Радиационная модель светодиодов на основе гетероструктур AlGaInP; I; Облучение гамма-квантами 60Со; Радиационная физика твердого тела

Радиационная модель светодиодов на основе гетероструктур AlGaInP; I; Облучение гамма-квантами 60Со; Радиационная физика твердого тела

Dettagli Bibliografici
Parent link:	Радиационная физика твердого тела.— 2012.— С. 510-516
Autore principale:	Градобоев А. В. Александр Васильевич
Enti autori:	Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ) Юргинский технологический институт (филиал) (ЮТИ) Кафедра естественного научного образования (ЕНО), Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ) Юргинский технологический институт (филиал) (ЮТИ) Кафедра безопасности жизнедеятельности, экологии и физического воспитания (БЖДЭФВ)
Altri autori:	Орлова К. Н. Ксения Николаевна, Асанов И. А.
Riassunto:	В фонде НТБ ТПУ отсутствует
Lingua:	russo
Pubblicazione:	2012
Soggetti:	труды учёных ТПУ светодиоды радиационная стойкость гетероструктуры AlGaInP гамма-кванты облучение
Natura:	Capitolo di libro
KOHA link:	https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=601910

Documenti analoghi

Исследование гетероструктур AlGaInP при облучении гамма-квантами в области перестройки дефектной структуры; Известия вузов. Физика; Т. 56, № 11-3
Pubblicazione: (2013)

Изменение вольт-амперных характеристик светодиодов на основе гетероструктур AlGaInP красного и желтого цвета свечения при облучении гамма-квантами и быстрыми нейтронами; Журнал радиоэлектроники; № 10
di: Градобоев А. В. Александр Васильевич
Pubblicazione: (2013)

Исследование деградации мощности излучения гетероструктур AlGaInP красного и желтого цвета свечения при облучении гамма-квантами; Журнал радиоэлектроники; № 4
di: Градобоев А. В. Александр Васильевич
Pubblicazione: (2013)

Деградация параметров гетероструктур AlGaInP при облучении быстрыми нейтронами и гамма-квантами; Вопросы атомной науки и техники. Серия: Физика радиационного воздействия на радиоэлектронную аппаратуру; № 2
di: Градобоев А. В. Александр Васильевич
Pubblicazione: (2013)

Способы увеличения мощности излучения светодиодов на основе гетероструктур AlGaInP; Приволжский научный вестник; № 10 (14)
di: Орлова К. Н. Ксения Николаевна
Pubblicazione: (2012)

Исследование изменения электрофизических характеристик светодиодов на основе гетероструктур AlGaInP (λ=624 нм) с множественными квантовыми ямами при воздействии быстрых нейтронов; Журнал радиоэлектроники; № 10
di: Орлова К. Н. Ксения Николаевна
Pubblicazione: (2016)

Диагностика радиационной стойкости светодиодов с наноразмерными квантовыми ямами на основе гетероструктур AlGaInP; Студент и научно-технический прогресс
di: Орлова К. Н. Ксения Николаевна
Pubblicazione: (2012)

Технологии получения гетероструктур AlGaInP; Инновации в машиностроении
di: Орлова К. Н. Ксения Николаевна
Pubblicazione: (2012)

Радиационная стойкость гетероструктур AlGaInP (λ = 630 нм) с множественными квантовыми ямами; Известия вузов. Физика; Т. 57, № 2-2
di: Орлова К. Н. Ксения Николаевна
Pubblicazione: (2014)

Analysis of the Use of Reflectors and Reflective Surfaces for Increasing the Light Efficiency of LEDs Based on AlGaInP Heterostructures; Materials Science Forum; Vol. 942 : Modern Problems in Materials Processing, Manufacturing, Testing and Quality Assurance
di: Gradoboev A. V. Aleksandr Vasilyevich
Pubblicazione: (2019)

Основные способы увеличения мощности излучения светодиодов AlGaInP с квантовыми ямами; Радиоэлектроника и молодежь в ХХІ веке; Т. 1
di: Орлова К. Н. Ксения Николаевна
Pubblicazione: (2012)

