Диагностика радиационной стойкости светодиодов с наноразмерными квантовыми ямами на основе гетероструктур AlGaInP; Студент и научно-технический прогресс
| Parent link: | Студент и научно-технический прогресс.— 2012.— С. 71-74 |
|---|---|
| প্রধান লেখক: | |
| সংস্থা লেখক: | , |
| সংক্ষিপ্ত: | В фонде НТБ ТПУ отсутствует |
| ভাষা: | রুশ |
| প্রকাশিত: |
2012
|
| বিষয়গুলি: | |
| বিন্যাস: | গ্রন্থের অধ্যায় |
| KOHA link: | https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=601917 |
অনুরূপ উপাদানগুলি
Исследование изменения электрофизических характеристик светодиодов на основе гетероструктур AlGaInP (λ=624 нм) с множественными квантовыми ямами при воздействии быстрых нейтронов; Журнал радиоэлектроники; № 10
অনুযায়ী: Орлова К. Н. Ксения Николаевна
প্রকাশিত: (2016)
অনুযায়ী: Орлова К. Н. Ксения Николаевна
প্রকাশিত: (2016)
Основные способы увеличения мощности излучения светодиодов AlGaInP с квантовыми ямами; Радиоэлектроника и молодежь в ХХІ веке; Т. 1
অনুযায়ী: Орлова К. Н. Ксения Николаевна
প্রকাশিত: (2012)
অনুযায়ী: Орлова К. Н. Ксения Николаевна
প্রকাশিত: (2012)
Радиационная стойкость гетероструктур AlGaInP (λ = 630 нм) с множественными квантовыми ямами; Известия вузов. Физика; Т. 57, № 2-2
অনুযায়ী: Орлова К. Н. Ксения Николаевна
প্রকাশিত: (2014)
অনুযায়ী: Орлова К. Н. Ксения Николаевна
প্রকাশিত: (2014)
Исследование гетероструктур AlGaInP при облучении гамма-квантами в области перестройки дефектной структуры; Известия вузов. Физика; Т. 56, № 11-3
প্রকাশিত: (2013)
প্রকাশিত: (2013)
Способы увеличения мощности излучения светодиодов на основе гетероструктур AlGaInP; Приволжский научный вестник; № 10 (14)
অনুযায়ী: Орлова К. Н. Ксения Николаевна
প্রকাশিত: (2012)
অনুযায়ী: Орлова К. Н. Ксения Николаевна
প্রকাশিত: (2012)
Изменение вольт-амперных характеристик светодиодов на основе гетероструктур AlGaInP красного и желтого цвета свечения при облучении гамма-квантами и быстрыми нейтронами; Журнал радиоэлектроники; № 10
অনুযায়ী: Градобоев А. В. Александр Васильевич
প্রকাশিত: (2013)
অনুযায়ী: Градобоев А. В. Александр Васильевич
প্রকাশিত: (2013)
Радиационная модель светодиодов на основе гетероструктур AlGaInP; I; Облучение гамма-квантами 60Со; Радиационная физика твердого тела
অনুযায়ী: Градобоев А. В. Александр Васильевич
প্রকাশিত: (2012)
অনুযায়ী: Градобоев А. В. Александр Васильевич
প্রকাশিত: (2012)
Исследование деградации мощности излучения гетероструктур AlGaInP красного и желтого цвета свечения при облучении гамма-квантами; Журнал радиоэлектроники; № 4
অনুযায়ী: Градобоев А. В. Александр Васильевич
প্রকাশিত: (2013)
অনুযায়ী: Градобоев А. В. Александр Васильевич
প্রকাশিত: (2013)
Resistance of LEDs Based on AlGaInP Heterostructures to Irradiation by Fast Neutrons; Journal of Chemistry and Chemical Engineering; Vol. 7, № 5
অনুযায়ী: Gradoboev A. V. Aleksandr Vasilyevich
প্রকাশিত: (2013)
