Определение параметров детектора рентгеновского излучения GaAs-512-0.1; Ядерно-физические технологии в клинической и экспериментальной медицине: состояние, проблемы, перспективы
| Parent link: | Ядерно-физические технологии в клинической и экспериментальной медицине: состояние, проблемы, перспективы.— 2013.— [С. 28-29] |
|---|---|
| 1. Verfasser: | Синягина М. А. |
| Körperschaft: | Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ) Физико-технический институт (ФТИ) Кафедра прикладной физики (№ 12) (ПФ) |
| Weitere Verfasser: | Лукьяненко Е. В., Стучебров С. Г. Сергей Геннадьевич |
| Zusammenfassung: | Заглавие с титульного листа. |
| Sprache: | Russisch |
| Veröffentlicht: |
2013
|
| Schriftenreihe: | Лучевая диагностика и лучевая терапия |
| Schlagworte: | |
| Online-Zugang: | http://www.lib.tpu.ru/fulltext/c/2013/C61/005.pdf |
| Format: | Elektronisch Buchkapitel |
| KOHA link: | https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=605833 |
Ähnliche Einträge
Оптические свойства пленок GaAs, осажденных импульсной ионной абляцией; ФВЗЧК-2010
von: Кабышев А. В. Александр Васильевич
Veröffentlicht: (2010)
von: Кабышев А. В. Александр Васильевич
Veröffentlicht: (2010)
Определение мгновенной эффективной энергии тормозного излучения рентгеновских труб; Измерительная техника; № 8
Veröffentlicht: (2003)
Veröffentlicht: (2003)
Электрофизические и фотоэлектрические свойства пленок GaAs, осажденных импульсной ионной абляцией; ФВЗЧК-2012
von: Кабышев А. В. Александр Васильевич
Veröffentlicht: (2012)
von: Кабышев А. В. Александр Васильевич
Veröffentlicht: (2012)
Развитие эпитаксии GaAs- от слитков к ультратонким пленкам. Выращивание слоев для наноструктурных приборов; Известия вузов. Физика; Т. 46, № 6
von: Нишизава Дж.-И.
Veröffentlicht: (2003)
von: Нишизава Дж.-И.
Veröffentlicht: (2003)
Особенности фотопроводимости компенсированного i-GaAs в области спектра hv>E[ g]; Известия вузов. Физика; Т. 46, № 4
Veröffentlicht: (2003)
Veröffentlicht: (2003)
Эрозия мишени из GaAs при воздействии импульсного мощного ионного пучка; Известия вузов. Физика; Т. 50, № 1
Veröffentlicht: (2007)
Veröffentlicht: (2007)
Pulsed ion beam formation of highly doped GaAs layers; Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms; Vol. 139, iss. 1-4
Veröffentlicht: (1998)
Veröffentlicht: (1998)
Спектрометрические характеристики HR-GaAs:Cr сенсоров рентгеновского излучения: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; спец. 1.3.11
von: Щербаков И. Д. Иван Дмитриевич
Veröffentlicht: (Томск, 2023)
von: Щербаков И. Д. Иван Дмитриевич
Veröffentlicht: (Томск, 2023)
Образование и отжиг радиационных дефектов в области пространственного заряда соединений GaAs и InP; XLVI Международная Тулиновская конференция по физике взаимодействия заряженных частиц с кристаллами, ФВЗЧК-2016
von: Соболева Э. Г. Эльвира Гомеровна
Veröffentlicht: (2016)
von: Соболева Э. Г. Эльвира Гомеровна
Veröffentlicht: (2016)
Оптические свойства пленок GAAS, осажденных импульсной ионной абляцией; Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования; № 3
von: Кабышев А. В. Александр Васильевич
Veröffentlicht: (2011)
von: Кабышев А. В. Александр Васильевич
Veröffentlicht: (2011)
The formation of amplitude spectra in X-ray pixel detectors made of gallium arsenide; Journal of X-Ray Science and Technology; Vol. 25, iss. 4
von: Ayzenshtat G. I.
Veröffentlicht: (2017)
von: Ayzenshtat G. I.
Veröffentlicht: (2017)
Самокаталитический рост планарных нанопороволок и ленгмюровское испарение GaAs: моделирование методом Монте Карло: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; спец. 1.3.11
von: Спирина А. А. Анна Александровна
Veröffentlicht: (Новосибирск, 2023)
von: Спирина А. А. Анна Александровна
Veröffentlicht: (Новосибирск, 2023)
Стойкость светоизлучающих диодов ИК-диапазона к воздействию импульсного лазерного излучения; Известия Томского политехнического университета [Известия ТПУ]; Т. 316, № 2: Математика и механика. Физика
Veröffentlicht: (2010)
Veröffentlicht: (2010)
Si(Li)-детектор рентгеновского излучения; Атомная энергия; Т. 94, вып. 6
von: Дорин А. Б.
