Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ) Физико-технический институт (ФТИ) Кафедра теоретической и экспериментальной физики (ТиЭФ), Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ) Физико-технический институт (ФТИ) Кафедра высшей математики и математической физики (ВММФ), Abdrachitov S. V. Sergey Vladimirovich, Bogdanov O. V. Oleg Viktorovich, Dabagov S. B., Pivovarov Yu. L. Yuriy Leonidovich, & Tukhfatullin T. A. Timur Ahatovich. (2013). Total Yield of Channeling Radiation from Relativistic Electrons in Thin Si and W Crystals; Charged and Neutral Particles Channeling Phenomena. Channeling 2012. 2013.
Chicago Style (17th ed.) CitationНациональный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ) Физико-технический институт (ФТИ) Кафедра теоретической и экспериментальной физики (ТиЭФ), Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ) Физико-технический институт (ФТИ) Кафедра высшей математики и математической физики (ВММФ), Abdrachitov S. V. Sergey Vladimirovich, Bogdanov O. V. Oleg Viktorovich, Dabagov S. B., Pivovarov Yu. L. Yuriy Leonidovich, and Tukhfatullin T. A. Timur Ahatovich. Total Yield of Channeling Radiation from Relativistic Electrons in Thin Si and W Crystals; Charged and Neutral Particles Channeling Phenomena. Channeling 2012. 2013, 2013.
MLA citiranjeНациональный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ) Физико-технический институт (ФТИ) Кафедра теоретической и экспериментальной физики (ТиЭФ), et al. Total Yield of Channeling Radiation from Relativistic Electrons in Thin Si and W Crystals; Charged and Neutral Particles Channeling Phenomena. Channeling 2012. 2013, 2013.