অনুযায়ী: Gradoboev A. V. Aleksandr Vasilyevich
প্রকাশিত: (2013)
Phenomenological Model of Radiation Hardness of LEDs Based on AlGaInP Heterostructures with Multiple Quantum Wells; Materials Science Forum; Vol. 970 : Modern Problems in Materials Processing, Manufacturing, Testing and Quality Assurance II
অনুযায়ী: Gradoboev A. V. Aleksandr Vasilyevich
প্রকাশিত: (2019)
অনুযায়ী: Gradoboev A. V. Aleksandr Vasilyevich
প্রকাশিত: (2019)
Gamma degradation of light-emitting diodes based on heterostructured AlGaInP; The 7th International Forum on Strategic Technology (IFOST-2012), September 18-21, 2012, Tomsk
অনুযায়ী: Orlova K. N. Kseniya Nikolaevna
প্রকাশিত: (2012)
অনুযায়ী: Orlova K. N. Kseniya Nikolaevna
প্রকাশিত: (2012)
Investigation of AlGaInP heterostructures under gamma-irradiation in the field of restructuring defect structure; Physica Status Solidi (C) Current Topics in Solid State Physics; № 1-2
অনুযায়ী: Gradoboev A. V. Aleksandr Vasilyevich
প্রকাশিত: (2015)
অনুযায়ী: Gradoboev A. V. Aleksandr Vasilyevich
প্রকাশিত: (2015)
Radiation Model of Light Emitting Diode Based on AlGaInP Heterostructures with Multiple Quantum Wells; Advanced Materials Research; Vol. 880 : Prospects of Fundamental Sciences Development (PFSD-2013)
অনুযায়ী: Gradoboev A. V. Aleksandr Vasilyevich
প্রকাশিত: (2014)
অনুযায়ী: Gradoboev A. V. Aleksandr Vasilyevich
প্রকাশিত: (2014)
Технологии получения гетероструктур AlGaInP; Инновации в машиностроении
অনুযায়ী: Орлова К. Н. Ксения Николаевна
প্রকাশিত: (2012)
অনুযায়ী: Орлова К. Н. Ксения Николаевна
প্রকাশিত: (2012)
Analysis of the Use of Reflectors and Reflective Surfaces for Increasing the Light Efficiency of LEDs Based on AlGaInP Heterostructures; Materials Science Forum; Vol. 942 : Modern Problems in Materials Processing, Manufacturing, Testing and Quality Assurance
অনুযায়ী: Gradoboev A. V. Aleksandr Vasilyevich
প্রকাশিত: (2019)
অনুযায়ী: Gradoboev A. V. Aleksandr Vasilyevich
প্রকাশিত: (2019)
Деградация параметров гетероструктур AlGaInP при облучении быстрыми нейтронами и гамма-квантами; Вопросы атомной науки и техники. Серия: Физика радиационного воздействия на радиоэлектронную аппаратуру; № 2
অনুযায়ী: Градобоев А. В. Александр Васильевич
প্রকাশিত: (2013)
অনুযায়ী: Градобоев А. В. Александр Васильевич
প্রকাশিত: (2013)
Деградация светодиодов на основе AlGaInP при облучении быстрыми нейтронами; Проблемы фундаментальных и прикладных естественных и технических наук в современном информационном обществе. Общая и прикладная физика
অনুযায়ী: Орлова К. Н. Ксения Николаевна
প্রকাশিত: (2011)
অনুযায়ী: Орлова К. Н. Ксения Николаевна
প্রকাশিত: (2011)
Change in radiating power of the AlGaInP heterostructures under irradiation by fast neutrons; Microwave & Telecommunication Technology (CriMiCo)
অনুযায়ী: Orlova K. N. Kseniya Nikolaevna
প্রকাশিত: (2014)
