Диагностика радиационной стойкости светодиодов с наноразмерными квантовыми ямами на основе гетероструктур AlGaInP

Диагностика радиационной стойкости светодиодов с наноразмерными квантовыми ямами на основе гетероструктур AlGaInP

التفاصيل البيبلوغرافية
Parent link:	Студент и научно-технический прогресс: сборник научных работ финалистов Международного молодежного конкурса/ Южный федеральный университет (ЮФУ) [и др.]. С. 71-74.— , 2012
المؤلف الرئيسي:	Орлова К. Н. Ксения Николаевна
مؤلفون مشاركون:	Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ) Юргинский технологический институт (филиал) (ЮТИ) Кафедра естественного научного образования (ЕНО), Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ) Юргинский технологический институт (филиал) (ЮТИ) Кафедра безопасности жизнедеятельности, экологии и физического воспитания (БЖДЭФВ)
الملخص:	В фонде НТБ ТПУ отсутствует
منشور في:	2012
الموضوعات:	труды учёных ТПУ светодиоды радиационная стойкость диагностика квантовые ямы гетероструктуры AlGaInP
التنسيق:	فصل الكتاب
KOHA link:	https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=601917

مواد مشابهة

Основные способы увеличения мощности излучения светодиодов AlGaInP с квантовыми ямами
حسب: Орлова К. Н. Ксения Николаевна
منشور في: (2012)

Радиационная стойкость гетероструктур AlGaInP (λ = 630 нм) с множественными квантовыми ямами
حسب: Орлова К. Н. Ксения Николаевна
منشور في: (2014)

Исследование изменения электрофизических характеристик светодиодов на основе гетероструктур AlGaInP (λ=624 нм) с множественными квантовыми ямами при воздействии быстрых нейтронов
حسب: Орлова К. Н. Ксения Николаевна
منشور في: (2016)

Исследование гетероструктур AlGaInP при облучении гамма-квантами в области перестройки дефектной структуры
منشور في: (2013)

Радиационная модель светодиодов на основе гетероструктур AlGaInP
حسب: Градобоев А. В. Александр Васильевич
منشور في: (2012)

Способы увеличения мощности излучения светодиодов на основе гетероструктур AlGaInP
حسب: Орлова К. Н. Ксения Николаевна
منشور في: (2012)

Изменение вольт-амперных характеристик светодиодов на основе гетероструктур AlGaInP красного и желтого цвета свечения при облучении гамма-квантами и быстрыми нейтронами
حسب: Градобоев А. В. Александр Васильевич
منشور في: (2013)

Исследование деградации мощности излучения гетероструктур AlGaInP красного и желтого цвета свечения при облучении гамма-квантами
حسب: Градобоев А. В. Александр Васильевич
منشور في: (2013)

Phenomenological Model of Radiation Hardness of LEDs Based on AlGaInP Heterostructures with Multiple Quantum Wells
حسب: Gradoboev A. V. Aleksandr Vasilyevich
منشور في: (2019)

Resistance of LEDs Based on AlGaInP Heterostructures to Irradiation by Fast Neutrons
حسب: Gradoboev A. V. Aleksandr Vasilyevich
منشور في: (2013)

Gamma degradation of light-emitting diodes based on heterostructured AlGaInP
حسب: Orlova K. N. Kseniya Nikolaevna
منشور في: (2012)

Investigation of AlGaInP heterostructures under gamma-irradiation in the field of restructuring defect structure
حسب: Gradoboev A. V. Aleksandr Vasilyevich
منشور في: (2015)

Технологии получения гетероструктур AlGaInP
حسب: Орлова К. Н. Ксения Николаевна
منشور في: (2012)

Radiation Model of Light Emitting Diode Based on AlGaInP Heterostructures with Multiple Quantum Wells
حسب: Gradoboev A. V. Aleksandr Vasilyevich
منشور في: (2014)

Analysis of the Use of Reflectors and Reflective Surfaces for Increasing the Light Efficiency of LEDs Based on AlGaInP Heterostructures
حسب: Gradoboev A. V. Aleksandr Vasilyevich
منشور في: (2019)

Деградация параметров гетероструктур AlGaInP при облучении быстрыми нейтронами и гамма-квантами
حسب: Градобоев А. В. Александр Васильевич
منشور في: (2013)

Деградация светодиодов на основе AlGaInP при облучении быстрыми нейтронами
حسب: Орлова К. Н. Ксения Николаевна
منشور في: (2011)

