Способ ускорения электронов в цилиндрическом бетатроне и устройство для его реализации

Bibliographic Details
Corporate Author: Томский политехнический университет
Other Authors: Касьянов В. А. Валерий Алексеевич, Москалев В. А. Владилен Александрович, Цимбалист А. В., Шестаков В. Г.
Summary:опубл. 27.12.1996
Использование: ускорительная техника, индукционные циклические ускорители. Сущность изобретения: способ ускорения электронов в цилиндрическом бетатроне включает инжекцию электронов, фокусировку которых в аксиальном направлении осуществляют магнитными пробками и потенциальными барьерами на границах области устойчивого движения электронов, создаваемыми на момент инжекции с помощью пластин из проводящего материала. Потенциальные барьеры создаются импульсным отрицательным напряжением, по форме совпадающим с импульсом напряжения инжекции и синхронизированным с ним. Устройство для ускорения электронов в цилиндрическом бетатроне содержит электромагнит 12, ускорительную камеру 3, внутри которой на границах области устойчивого движения электронов в аксиальном направлении установлены пластины 4 из проводящего материала, и инжекторное устройство 5, расположенное вблизи одной из пластин. К пластинам относительно проводящего слоя ускорительной камеры подсоединены отрицательный выход источника импульсного напряжения 8, управляющий вход которого соединен с выходом синхронизирующего устройства 9, который подсоединен к управляющему входу источника отрицательного импульсного напряжения инжекции 7. Пластины 4 из проводящего материала могут быть выполнены в виде торцовых участков проводящего слоя ускорительной камеры и изолированы от цилиндрических участков 6 проводящего слоя ускорительной камеры. 2 с. и 1 з. п. ф-лы
В фонде НТБ ТПУ отсутствует
Language:Russian
Published:
Subjects:
Format: Book
KOHA link:https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=601618
Description
Summary:опубл. 27.12.1996
Использование: ускорительная техника, индукционные циклические ускорители. Сущность изобретения: способ ускорения электронов в цилиндрическом бетатроне включает инжекцию электронов, фокусировку которых в аксиальном направлении осуществляют магнитными пробками и потенциальными барьерами на границах области устойчивого движения электронов, создаваемыми на момент инжекции с помощью пластин из проводящего материала. Потенциальные барьеры создаются импульсным отрицательным напряжением, по форме совпадающим с импульсом напряжения инжекции и синхронизированным с ним. Устройство для ускорения электронов в цилиндрическом бетатроне содержит электромагнит 12, ускорительную камеру 3, внутри которой на границах области устойчивого движения электронов в аксиальном направлении установлены пластины 4 из проводящего материала, и инжекторное устройство 5, расположенное вблизи одной из пластин. К пластинам относительно проводящего слоя ускорительной камеры подсоединены отрицательный выход источника импульсного напряжения 8, управляющий вход которого соединен с выходом синхронизирующего устройства 9, который подсоединен к управляющему входу источника отрицательного импульсного напряжения инжекции 7. Пластины 4 из проводящего материала могут быть выполнены в виде торцовых участков проводящего слоя ускорительной камеры и изолированы от цилиндрических участков 6 проводящего слоя ускорительной камеры. 2 с. и 1 з. п. ф-лы
В фонде НТБ ТПУ отсутствует