অনুযায়ী: Orlova K. N. Kseniya Nikolaevna
প্রকাশিত: (2014)
Облучение гамма-квантами 60Co светодиодов на основе гетероструктур AlGaInP множественными квантовыми ямами; Перспективные материалы; № 7
অনুযায়ী: Градобоев А. В. Александр Васильевич
প্রকাশিত: (2013)
অনুযায়ী: Градобоев А. В. Александр Васильевич
প্রকাশিত: (2013)
Радиационная стойкость гетероструктур AlGaInP с множественными квантовыми ямами: диссертация на соискание ученой степени кандидата технических наук; спец. 01.04.07
অনুযায়ী: Орлова К. Н. Ксения Николаевна
প্রকাশিত: (Томск, 2013)
অনুযায়ী: Орлова К. Н. Ксения Николаевна
প্রকাশিত: (Томск, 2013)
Радиационная стойкость гетероструктур AlGaInP с множественными квантовыми ямами: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук; спец. 01.04.07
অনুযায়ী: Орлова К. Н. Ксения Николаевна
প্রকাশিত: (Томск, 2013)
অনুযায়ী: Орлова К. Н. Ксения Николаевна
প্রকাশিত: (Томск, 2013)
Радиационная стойкость гетероструктур AlGaInP с множественными квантовыми ямами: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук; спец. 01.04.07
অনুযায়ী: Орлова К. Н. Ксения Николаевна
প্রকাশিত: (Томск, 2013)
অনুযায়ী: Орлова К. Н. Ксения Николаевна
প্রকাশিত: (Томск, 2013)
Эпитаксиальные методы получения наноразмерных гетероструктур InGaAlP; Актуальные проблемы биохимии и бионанотехнологии; Т. 2
অনুযায়ী: Орлова К. Н. Ксения Николаевна
প্রকাশিত: (2012)
অনুযায়ী: Орлова К. Н. Ксения Николаевна
প্রকাশিত: (2012)
Контроль проявления дислокаций при воздействии ионизирующего излучения; Информационные технологии (IT) в контроле, управлении качеством и безопасности
প্রকাশিত: (2019)
প্রকাশিত: (2019)
Investigation of Changing Volt-Ampere Characteristics of AlGaInP Heterostructures with Multiple Quantum Wells under Ionizing Radiation; IOP Conference Series: Materials Science and Engineering; Vol. 110 : Radiation-Thermal Effects and Processes in Inorganic Materials (RTEP2015)
অনুযায়ী: Gradoboev A. V. Aleksandr Vasilyevich
প্রকাশিত: (2016)
অনুযায়ী: Gradoboev A. V. Aleksandr Vasilyevich
প্রকাশিত: (2016)
LEDs based upon AlGaInP heterostructures with multiple quantum wells: comparison of fast neutrons and gammaquanta irradiation; IOP Conference Series: Materials Science and Engineering; Vol. 363 : Cognitive Robotics
অনুযায়ী: Gradoboev A. V. Aleksandr Vasilyevich
প্রকাশিত: (2018)
অনুযায়ী: Gradoboev A. V. Aleksandr Vasilyevich
প্রকাশিত: (2018)
Исследование стойкости светодиодов на основе гетероструктур AlGaAs к воздействию нейтронного излучения; Физико-технические проблемы в науке, промышленности и медицине
অনুযায়ী: Жамалдинов Ф. Ф.
প্রকাশিত: (2022)
অনুযায়ী: Жамалдинов Ф. Ф.
প্রকাশিত: (2022)
Исследование оптических свойств светодиодов на основе гетероструктур из широкозонных полупроводников; Высокие технологии в современной науке и технике (ВТСНТ-2016)
অনুযায়ী: Бактыбаев А. А.
প্রকাশিত: (2016)
অনুযায়ী: Бактыбаев А. А.
