Определение параметров детектора рентгеновского излучения GaAs-512-0.1; Ядерно-физические технологии в клинической и экспериментальной медицине: состояние, проблемы, перспективы

Определение параметров детектора рентгеновского излучения GaAs-512-0.1; Ядерно-физические технологии в клинической и экспериментальной медицине: состояние, проблемы, перспективы

Dades bibliogràfiques
Parent link:	Ядерно-физические технологии в клинической и экспериментальной медицине: состояние, проблемы, перспективы.— 2013.— [С. 28-29]
Autor principal:	Синягина М. А.
Autor corporatiu:	Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ) Физико-технический институт (ФТИ) Кафедра прикладной физики (№ 12) (ПФ)
Altres autors:	Лукьяненко Е. В., Стучебров С. Г. Сергей Геннадьевич
Sumari:	Заглавие с титульного листа.
Idioma:	rus
Publicat:	2013
Col·lecció:	Лучевая диагностика и лучевая терапия
Matèries:	труды учёных ТПУ электронный ресурс параметры детекторы рентгеновское излучение GaAs импульсные источники
Accés en línia:	http://www.lib.tpu.ru/fulltext/c/2013/C61/005.pdf
Format:	Electrònic Capítol de llibre
KOHA link:	https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=605833

Ítems similars

Оптические свойства пленок GaAs, осажденных импульсной ионной абляцией; ФВЗЧК-2010
per: Кабышев А. В. Александр Васильевич
Publicat: (2010)

Определение мгновенной эффективной энергии тормозного излучения рентгеновских труб; Измерительная техника; № 8
Publicat: (2003)

Электрофизические и фотоэлектрические свойства пленок GaAs, осажденных импульсной ионной абляцией; ФВЗЧК-2012
per: Кабышев А. В. Александр Васильевич
Publicat: (2012)

Развитие эпитаксии GaAs- от слитков к ультратонким пленкам. Выращивание слоев для наноструктурных приборов; Известия вузов. Физика; Т. 46, № 6
per: Нишизава Дж.-И.
Publicat: (2003)

Спектрометрические характеристики HR-GaAs:Cr сенсоров рентгеновского излучения: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; спец. 1.3.11
per: Щербаков И. Д. Иван Дмитриевич
Publicat: (Томск, 2023)

Особенности фотопроводимости компенсированного i-GaAs в области спектра hv>E[ g]; Известия вузов. Физика; Т. 46, № 4
Publicat: (2003)

Эрозия мишени из GaAs при воздействии импульсного мощного ионного пучка; Известия вузов. Физика; Т. 50, № 1
Publicat: (2007)

Pulsed ion beam formation of highly doped GaAs layers; Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms; Vol. 139, iss. 1-4
Publicat: (1998)

Образование и отжиг радиационных дефектов в области пространственного заряда соединений GaAs и InP; XLVI Международная Тулиновская конференция по физике взаимодействия заряженных частиц с кристаллами, ФВЗЧК-2016
per: Соболева Э. Г. Эльвира Гомеровна
Publicat: (2016)

Оптические свойства пленок GAAS, осажденных импульсной ионной абляцией; Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования; № 3
per: Кабышев А. В. Александр Васильевич
Publicat: (2011)

The formation of amplitude spectra in X-ray pixel detectors made of gallium arsenide; Journal of X-Ray Science and Technology; Vol. 25, iss. 4
per: Ayzenshtat G. I.
Publicat: (2017)

Самокаталитический рост планарных нанопороволок и ленгмюровское испарение GaAs: моделирование методом Монте Карло: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; спец. 1.3.11
per: Спирина А. А. Анна Александровна
Publicat: (Новосибирск, 2023)

Стойкость светоизлучающих диодов ИК-диапазона к воздействию импульсного лазерного излучения; Известия Томского политехнического университета [Известия ТПУ]; Т. 316, № 2: Математика и механика. Физика
Publicat: (2010)

Si(Li)-детектор рентгеновского излучения; Атомная энергия; Т. 94, вып. 6
per: Дорин А. Б.
Publicat: (2003)

Алгоритм оптимизации параметров сэндвич-детекторов рентгеновского излучения; Дефектоскопия; № 3
per: Удод В. А. Виктор Анатольевич
Publicat: (2023)

Наблюдение параметрического рентгеновского излучения от протонов с энергией 50 ГэВ; Известия вузов. Физика; Т. 56, № 11-2
Publicat: (2013)

Детокторы импульсного рентгеновского и нейтронного излучения на основе природного алмаза; Приборы и техника эксперимента; № 2
Publicat: (2004)

Определение поглощенной дозы рентгеновского излучения источника РАП 160-5; Ядерно-физические технологии в клинической и экспериментальной медицине: состояние, проблемы, перспективы
Publicat: (2013)

