Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ) Институт физики высоких технологий (ИФВТ) Лаборатория № 12, Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ) Юргинский технологический институт (филиал) (ЮТИ) Кафедра металлургии и черных металлов (МЧМ), Маренец В. Г., Туева К. С., Родзевич А. П. Александр Павлович, & Газенаур Е. Г. (2014). Слабое электрическое поле как "ингибитор" процесса разложения, инициированного в кристаллах АТМ УФ-облучением. 2014.
Chicago Style (17th ed.) CitationНациональный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ) Институт физики высоких технологий (ИФВТ) Лаборатория № 12, Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ) Юргинский технологический институт (филиал) (ЮТИ) Кафедра металлургии и черных металлов (МЧМ), Маренец В. Г., Туева К. С., Родзевич А. П. Александр Павлович, and Газенаур Е. Г. Слабое электрическое поле как "ингибитор" процесса разложения, инициированного в кристаллах АТМ УФ-облучением. 2014, 2014.
ציטוט MLAНациональный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ) Институт физики высоких технологий (ИФВТ) Лаборатория № 12, et al. Слабое электрическое поле как "ингибитор" процесса разложения, инициированного в кристаллах АТМ УФ-облучением. 2014, 2014.