প্রকাশিত: (2016)
Фотолюминесцентные свойства гетероструктур на основе CdxHg1-xTe с потенциальными и квантовыми ямами, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; спец. 01.04.10
অনুযায়ী: Горн Д. И. Дмитрий Игоревич
প্রকাশিত: (Томск, 2012)
অনুযায়ী: Горн Д. И. Дмитрий Игоревич
প্রকাশিত: (Томск, 2012)
Деградация светодиодов на основе гетероструктур InGaN/GaN при облучении гамма-квантами; Известия вузов. Физика; Т. 54, № 1/2 : Радиационно-термические эффекты и процессы в неорганических материалах
অনুযায়ী: Градобоев А. В. Александр Васильевич
প্রকাশিত: (2011)
অনুযায়ী: Градобоев А. В. Александр Васильевич
প্রকাশিত: (2011)
Influence of preliminary irradiation by qamma-quanta on dvelopment of catastrofic failures during operation of IR-LEDs; Energy Fluxes and Radiation Effects (EFRE-2016)
অনুযায়ী: Gradoboev A. V. Aleksandr Vasilyevich
প্রকাশিত: (2016)
অনুযায়ী: Gradoboev A. V. Aleksandr Vasilyevich
প্রকাশিত: (2016)
Deterioration of Watt and Voltage Characteristics of AlGaInP Heterostructures under Irradiation by Fast Neutrons; IOP Conference Series: Materials Science and Engineering; Vol. 110 : Radiation-Thermal Effects and Processes in Inorganic Materials (RTEP2015)
অনুযায়ী: Gradoboev A. V. Aleksandr Vasilyevich
প্রকাশিত: (2016)
অনুযায়ী: Gradoboev A. V. Aleksandr Vasilyevich
প্রকাশিত: (2016)
Стимулированная люминесценция светодиодных гетероструктур при возбуждении сильноточным электронным пучком; Перспективы развития фундаментальных наук; Т. 1 : Физика
অনুযায়ী: Цзысюань Ли
প্রকাশিত: (2023)
অনুযায়ী: Цзысюань Ли
প্রকাশিত: (2023)
Luminescent diagnostics of led heterostructures based on InGaN/GaN; Energy Fluxes and Radiation Effects (EFRE-2016)
প্রকাশিত: (2016)
প্রকাশিত: (2016)
Transition in AlGaInP heterostructures with multiple quantum wells during fast neutron radiation; IOP Conference Series: Materials Science and Engineering; Vol. 81 : Radiation-Thermal Effects and Processes in Inorganic Materials
অনুযায়ী: Gradoboev A. V. Aleksandr Vasilyevich
প্রকাশিত: (2015)
অনুযায়ী: Gradoboev A. V. Aleksandr Vasilyevich
প্রকাশিত: (2015)
Анализ граничных условий для огибающих функций в гетероструктурах GaN/InGaN(0001); Известия вузов. Физика; Т. 55, № 7
অনুযায়ী: Караваев Г. Ф. Геннадий Федорович
প্রকাশিত: (2012)
অনুযায়ী: Караваев Г. Ф. Геннадий Федорович
প্রকাশিত: (2012)
Spectral Characteristics of Photoluminescence Synthesized in the Field of Radiation YAGG Phosphors with Different Al/Ga Ratio; Вестник Карагандинского университета. Серия Физика; № 4 (116)
প্রকাশিত: (2024)
প্রকাশিত: (2024)
Радиационная стойкость гетероструктур AlGaAs для светодиодов ИК-диапазона: диссертация на соискание ученой степени кандидата технических наук; спец. 01.04.07
অনুযায়ী: Рубанов П. В. Павел Владимирович
প্রকাশিত: (Томск, 2012)
অনুযায়ী: Рубанов П. В. Павел Владимирович
প্রকাশিত: (Томск, 2012)
Светодиоды на основе гетероструктур AlGaAs: действие гамма-излучения и эксплуатационных факторов; IX Школа-конференция молодых атомщиков Сибири
অনুযায়ী: Симонова А. В.
প্রকাশিত: (2018)
অনুযায়ী: Симонова А. В.
প্রকাশিত: (2018)
Радиационная стойкость гетероструктур AlGaAs для светодиодов ИК-диапазона: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук; спец. 01.04.07
অনুযায়ী: Рубанов П. В. Павел Владимирович
প্রকাশিত: (Томск, 2012)
অনুযায়ী: Рубанов П. В. Павел Владимирович
প্রকাশিত: (Томск, 2012)