Veröffentlicht: (2003)
von: Дорин А. Б.
Veröffentlicht: (2003)
Алгоритм оптимизации параметров сэндвич-детекторов рентгеновского излучения; Дефектоскопия; № 3
von: Удод В. А. Виктор Анатольевич
Veröffentlicht: (2023)
von: Удод В. А. Виктор Анатольевич
Veröffentlicht: (2023)
Наблюдение параметрического рентгеновского излучения от протонов с энергией 50 ГэВ; Известия вузов. Физика; Т. 56, № 11-2
Veröffentlicht: (2013)
Veröffentlicht: (2013)
Определение поглощенной дозы рентгеновского излучения источника РАП 160-5; Ядерно-физические технологии в клинической и экспериментальной медицине: состояние, проблемы, перспективы
Veröffentlicht: (2013)
Veröffentlicht: (2013)
Детокторы импульсного рентгеновского и нейтронного излучения на основе природного алмаза; Приборы и техника эксперимента; № 2
Veröffentlicht: (2004)
Veröffentlicht: (2004)
Исследование деградации мощности излучения гетероструктур AlGaInP красного и желтого цвета свечения при облучении гамма-квантами; Журнал радиоэлектроники; № 4
von: Градобоев А. В. Александр Васильевич
Veröffentlicht: (2013)
von: Градобоев А. В. Александр Васильевич
Veröffentlicht: (2013)
Источник селективного мягкого рентгеновского излучения на основе z-пинча; Приборы и техника эксперимента; № 4
von: Зайцев В. И.
Veröffentlicht: (2004)
von: Зайцев В. И.
Veröffentlicht: (2004)
Luminescent diagnostics of led heterostructures based on InGaN/GaN; Energy Fluxes and Radiation Effects (EFRE-2016)
Veröffentlicht: (2016)
Veröffentlicht: (2016)
Мозаичный детектор рентгеновского излучения на основе ГРП для контроля объектов большого размера; Известия Томского политехнического университета [Известия ТПУ]; Т. 305, вып. 5
von: Алхимов Ю. В. Юрий Васильевич
Veröffentlicht: (2002)
von: Алхимов Ю. В. Юрий Васильевич
Veröffentlicht: (2002)
Модернизация томографической установки на базе многоканального газоразрядного детектора с субмиллиметровым разрешением; Вестник Национального исследовательского ядерного университета "МИФИ"; Т. 6, № 1
Veröffentlicht: (2017)
Veröffentlicht: (2017)
Способы увеличения мощности излучения светодиодов на основе гетероструктур AlGaInP; Приволжский научный вестник; № 10 (14)
von: Орлова К. Н. Ксения Николаевна
Veröffentlicht: (2012)
von: Орлова К. Н. Ксения Николаевна
Veröffentlicht: (2012)
Применение обратнорассеянного рентгеновского излучения в промышленности
von: Забродский В. А. Виталий Антонович
Veröffentlicht: (Москва, Энергоатомиздат, 1989)
von: Забродский В. А. Виталий Антонович
Veröffentlicht: (Москва, Энергоатомиздат, 1989)
Основные способы увеличения мощности излучения светодиодов AlGaInP с квантовыми ямами; Радиоэлектроника и молодежь в ХХІ веке; Т. 1
von: Орлова К. Н. Ксения Николаевна
Veröffentlicht: (2012)
von: Орлова К. Н. Ксения Николаевна
Veröffentlicht: (2012)
Технологии получения гетероструктур AlGaInP; Инновации в машиностроении
von: Орлова К. Н. Ксения Николаевна
Veröffentlicht: (2012)
von: Орлова К. Н. Ксения Николаевна
Veröffentlicht: (2012)
Формирование гетероструктур наноприборов методом МЛЭ
von: Шашурин В. Д.
Veröffentlicht: (Москва, МГТУ им. Н.Э. Баумана, 2009)
von: Шашурин В. Д.
