Основные способы увеличения мощности излучения светодиодов AlGaInP с квантовыми ямами; Радиоэлектроника и молодежь в ХХІ веке; Т. 1

Основные способы увеличения мощности излучения светодиодов AlGaInP с квантовыми ямами; Радиоэлектроника и молодежь в ХХІ веке; Т. 1

Xehetasun bibliografikoak
Parent link:Радиоэлектроника и молодежь в ХХІ веке: сборник материалов XVI Международного молодежного форума, г. Харьков, 17-19 апреля 2012 г./ Украина, Министерство образования и науки ; Харьковский национальный университет радиоэлектроники (ХНУРЭ).— , 2012
Т. 1.— 2012.— C. 29-30
Egile nagusia: Орлова К. Н. Ксения Николаевна
Egile korporatiboa: Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ) Юргинский технологический институт (филиал) (ЮТИ) Кафедра естественного научного образования (ЕНО), Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ) Юргинский технологический институт (филиал) (ЮТИ) Кафедра безопасности жизнедеятельности, экологии и физического воспитания (БЖДЭФВ)
Gaia:В фонде НТБ ТПУ отсутствует
Hizkuntza:errusiera
Argitaratua: 2012
Gaiak:
труды учёных ТПУ
светодиоды
излучение
мощность
увеличение
AlGaInP
квантовые ямы
Formatua: Liburu kapitulua
KOHA link:https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=601909

Antzeko izenburuak