Основные способы увеличения мощности излучения светодиодов AlGaInP с квантовыми ямами; Радиоэлектроника и молодежь в ХХІ веке; Т. 1

Основные способы увеличения мощности излучения светодиодов AlGaInP с квантовыми ямами; Радиоэлектроника и молодежь в ХХІ веке; Т. 1

Bibliographische Detailangaben
Parent link:Радиоэлектроника и молодежь в ХХІ веке: сборник материалов XVI Международного молодежного форума, г. Харьков, 17-19 апреля 2012 г./ Украина, Министерство образования и науки ; Харьковский национальный университет радиоэлектроники (ХНУРЭ).— , 2012
Т. 1.— 2012.— C. 29-30
1. Verfasser: Орлова К. Н. Ксения Николаевна
Körperschaften: Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ) Юргинский технологический институт (филиал) (ЮТИ) Кафедра естественного научного образования (ЕНО), Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ) Юргинский технологический институт (филиал) (ЮТИ) Кафедра безопасности жизнедеятельности, экологии и физического воспитания (БЖДЭФВ)
Zusammenfassung:В фонде НТБ ТПУ отсутствует
Sprache:Russisch
Veröffentlicht: 2012
Schlagworte:
труды учёных ТПУ
светодиоды
излучение
мощность
увеличение
AlGaInP
квантовые ямы
Format: Buchkapitel
KOHA link:https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=601909

Ähnliche Einträge

Ähnliche Einträge