайтулевич. [С. 244-246].— , 2014
Main Author: Хайруллин Р. Р. Рустам Равильевич
Corporate Author: Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ) Физико-технический институт (ФТИ) Кафедра общей физики (ОФ)
Other Authors: Доровских С. И. (727), Панин А. В. Алексей Викторович
Summary:Заглавие с экрана
Co films were deposited on Si(100) substrates by chemical vapor deposition (CVD). Co(N'acN'ac)2 was used as a precursor. The sizes of coherent scattering region (CSR) and phase composition of studied Co films were determined by the X-ray diffraction (XRD) analysis. The chemical composition was identified by the Energy-dispersive X-ray spectroscopy (EDX). As a result of this work the effect of substrate temperature on the texture, sizes of CSR, phase and chemical composition of Co films was revealed. It was found that Co films consist of alpha-Co and beta-Co crystals. Varying the substrate temperature allows to change widely the texture, sizes of CSR and chemical composition of Co films. The cobalt content and the texture degree of Co films are characterized by extreme substrate temperature dependence with a maximum at 320-330 °С. The size of CSR is weakly depends on the substrate temperature in the range of 300-330 °С but it starts to decrease at temperatures over 330 °С.
Language:Russian
Published: 2014
Series:Физика
Subjects:
Online Access:http://www.lib.tpu.ru/fulltext/c/2014/C21/077.pdf
Format: Electronic Book Chapter
KOHA link:https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=606875

MARC

LEADER 00000naa2a2200000 4500
001 606875
005 20231101132426.0
035 |a (RuTPU)RU\TPU\conf\4254 
035 |a RU\TPU\conf\4239 
090 |a 606875 
100 |a 20140619d2014 k y0rusy50 ca 
101 0 |a rus  |g rus  |g eng 
102 |a RU 
105 |a a z 101zy 
135 |a drcn ---uucaa 
181 0 |a i  
182 0 |a b 
200 1 |a Температурные условия CVD-осаждения как определяющий фактор в формировании плёнок кобальта с заданными эксплуатационными характеристиками  |d Temperature conditions of CVD-deposition as a determing factor in the cobalt films formation with predetermined operational characteristics  |f Р. Р. Хайруллин, С. И. Доровских  |g науч. рук. А. В. Панин 
203 |a Текст  |c электронный 
215 |a 1 файл(402 Кб) 
225 1 |a Физика 
230 |a Электронные текстовые данные (1 файл: 402 Кб) 
300 |a Заглавие с экрана 
320 |a [Библиогр.: с. 246 (2 назв.)] 
330 |a Co films were deposited on Si(100) substrates by chemical vapor deposition (CVD). Co(N'acN'ac)2 was used as a precursor. The sizes of coherent scattering region (CSR) and phase composition of studied Co films were determined by the X-ray diffraction (XRD) analysis. The chemical composition was identified by the Energy-dispersive X-ray spectroscopy (EDX). As a result of this work the effect of substrate temperature on the texture, sizes of CSR, phase and chemical composition of Co films was revealed. It was found that Co films consist of alpha-Co and beta-Co crystals. Varying the substrate temperature allows to change widely the texture, sizes of CSR and chemical composition of Co films. The cobalt content and the texture degree of Co films are characterized by extreme substrate temperature dependence with a maximum at 320-330 °С. The size of CSR is weakly depends on the substrate temperature in the range of 300-330 °С but it starts to decrease at temperatures over 330 °С. 
337 |a Adobe Reader 
463 1 |0 (RuTPU)RU\TPU\conf\3586  |t Перспективы развития фундаментальных наук  |l Prospects of fundamental sciences development  |o сборник научных трудов XI Международной конференция студентов и молодых ученых, г. Томск, 22-25 апреля 2014 г.  |f Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ) ; под ред. Е. А. Вайтулевич  |v [С. 244-246]  |d 2014 
510 1 |a Temperature conditions of CVD-deposition as a determing factor in the cobalt films formation with predetermined operational characteristics  |z eng 
610 1 |a электронный ресурс 
610 1 |a труды учёных ТПУ 
610 1 |a температурные условия 
610 1 |a CVD-осаждение 
610 1 |a пленки 
610 1 |a кобальт 
610 1 |a эксплуатационные характеристики 
700 1 |a Хайруллин  |b Р. Р.  |c специалист в области материаловедения  |c инженер Томского политехнического университета  |f 1992-  |g Рустам Равильевич  |2 stltpush  |3 (RuTPU)RU\TPU\pers\32861 
701 1 |a Доровских  |b С. И. 
702 1 |a Панин  |b А. В.  |c физик  |c главный научный сотрудник Томского политехнического университета  |f 1971-  |g Алексей Викторович  |2 stltpush  |4 727 
712 0 2 |a Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ)  |b Физико-технический институт (ФТИ)  |b Кафедра общей физики (ОФ)  |h 136  |2 stltpush  |3 (RuTPU)RU\TPU\col\18734 
801 1 |a RU  |b 63413507  |c 20101016 
801 2 |a RU  |b 63413507  |c 20141021  |g RCR 
856 4 |u http://www.lib.tpu.ru/fulltext/c/2014/C21/077.pdf 
942 |c BK