Сычева А. В. & Олешко В. И. Владимир Иванович. (2014). Импульсная люминесцентная спектрометрия эпитаксиальных слоев GaN, выращенных на подложках AL2O3. 2014.
Chicago Style (17th ed.) CitationСычева А. В. and Олешко В. И. Владимир Иванович. Импульсная люминесцентная спектрометрия эпитаксиальных слоев GaN, выращенных на подложках AL2O3. 2014, 2014.
MLA (9th ed.) CitationСычева А. В. and Олешко В. И. Владимир Иванович. Импульсная люминесцентная спектрометрия эпитаксиальных слоев GaN, выращенных на подложках AL2O3. 2014, 2014.
Warning: These citations may not always be 100% accurate.