Defects in GaAs produced with fast neutrons and protons; Труды XVII Международного совещания "Радиационная физика твердоготела" (Севастополь, 9-14 июля 2007 года)

Defects in GaAs produced with fast neutrons and protons

Xehetasun bibliografikoak
Parent link:	Труды XVII Международного совещания "Радиационная физика твердоготела" (Севастополь, 9-14 июля 2007 года).— 2007.— С. 479-488
Egile nagusia:	Peshev V. V.
Beste egile batzuk:	Soboleva E. G. Elvira Gomerovna
Gaia:	В фонде НТБ ТПУ отсутствует
Hizkuntza:	ingelesa
Argitaratua:	2007
Gaiak:	труды учёных ТПУ
Formatua:	Liburu kapitulua
KOHA link:	https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=601376

Antzeko izenburuak

Effect in GaAs produced by fast neutrons and protons; Control and Communications (SIBCON-2015)
nork: Soboleva E. G. Elvira Gomerovna
Argitaratua: (2015)

Resistance of LEDs Based on AlGaInP Heterostructures to Irradiation by Fast Neutrons; Journal of Chemistry and Chemical Engineering; Vol. 7, № 5
nork: Gradoboev A. V. Aleksandr Vasilyevich
Argitaratua: (2013)

The fast neutron irradiation influence on the AlGaAs IR-LEDs reliability; Microelectronics Reliability; Vol. 65
Argitaratua: (2016)

The dependency of fast neutron flux and spectra on the collimation-field size and geometry for fast neutron therapy purposes; Radiation Effects and Defects in Solids; Vol. 176, iss. 9-10
nork: Shehada A. Abdullah
Argitaratua: (2021)

Transition in AlGaInP heterostructures with multiple quantum wells during fast neutron radiation; IOP Conference Series: Materials Science and Engineering; Vol. 81 : Radiation-Thermal Effects and Processes in Inorganic Materials
nork: Gradoboev A. V. Aleksandr Vasilyevich
Argitaratua: (2015)

Change in radiating power of the AlGaInP heterostructures under irradiation by fast neutrons; Microwave & Telecommunication Technology (CriMiCo)
nork: Orlova K. N. Kseniya Nikolaevna
Argitaratua: (2014)

Deterioration of Watt and Voltage Characteristics of AlGaInP Heterostructures under Irradiation by Fast Neutrons; IOP Conference Series: Materials Science and Engineering; Vol. 110 : Radiation-Thermal Effects and Processes in Inorganic Materials (RTEP2015)
nork: Gradoboev A. V. Aleksandr Vasilyevich
Argitaratua: (2016)

Optical properties of GaAs films deposited via pulsed ion ablation; Journal of Surface Investigation. X-ray, Synchrotron and Neutron Techniques; Vol. 5, iss. 2
nork: Kabyshev A. V. Alexander Vasilievich
Argitaratua: (2011)

LEDs based upon AlGaInP heterostructures with multiple quantum wells: comparison of fast neutrons and gammaquanta irradiation; IOP Conference Series: Materials Science and Engineering; Vol. 363 : Cognitive Robotics
nork: Gradoboev A. V. Aleksandr Vasilyevich
Argitaratua: (2018)

Investigation of the resistance of AlGaInP LEDs (λ=630 nm) to irradiation with fast neutrons; Физико-технические проблемы в науке, промышленности и медицине
Argitaratua: (2022)

Оптоэлектронные фотопреобразователи излучений на основе гетеропереходов AlxGa1-x As-GaAs
nork: Трофим В. Г. Виорел Георгиевич
Argitaratua: (Кишинев, Штиинца, 1987)

Reliability of LEDs based upon AlGaAs heterostructures: combined influence of fast neutron and operation factors; 6th International Congress on Energy Fluxes and Radiation Effects; 18th International Conference on Radiation Physics and Chemistry of Condensed Matter (18th RPC)
nork: Gradoboev A. V. Aleksandr Vasilyevich
Argitaratua: (2018)

The radiation defects introduction in InP Shottky diodes; Девятая конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V" (3-5 октября 2006 г., Томск, Россия) : материалы конференции
nork: Peshev V. V.
Argitaratua: (2006)

Fast neutron activation analysis. Elemental Lfnf Base
nork: McKlveen J. W. John W.
Argitaratua: (Collingwood, Ann Arbor Science, 1981)

Нелинейные эффекты в процессах активированного окисления GaAs: монография
nork: Миттова И. Я. Ирина Яковлевна
Argitaratua: (Воронеж, Изд-во Воронежского ГУ, 2008)

Отжиг радиационных дефектов в n-GaAs; Известия вузов. Физика; Т. 47, № 10
nork: Пешев В. В.
Argitaratua: (2004)

Defect formation into Schottky barrier on InP; Радиационно-термические эффекты и процессы в неорганических материалах
nork: Peshev V. V.
Argitaratua: (2006)

