Основные способы увеличения мощности излучения светодиодов AlGaInP с квантовыми ямами; Радиоэлектроника и молодежь в ХХІ веке; Т. 1

Основные способы увеличения мощности излучения светодиодов AlGaInP с квантовыми ямами; Радиоэлектроника и молодежь в ХХІ веке; Т. 1

Détails bibliographiques
Parent link:Радиоэлектроника и молодежь в ХХІ веке: сборник материалов XVI Международного молодежного форума, г. Харьков, 17-19 апреля 2012 г./ Украина, Министерство образования и науки ; Харьковский национальный университет радиоэлектроники (ХНУРЭ).— , 2012
Т. 1.— 2012.— C. 29-30
Auteur principal: Орлова К. Н. Ксения Николаевна
Collectivités auteurs: Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ) Юргинский технологический институт (филиал) (ЮТИ) Кафедра естественного научного образования (ЕНО), Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ) Юргинский технологический институт (филиал) (ЮТИ) Кафедра безопасности жизнедеятельности, экологии и физического воспитания (БЖДЭФВ)
Résumé:В фонде НТБ ТПУ отсутствует
Langue:russe
Publié: 2012
Sujets:
труды учёных ТПУ
светодиоды
излучение
мощность
увеличение
AlGaInP
квантовые ямы
Format: Chapitre de livre
KOHA link:https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=601909

Documents similaires