Расчет ширины спектральной линии прямого экситона в полупроводнике с непрямой запрещенной зоной

Bibliographische Detailangaben
1. Verfasser: Обухов С. В. Сергей Владимирович
Körperschaft: "Известия вузов. Физика", журнал (570)
Weitere Verfasser: Тютерев В. Г.
Zusammenfassung:Деп. в ВИНИТИ РАН 24.08.2011, № 391-В2011
Исследуется рассеяние на коротковолновых фононах в ультратонких сверхрешетках (AlAs)n(GaAs)m (n, m=1, 2, 3) с ориентацией гетерограницы (001). Электронные состояния изучены методом псевдопотенциала, колебательный спектр рассчитан методом сильной связи. Размерное квантование приводит к сложному многодолинному устройству зоны проводимости и увеличению числа фононных ветвей. В зоне проводимости сверхрешеток возникают долины (Г1, Г3, M5 X3, X1) с близкими энергиями. Наиболее интенсивное рассеяние между этими долинами происходит с участием фононов с симметрией М5 X1, X3. Показано, что смешивание состояний сфалеритных L долин тетрагональной компонентой потенциала играет в междолинном рассеяние для сверхрешеток более существенную роль, чем смешивание Г и Х состояний. В целом рассеяние в сверхрешетках более интенсивно, что в твердых растворах, причем у аналогов Г-L, Г-Х и L-L переходов зависимость от состава носит немонотонный характер. Как показывает анализ распределения электронной плотности, это непосредственно связано с эффектами размерного квантования, приводящими к локализации волновой функции в пределах достаточно глубоких Г и L квантовых ям. Найденные потенциалы позволяют получить более точное описание транспортных свойств структур GaAs/AlAs(001) с учетом двух основных механизмов рассеяния электронов-на гетерограницах и фононах.
В фонде НТБ ТПУ отсутствует
Sprache:Russisch
Veröffentlicht: Томск, 2011
Schlagworte:
Format: Buch
KOHA link:https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=601957

MARC

LEADER 00000nam0a2200000 4500
001 601957
005 20231214133541.0
029 0 0 |a RU  |b 391-В2011  |f ВИНИТИ 
035 |a (RuTPU)RU\TPU\tpu\27145 
035 |a RU\TPU\tpu\26868 
090 |a 601957 
100 |a 20150422j20110824k y0rusy50 ca 
101 0 |a rus 
102 |a RU 
105 |a y z 000zy 
200 1 |a Расчет ширины спектральной линии прямого экситона в полупроводнике с непрямой запрещенной зоной  |f С. В. Обухов, В. Г. Тютерев  |g ред. журн. "Известия вузов. Физика" 
210 |a Томск  |d 2011 
215 |a 20 с.  |c ил. 
300 |a Деп. в ВИНИТИ РАН 24.08.2011, № 391-В2011 
320 |a Библиогр.: 17 назв. 
330 |a Исследуется рассеяние на коротковолновых фононах в ультратонких сверхрешетках (AlAs)n(GaAs)m (n, m=1, 2, 3) с ориентацией гетерограницы (001). Электронные состояния изучены методом псевдопотенциала, колебательный спектр рассчитан методом сильной связи. Размерное квантование приводит к сложному многодолинному устройству зоны проводимости и увеличению числа фононных ветвей. В зоне проводимости сверхрешеток возникают долины (Г1, Г3, M5 X3, X1) с близкими энергиями. Наиболее интенсивное рассеяние между этими долинами происходит с участием фононов с симметрией М5 X1, X3. Показано, что смешивание состояний сфалеритных L долин тетрагональной компонентой потенциала играет в междолинном рассеяние для сверхрешеток более существенную роль, чем смешивание Г и Х состояний. В целом рассеяние в сверхрешетках более интенсивно, что в твердых растворах, причем у аналогов Г-L, Г-Х и L-L переходов зависимость от состава носит немонотонный характер. Как показывает анализ распределения электронной плотности, это непосредственно связано с эффектами размерного квантования, приводящими к локализации волновой функции в пределах достаточно глубоких Г и L квантовых ям. Найденные потенциалы позволяют получить более точное описание транспортных свойств структур GaAs/AlAs(001) с учетом двух основных механизмов рассеяния электронов-на гетерограницах и фононах. 
333 |a В фонде НТБ ТПУ отсутствует 
610 1 |a труды учёных ТПУ 
610 1 |a депонированные рукописи 
700 1 |a Обухов  |b С. В.  |c физик  |c доцент Томского политехнического университета, кандидат физико-математических наук  |f 1984-  |g Сергей Владимирович  |3 (RuTPU)RU\TPU\pers\34192  |9 17726 
701 1 |a Тютерев  |b В. Г. 
712 0 2 |a "Известия вузов. Физика", журнал  |c Томск  |4 570 
801 1 |a RU  |b 63413507  |c 20120220 
801 2 |a RU  |b 63413507  |c 20150422  |g RCR 
942 |c BK