Сычева А. В. & Олешко В. И. Владимир Иванович. (2014). Импульсная люминесцентная спектрометрия эпитаксиальных слоев GaN, выращенных на подложках AL2O3; Ресурсоэффективным технологиям - энергию и энтузиазм молодых. 2014.
Chicago Style (17th ed.) CitationСычева А. В. and Олешко В. И. Владимир Иванович. Импульсная люминесцентная спектрометрия эпитаксиальных слоев GaN, выращенных на подложках AL2O3; Ресурсоэффективным технологиям - энергию и энтузиазм молодых. 2014, 2014.
MLA (9th ed.) CitationСычева А. В. and Олешко В. И. Владимир Иванович. Импульсная люминесцентная спектрометрия эпитаксиальных слоев GaN, выращенных на подложках AL2O3; Ресурсоэффективным технологиям - энергию и энтузиазм молодых. 2014, 2014.
Warning: These citations may not always be 100% accurate.