Influence of the fast neutron irradiation on the IR-LEDs reliability; ISROS 2014
Argitaratua: (2014)

The research of characteristics of multichannel GaAs detectors; 2011 International Siberian Conference on Control and Communications (SIBCON), Russia, Krasnoyarsk, September 15−16, 2011
Argitaratua: (2011)

Оптические свойства пленок GaAs, осажденных импульсной ионной абляцией; ФВЗЧК-2010
nork: Кабышев А. В. Александр Васильевич
Argitaratua: (2010)

Stability of the GaAs based Hall sensors irradiated by gamma quanta; IOP Conference Series: Materials Science and Engineering; Vol. 81 : Radiation-Thermal Effects and Processes in Inorganic Materials
nork: Gradoboev A. V. Aleksandr Vasilyevich
Argitaratua: (2015)

Prospects of the use of fast neutron reactors; Методология проектирования молодежного научно-инновационного пространства как основа подготовки современного инженера
nork: Serikov D. A.
Argitaratua: (2014)

Combined Action of Fast Neutrons and Operational Factors on Reliability of Infrared LEDs; Inorganic Materials: Applied Research; Vol. 9, iss. 5
nork: Gradoboev A. V. Aleksandr Vasilyevich
Argitaratua: (2018)

The Influence of Power Mode on Ir-Leds Resistance to the Irradiation with Fast Neutrons; Applied Mechanics and Materials; Vol. 770 : Urgent Problems of Up-to-Date Mechanical Engineering
nork: Gradoboev A. V. Aleksandr Vasilyevich
Argitaratua: (2015)

Аннигиляция позитронов в кристаллах GaAs, облученных сильноточными протонами; Известия вузов. Физика; Т. 26, № 6
nork: Арефьев К. П. Константин Петрович
Argitaratua: (1983)

Проектирование СВЧ-усилителей на GaAs полевых транзисторах учебно-методическое пособие для студентов факультета нано- и биомедицинских технологий
nork: Тяжлов В. С.
Argitaratua: (Саратов, СГУ, 2019)

Characterization of Defects and Deep Levels for GaN Power Devices
nork: Narita, Tetsuo
Argitaratua: (2020)

Исследование характеристик диода шоттки на основе GaAs с квантовыми ямами практикум
nork: Тихов С. В.
Argitaratua: (Нижний Новгород, ННГУ им. Н. И. Лобачевского, 2010)

Positron annihilation in Si and GaAs crystals with an applied magnetic field; Physics Letters A; Vol. 59, iss. 3
Argitaratua: (1976)

Диод Шоттки на основе GaAs: технология получения и диагностика электронное учебно-методическое пособие
nork: Дорохин М. В.
Argitaratua: (Нижний Новгород, ННГУ им. Н. И. Лобачевского, 2013)

Контроль относительной деформации постоянной решетки полуизолирующего GaAs по отраженному излучению; Дефектоскопия; № 8
Argitaratua: (2004)

Электрофизические и фотоэлектрические свойства пленок GaAs, осажденных импульсной ионной абляцией; ФВЗЧК-2012
nork: Кабышев А. В. Александр Васильевич
Argitaratua: (2012)

Evaluating the dependency of neutron spectra and absorbed dose rates on the collimation field size in fast neutron therapy; Heliyon; Vol. 7, iss. 11
nork: Shehada A. Abdullah
Argitaratua: (2021)

Evaluating the dependency of neutron spectra and dose rate on the irradiation field size for fast neutron therapy purposes; Перспективы развития фундаментальных наук; Т. 1 : Физика
nork: Shehada A. M.
Argitaratua: (2019)

The Change of the Kinetics Model in the Calculations of Fast-Neutron Reactors; AIP Conference Proceedings; Vol. 2212 : Thermophysical Basis of Energy Technologies (TBET 2019)
nork: Savitsky D. E. Denis
Argitaratua: (2020)

Электронный транспорт в нанометровых GaAs структурах при радиационном воздействии; Журнал технической физики; Т. 72, вып. 1
nork: Демарина Н. В.
Argitaratua: (2002)

Radiation resistance of light-emitting diodes based on algaas-heterostructures to fast neutron and electron radiation; Известия вузов. Физика; Т. 57, № 12, ч. 3
nork: Rubanov P. V. Pavel Vladimirovich
Argitaratua: (2014)

Оптическое поглощение и аннигиляция позитронов в GaAs , облученном электронами; Физика и техника полупроводников; Т. 13, вып. 6
Argitaratua: (1979)

Photoelectrical properties of GaAs films deposited on polycor by pulsed ions ablation; Известия вузов. Физика; Т. 52, № 8/2 (приложение)
Argitaratua: (2009)

Исследование процесса аннигиляции позитронов в нарушенных поверхностных слоях GaAs; Физика и техника полупроводников; Т. 11, вып. 4
Argitaratua: (1977)