Veröffentlicht: (Москва, МГТУ им. Н.Э. Баумана, 2009)
Исследование изменения электрофизических характеристик светодиодов на основе гетероструктур AlGaInP (λ=624 нм) с множественными квантовыми ямами при воздействии быстрых нейтронов; Журнал радиоэлектроники; № 10
von: Орлова К. Н. Ксения Николаевна
Veröffentlicht: (2016)
von: Орлова К. Н. Ксения Николаевна
Veröffentlicht: (2016)
Изменение вольт-амперных характеристик светодиодов на основе гетероструктур AlGaInP красного и желтого цвета свечения при облучении гамма-квантами и быстрыми нейтронами; Журнал радиоэлектроники; № 10
von: Градобоев А. В. Александр Васильевич
Veröffentlicht: (2013)
von: Градобоев А. В. Александр Васильевич
Veröffentlicht: (2013)
Основы физики рентгеновского излучения
von: Павлинский Г. В.
Veröffentlicht: (Москва, ФИЗМАТЛИТ, 2007)
von: Павлинский Г. В.
Veröffentlicht: (Москва, ФИЗМАТЛИТ, 2007)
Основы физики рентгеновского излучения
von: Павлинский Г. В. Гелий Вениаминович
Veröffentlicht: (Москва, Физматлит, 2007)
von: Павлинский Г. В. Гелий Вениаминович
Veröffentlicht: (Москва, Физматлит, 2007)
Аппаратура и методы рентгеновского анализа: Сборник статей; Аппаратура и методы рентгеновского анализа
Veröffentlicht: (Ленинград, Машиностроение, 1982)
Veröffentlicht: (Ленинград, Машиностроение, 1982)
Вольтамперная характеристика InGaTe₂; Известия Томского политехнического университета [Известия ТПУ]; Т. 326, № 5
von: Годжаев Э. М. Эльдар Мехрали оглы
Veröffentlicht: (2015)
von: Годжаев Э. М. Эльдар Мехрали оглы
Veröffentlicht: (2015)
Фотоэлектрические и яркостные характеристики структур GaAs-ZnS для твердотельных преобразователей изображений: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; спец. 01.04.10
von: Яскевич Т. М. Тамара Михайловна
Veröffentlicht: (Томск, 2013)
von: Яскевич Т. М. Тамара Михайловна
Veröffentlicht: (Томск, 2013)
Исследование зависимости между выходными сигналами сэндвич-детектора рентгеновского излучения; Инновации в неразрушающем контроле (SibTest 2019)
von: Назаренко С. Ю. Светлана Юрьевна
Veröffentlicht: (2019)
von: Назаренко С. Ю. Светлана Юрьевна
Veröffentlicht: (2019)
Томографическая установка с расходящимся пучком рентгеновского излучения на базе многоканального газоразрядного детектора; Функциональные материалы: разработка, исследование, применение
von: Пак Ф. А.
Veröffentlicht: (2015)
von: Пак Ф. А.
Veröffentlicht: (2015)
Возможность применения плоскопаралельной камеры PPC40 для клинической дозиметрии среднеэнергетического рентгеновского излучения; Современные проблемы физики и технологий; Ч. 2
Veröffentlicht: (2017)
Veröffentlicht: (2017)
Разработка программно-аппаратного комплекса для оценки параметров сенсоров прототипа рентгеновского детектора; Интеллектуальная энергетика
von: Бикметов Н. Р. Никита Рафаэльевич
Veröffentlicht: (2024)
von: Бикметов Н. Р. Никита Рафаэльевич
Veröffentlicht: (2024)
Радиационная модель светодиодов на основе гетероструктур AlGaInP; I; Облучение гамма-квантами 60Со; Радиационная физика твердого тела
von: Градобоев А. В. Александр Васильевич
Veröffentlicht: (2012)
von: Градобоев А. В. Александр Васильевич
Veröffentlicht: (2012)
Ähnliche Einträge
-
Оптические свойства пленок GaAs, осажденных импульсной ионной абляцией; ФВЗЧК-2010
von: Кабышев А. В. Александр Васильевич
Veröffentlicht: (2010) -
Определение мгновенной эффективной энергии тормозного излучения рентгеновских труб; Измерительная техника; № 8
Veröffentlicht: (2003) -
Электрофизические и фотоэлектрические свойства пленок GaAs, осажденных импульсной ионной абляцией; ФВЗЧК-2012
von: Кабышев А. В. Александр Васильевич
Veröffentlicht: (2012) -
Развитие эпитаксии GaAs- от слитков к ультратонким пленкам. Выращивание слоев для наноструктурных приборов; Известия вузов. Физика; Т. 46, № 6
von: Нишизава Дж.-И.
Veröffentlicht: (2003) -
Особенности фотопроводимости компенсированного i-GaAs в области спектра hv>E[ g]; Известия вузов. Физика; Т. 46, № 4
Veröffentlicht: (2003)