Resistance of LEDs Based on AlGaInP Heterostructures to Irradiation by Fast Neutrons; Journal of Chemistry and Chemical Engineering; Vol. 7, № 5
di: Gradoboev A. V. Aleksandr Vasilyevich
Pubblicazione: (2013)

Phenomenological Model of Radiation Hardness of LEDs Based on AlGaInP Heterostructures with Multiple Quantum Wells; Materials Science Forum; Vol. 970 : Modern Problems in Materials Processing, Manufacturing, Testing and Quality Assurance II
di: Gradoboev A. V. Aleksandr Vasilyevich
Pubblicazione: (2019)

Investigation of AlGaInP heterostructures under gamma-irradiation in the field of restructuring defect structure; Physica Status Solidi (C) Current Topics in Solid State Physics; № 1-2
di: Gradoboev A. V. Aleksandr Vasilyevich
Pubblicazione: (2015)

Gamma degradation of light-emitting diodes based on heterostructured AlGaInP; The 7th International Forum on Strategic Technology (IFOST-2012), September 18-21, 2012, Tomsk
di: Orlova K. N. Kseniya Nikolaevna
Pubblicazione: (2012)

Radiation Model of Light Emitting Diode Based on AlGaInP Heterostructures with Multiple Quantum Wells; Advanced Materials Research; Vol. 880 : Prospects of Fundamental Sciences Development (PFSD-2013)
di: Gradoboev A. V. Aleksandr Vasilyevich
Pubblicazione: (2014)

Деградация светодиодов на основе AlGaInP при облучении быстрыми нейтронами; Проблемы фундаментальных и прикладных естественных и технических наук в современном информационном обществе. Общая и прикладная физика
di: Орлова К. Н. Ксения Николаевна
Pubblicazione: (2011)

Change in radiating power of the AlGaInP heterostructures under irradiation by fast neutrons; Microwave & Telecommunication Technology (CriMiCo)
di: Orlova K. N. Kseniya Nikolaevna
Pubblicazione: (2014)

Облучение гамма-квантами 60Co светодиодов на основе гетероструктур AlGaInP множественными квантовыми ямами; Перспективные материалы; № 7
di: Градобоев А. В. Александр Васильевич
Pubblicazione: (2013)

Эпитаксиальные методы получения наноразмерных гетероструктур InGaAlP; Актуальные проблемы биохимии и бионанотехнологии; Т. 2
di: Орлова К. Н. Ксения Николаевна
Pubblicazione: (2012)

Влияния температуры на стойкость светодиодов ИК-диапазона к облучению гамма-квантами 60Со; Вопросы атомной науки и техники. Серия: Физика радиационного воздействия на радиоэлектронную аппаратуру; № 1
di: Градобоев А. В. Александр Васильевич
Pubblicazione: (2016)

Радиационная стойкость гетероструктур AlGaInP с множественными квантовыми ямами: диссертация на соискание ученой степени кандидата технических наук; спец. 01.04.07
di: Орлова К. Н. Ксения Николаевна
Pubblicazione: (Томск, 2013)

Радиационная стойкость гетероструктур AlGaInP с множественными квантовыми ямами: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук; спец. 01.04.07
di: Орлова К. Н. Ксения Николаевна
Pubblicazione: (Томск, 2013)

Радиационная стойкость гетероструктур AlGaInP с множественными квантовыми ямами: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук; спец. 01.04.07
di: Орлова К. Н. Ксения Николаевна
Pubblicazione: (Томск, 2013)

Радиационная стойкость гетероструктур AlGaAs для светодиодов ИК-диапазона: диссертация на соискание ученой степени кандидата технических наук; спец. 01.04.07
di: Рубанов П. В. Павел Владимирович
Pubblicazione: (Томск, 2012)