Change in radiating power of the AlGaInP heterostructures under irradiation by fast neutrons
حسب: Orlova K. N. Kseniya Nikolaevna
منشور في: (2014)

Радиационная стойкость гетероструктур AlGaInP с множественными квантовыми ямами автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук спец. 01.04.07
حسب: Орлова К. Н. Ксения Николаевна
منشور في: (Томск, 2013)

Радиационная стойкость гетероструктур AlGaInP с множественными квантовыми ямами диссертация на соискание ученой степени кандидата технических наук спец. 01.04.07
حسب: Орлова К. Н. Ксения Николаевна
منشور في: (Томск, 2013)

Радиационная стойкость гетероструктур AlGaInP с множественными квантовыми ямами автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук спец. 01.04.07
حسب: Орлова К. Н. Ксения Николаевна
منشور في: (Томск, 2013)

Облучение гамма-квантами 60Co светодиодов на основе гетероструктур AlGaInP множественными квантовыми ямами
حسب: Градобоев А. В. Александр Васильевич
منشور في: (2013)

Эпитаксиальные методы получения наноразмерных гетероструктур InGaAlP
حسب: Орлова К. Н. Ксения Николаевна
منشور في: (2012)

Investigation of Changing Volt-Ampere Characteristics of AlGaInP Heterostructures with Multiple Quantum Wells under Ionizing Radiation
حسب: Gradoboev A. V. Aleksandr Vasilyevich
منشور في: (2016)

LEDs based upon AlGaInP heterostructures with multiple quantum wells: comparison of fast neutrons and gammaquanta irradiation
حسب: Gradoboev A. V. Aleksandr Vasilyevich
منشور في: (2018)

Контроль проявления дислокаций при воздействии ионизирующего излучения
منشور في: (2019)

Исследование стойкости светодиодов на основе гетероструктур AlGaAs к воздействию нейтронного излучения
حسب: Жамалдинов Ф. Ф.
منشور في: (2022)

Деградация светодиодов на основе гетероструктур InGaN/GaN при облучении гамма-квантами
حسب: Градобоев А. В. Александр Васильевич
منشور في: (2011)

Deterioration of Watt and Voltage Characteristics of AlGaInP Heterostructures under Irradiation by Fast Neutrons
حسب: Gradoboev A. V. Aleksandr Vasilyevich
منشور في: (2016)

Исследование оптических свойств светодиодов на основе гетероструктур из широкозонных полупроводников
حسب: Бактыбаев А. А.
منشور في: (2016)

Transition in AlGaInP heterostructures with multiple quantum wells during fast neutron radiation
حسب: Gradoboev A. V. Aleksandr Vasilyevich
منشور في: (2015)

Фотолюминесцентные свойства гетероструктур на основе CdxHg1-xTe с потенциальными и квантовыми ямами, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук спец. 01.04.10
حسب: Горн Д. И. Дмитрий Игоревич
منشور في: (Томск, 2012)

Influence of preliminary irradiation by qamma-quanta on dvelopment of catastrofic failures during operation of IR-LEDs
حسب: Gradoboev A. V. Aleksandr Vasilyevich
منشور في: (2016)

Стимулированная люминесценция светодиодных гетероструктур при возбуждении сильноточным электронным пучком
حسب: Цзысюань Ли
منشور في: (2023)

Luminescent diagnostics of led heterostructures based on InGaN/GaN
منشور في: (2016)

Анализ граничных условий для огибающих функций в гетероструктурах GaN/InGaN(0001)
حسب: Караваев Г. Ф. Геннадий Федорович
منشور في: (2012)

Радиационная стойкость гетероструктур AlGaAs для светодиодов ИК-диапазона диссертация на соискание ученой степени кандидата технических наук спец. 01.04.07
حسب: Рубанов П. В. Павел Владимирович
منشور في: (Томск, 2012)

Радиационная стойкость гетероструктур AlGaAs для светодиодов ИК-диапазона автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук спец. 01.04.07
حسب: Рубанов П. В. Павел Владимирович
منشور في: (Томск, 2012)

Spectral Characteristics of Photoluminescence Synthesized in the Field of Radiation YAGG Phosphors with Different Al/Ga Ratio
منشور في: (2024)

Радиационная стойкость гетероструктур AlGaAs для светодиодов ИК-диапазона автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук спец. 01.04.07
حسب: Рубанов П. В. Павел Владимирович
منشور في: (Томск, 2012)