Основные способы увеличения мощности излучения светодиодов AlGaInP с квантовыми ямами; Радиоэлектроника и молодежь в ХХІ веке; Т. 1

Основные способы увеличения мощности излучения светодиодов AlGaInP с квантовыми ямами; Радиоэлектроника и молодежь в ХХІ веке; Т. 1

Detaylı Bibliyografya
Parent link:Радиоэлектроника и молодежь в ХХІ веке: сборник материалов XVI Международного молодежного форума, г. Харьков, 17-19 апреля 2012 г./ Украина, Министерство образования и науки ; Харьковский национальный университет радиоэлектроники (ХНУРЭ).— , 2012
Т. 1.— 2012.— C. 29-30
Yazar: Орлова К. Н. Ксения Николаевна
Kurumsal yazarlar: Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ) Юргинский технологический институт (филиал) (ЮТИ) Кафедра естественного научного образования (ЕНО), Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ) Юргинский технологический институт (филиал) (ЮТИ) Кафедра безопасности жизнедеятельности, экологии и физического воспитания (БЖДЭФВ)
Özet:В фонде НТБ ТПУ отсутствует
Dil:Rusça
Baskı/Yayın Bilgisi: 2012
Konular:
труды учёных ТПУ
светодиоды
излучение
мощность
увеличение
AlGaInP
квантовые ямы
Materyal Türü: Kitap Bölümü
KOHA link:https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=601909

Benzer Materyaller