Основные способы увеличения мощности излучения светодиодов AlGaInP с квантовыми ямами; Радиоэлектроника и молодежь в ХХІ веке; Т. 1

Основные способы увеличения мощности излучения светодиодов AlGaInP с квантовыми ямами; Радиоэлектроника и молодежь в ХХІ веке; Т. 1

Бібліографічні деталі
Parent link:Радиоэлектроника и молодежь в ХХІ веке: сборник материалов XVI Международного молодежного форума, г. Харьков, 17-19 апреля 2012 г./ Украина, Министерство образования и науки ; Харьковский национальный университет радиоэлектроники (ХНУРЭ).— , 2012
Т. 1.— 2012.— C. 29-30
Автор: Орлова К. Н. Ксения Николаевна
Співавтори: Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ) Юргинский технологический институт (филиал) (ЮТИ) Кафедра естественного научного образования (ЕНО), Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ) Юргинский технологический институт (филиал) (ЮТИ) Кафедра безопасности жизнедеятельности, экологии и физического воспитания (БЖДЭФВ)
Резюме:В фонде НТБ ТПУ отсутствует
Мова:Російська
Опубліковано: 2012
Предмети:
труды учёных ТПУ
светодиоды
излучение
мощность
увеличение
AlGaInP
квантовые ямы
Формат: Частина з книги
KOHA link:https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=601909

Схожі ресурси