Расчет ширины спектральной линии прямого экситона в полупроводнике с непрямой запрещенной зоной

Bibliographic Details
Main Author:	Обухов С. В. Сергей Владимирович
Corporate Author:	"Известия вузов. Физика", журнал (570)
Other Authors:	Тютерев В. Г.
Summary:	Деп. в ВИНИТИ РАН 24.08.2011, № 391-В2011 Исследуется рассеяние на коротковолновых фононах в ультратонких сверхрешетках (AlAs)n(GaAs)m (n, m=1, 2, 3) с ориентацией гетерограницы (001). Электронные состояния изучены методом псевдопотенциала, колебательный спектр рассчитан методом сильной связи. Размерное квантование приводит к сложному многодолинному устройству зоны проводимости и увеличению числа фононных ветвей. В зоне проводимости сверхрешеток возникают долины (Г1, Г3, M5 X3, X1) с близкими энергиями. Наиболее интенсивное рассеяние между этими долинами происходит с участием фононов с симметрией М5 X1, X3. Показано, что смешивание состояний сфалеритных L долин тетрагональной компонентой потенциала играет в междолинном рассеяние для сверхрешеток более существенную роль, чем смешивание Г и Х состояний. В целом рассеяние в сверхрешетках более интенсивно, что в твердых растворах, причем у аналогов Г-L, Г-Х и L-L переходов зависимость от состава носит немонотонный характер. Как показывает анализ распределения электронной плотности, это непосредственно связано с эффектами размерного квантования, приводящими к локализации волновой функции в пределах достаточно глубоких Г и L квантовых ям. Найденные потенциалы позволяют получить более точное описание транспортных свойств структур GaAs/AlAs(001) с учетом двух основных механизмов рассеяния электронов-на гетерограницах и фононах. В фонде НТБ ТПУ отсутствует
Language:	Russian
Published:	Томск, 2011
Subjects:	труды учёных ТПУ депонированные рукописи
Format:	Book
KOHA link:	https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=601957