Сычева А. В. & Олешко В. И. Владимир Иванович. (2014). Импульсная люминесцентная спектрометрия эпитаксиальных слоев GaN, выращенных на подложках AL2O3. 2014.
Chicago-referens (17:e uppl.)Сычева А. В. och Олешко В. И. Владимир Иванович. Импульсная люминесцентная спектрометрия эпитаксиальных слоев GaN, выращенных на подложках AL2O3. 2014, 2014.
MLA-referens (9:e uppl.)Сычева А. В. och Олешко В. И. Владимир Иванович. Импульсная люминесцентная спектрометрия эпитаксиальных слоев GaN, выращенных на подложках AL2O3. 2014, 2014.
Varning: dessa hänvisningar är inte alltid fullständigt riktiga.