Исследование деградации мощности излучения гетероструктур AlGaInP красного и желтого цвета свечения при облучении гамма-квантами; Журнал радиоэлектроники; № 4
per: Градобоев А. В. Александр Васильевич
Publicat: (2013)

Источник селективного мягкого рентгеновского излучения на основе z-пинча; Приборы и техника эксперимента; № 4
per: Зайцев В. И.
Publicat: (2004)

Luminescent diagnostics of led heterostructures based on InGaN/GaN; Energy Fluxes and Radiation Effects (EFRE-2016)
Publicat: (2016)

Мозаичный детектор рентгеновского излучения на основе ГРП для контроля объектов большого размера; Известия Томского политехнического университета [Известия ТПУ]; Т. 305, вып. 5
per: Алхимов Ю. В. Юрий Васильевич
Publicat: (2002)

Модернизация томографической установки на базе многоканального газоразрядного детектора с субмиллиметровым разрешением; Вестник Национального исследовательского ядерного университета "МИФИ"; Т. 6, № 1
Publicat: (2017)

Способы увеличения мощности излучения светодиодов на основе гетероструктур AlGaInP; Приволжский научный вестник; № 10 (14)
per: Орлова К. Н. Ксения Николаевна
Publicat: (2012)

Формирование гетероструктур наноприборов методом МЛЭ
per: Шашурин В. Д.
Publicat: (Москва, МГТУ им. Н.Э. Баумана, 2009)

Применение обратнорассеянного рентгеновского излучения в промышленности
per: Забродский В. А. Виталий Антонович
Publicat: (Москва, Энергоатомиздат, 1989)

Основные способы увеличения мощности излучения светодиодов AlGaInP с квантовыми ямами; Радиоэлектроника и молодежь в ХХІ веке; Т. 1
per: Орлова К. Н. Ксения Николаевна
Publicat: (2012)

Технологии получения гетероструктур AlGaInP; Инновации в машиностроении
per: Орлова К. Н. Ксения Николаевна
Publicat: (2012)

Исследование изменения электрофизических характеристик светодиодов на основе гетероструктур AlGaInP (λ=624 нм) с множественными квантовыми ямами при воздействии быстрых нейтронов; Журнал радиоэлектроники; № 10
per: Орлова К. Н. Ксения Николаевна
Publicat: (2016)

Изменение вольт-амперных характеристик светодиодов на основе гетероструктур AlGaInP красного и желтого цвета свечения при облучении гамма-квантами и быстрыми нейтронами; Журнал радиоэлектроники; № 10
per: Градобоев А. В. Александр Васильевич
Publicat: (2013)

Основы физики рентгеновского излучения
per: Павлинский Г. В.
Publicat: (Москва, ФИЗМАТЛИТ, 2007)

Аппаратура и методы рентгеновского анализа: Сборник статей; Аппаратура и методы рентгеновского анализа
Publicat: (Ленинград, Машиностроение, 1982)

Основы физики рентгеновского излучения
per: Павлинский Г. В. Гелий Вениаминович
Publicat: (Москва, Физматлит, 2007)

Фотоэлектрические и яркостные характеристики структур GaAs-ZnS для твердотельных преобразователей изображений: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; спец. 01.04.10
per: Яскевич Т. М. Тамара Михайловна
Publicat: (Томск, 2013)

Вольтамперная характеристика InGaTe₂; Известия Томского политехнического университета [Известия ТПУ]; Т. 326, № 5
per: Годжаев Э. М. Эльдар Мехрали оглы
Publicat: (2015)

Исследование зависимости между выходными сигналами сэндвич-детектора рентгеновского излучения; Инновации в неразрушающем контроле (SibTest 2019)
per: Назаренко С. Ю. Светлана Юрьевна
Publicat: (2019)

Томографическая установка с расходящимся пучком рентгеновского излучения на базе многоканального газоразрядного детектора; Функциональные материалы: разработка, исследование, применение
per: Пак Ф. А.
Publicat: (2015)

Возможность применения плоскопаралельной камеры PPC40 для клинической дозиметрии среднеэнергетического рентгеновского излучения; Современные проблемы физики и технологий; Ч. 2
Publicat: (2017)

Радиационная модель светодиодов на основе гетероструктур AlGaInP; I; Облучение гамма-квантами 60Со; Радиационная физика твердого тела
per: Градобоев А. В. Александр Васильевич
Publicat: (2012)

Диагностика радиационной стойкости светодиодов с наноразмерными квантовыми ямами на основе гетероструктур AlGaInP; Студент и научно-технический прогресс
per: Орлова К. Н. Ксения Николаевна
Publicat: (2012)