Influence of preliminary irradiation by qamma-quanta on dvelopment of catastrofic failures during operation of IR-LEDs; Energy Fluxes and Radiation Effects (EFRE-2016)
di: Gradoboev A. V. Aleksandr Vasilyevich
Pubblicazione: (2016)

Радиационная стойкость гетероструктур AlGaAs для светодиодов ИК-диапазона: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук; спец. 01.04.07
di: Рубанов П. В. Павел Владимирович
Pubblicazione: (Томск, 2012)

Деградация светодиодов на основе гетероструктур InGaN/GaN при облучении гамма-квантами; Известия вузов. Физика; Т. 54, № 1/2 : Радиационно-термические эффекты и процессы в неорганических материалах
di: Градобоев А. В. Александр Васильевич
Pubblicazione: (2011)

Радиационная стойкость гетероструктур AlGaAs для светодиодов ИК-диапазона: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук; спец. 01.04.07
di: Рубанов П. В. Павел Владимирович
Pubblicazione: (Томск, 2012)

LEDs based upon AlGaInP heterostructures with multiple quantum wells: comparison of fast neutrons and gammaquanta irradiation; IOP Conference Series: Materials Science and Engineering; Vol. 363 : Cognitive Robotics
di: Gradoboev A. V. Aleksandr Vasilyevich
Pubblicazione: (2018)

Контроль проявления дислокаций при воздействии ионизирующего излучения; Информационные технологии (IT) в контроле, управлении качеством и безопасности
Pubblicazione: (2019)

Changing the Shape of Watt-Ampere Characteristic of LEDs Based upon GaP ([lambda]=590 nm) Irradiated by Gamma-Quanta; Materials Science Forum; Vol. 970 : Modern Problems in Materials Processing, Manufacturing, Testing and Quality Assurance II
di: Gradoboev A. V. Aleksandr Vasilyevich
Pubblicazione: (2019)

Исследование стойкости светодиодов на основе гетероструктур AlGaAs к воздействию нейтронного излучения; Физико-технические проблемы в науке, промышленности и медицине
di: Жамалдинов Ф. Ф.
Pubblicazione: (2022)

Радиационно-стимулированный отжиг гамма-квантами светодиодов на основе гетероструктуры ALGAAS, подвергнутых воздействию быстрых нейтронов; Интеграция науки, образования и производства – основа реализации Плана нации (Сагиновские чтения №12); Ч. 1
di: Терниевская А. В. Анастасия Витальевна
Pubblicazione: (2020)

Светодиоды на основе гетероструктур AlGaAs: действие гамма-излучения и эксплуатационных факторов; IX Школа-конференция молодых атомщиков Сибири
di: Симонова А. В.
Pubblicazione: (2018)

Стимулированная люминесценция светодиодных гетероструктур при возбуждении сильноточным электронным пучком; Перспективы развития фундаментальных наук; Т. 1 : Физика
di: Цзысюань Ли
Pubblicazione: (2023)

Luminescent diagnostics of led heterostructures based on InGaN/GaN; Energy Fluxes and Radiation Effects (EFRE-2016)
Pubblicazione: (2016)

Investigation of Changing Volt-Ampere Characteristics of AlGaInP Heterostructures with Multiple Quantum Wells under Ionizing Radiation; IOP Conference Series: Materials Science and Engineering; Vol. 110 : Radiation-Thermal Effects and Processes in Inorganic Materials (RTEP2015)
di: Gradoboev A. V. Aleksandr Vasilyevich
Pubblicazione: (2016)

Spectral Characteristics of Photoluminescence Synthesized in the Field of Radiation YAGG Phosphors with Different Al/Ga Ratio; Вестник Карагандинского университета. Серия Физика; № 4 (116)
Pubblicazione: (2024)

Люминесцентный контроль светодиодных гетероструктур, выращенных методом металлоорганической газофазной эпитаксии на сапфире; Energy Fluxes and Radiation Effects (EFRE); Radiation Physics and Chemistry of Condensed Matter
di: Ли Цзысюань
Pubblicazione: (2022)