The radiation defects introduction in InP Shottky diodes; Девятая конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V" (3-5 октября 2006 г., Томск, Россия) : материалы конференции

The radiation defects introduction in InP Shottky diodes

Détails bibliographiques
Parent link:	Девятая конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V" (3-5 октября 2006 г., Томск, Россия) : материалы конференции.— 2006.— С. 371-374
Auteur principal:	Peshev V. V.
Autres auteurs:	Soboleva E. G. Elvira Gomerovna
Résumé:	В фонде НТБ ТПУ отсутствует
Langue:	anglais
Publié:	2006
Sujets:	труды учёных ТПУ
Format:	Chapitre de livre
KOHA link:	https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=601356

Documents similaires

Defect formation into Schottky barrier on InP; Радиационно-термические эффекты и процессы в неорганических материалах
par: Peshev V. V.
Publié: (2006)

The regularities of radiation defect formation at the interface metal -n-InP; Control and Communications (SIBCON)
par: Soboleva E. G. Elvira Gomerovna
Publié: (2016)

Defects in GaAs produced with fast neutrons and protons; Труды XVII Международного совещания "Радиационная физика твердоготела" (Севастополь, 9-14 июля 2007 года)
par: Peshev V. V.
Publié: (2007)

Defects and diffusion in solids. An introduction
par: Vrowec S. Stanislaw
Publié: (Warszawa, PWN-Polish scientific publishers, 1980)

Особенности образования радиационных дефектов на границе металл- n-InP; Перспективные материалы; № 2
par: Пешев В. В. Владимир Викторович
Publié: (2008)

Radiation Model of Light Emitting Diode Based on AlGaInP Heterostructures with Multiple Quantum Wells; Advanced Materials Research; Vol. 880 : Prospects of Fundamental Sciences Development (PFSD-2013)
par: Gradoboev A. V. Aleksandr Vasilyevich
Publié: (2014)

Исследование дефекности эпитаксиальных пленок InP, выращенных на GaAs (100); Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования; № 3
Publié: (2005)

Evolution of primary radiation defects in ionic crystals; Russian Physics Journal; Vol. 39, iss. 1
par: Lisitsyn V. M. Viktor Mikhailovich
Publié: (1996)

Revealing misfit dislocations in InAs x P1−x -InP core-shell nanowires by x-ray diffraction; Nanotechnology; Vol. 30, iss. 50
Publié: (2019)

Temperature dependence of accumulation of radiation defects in ionic crystals; Soviet Physics Journal; Vol. 22, № 2
par: Lisitsyn V. M. Viktor Mikhailovich
Publié: (1979)

Radiation resistance of light-emitting diodes based on algaas-heterostructures to fast neutron and electron radiation; Известия вузов. Физика; Т. 57, № 12, ч. 3
par: Rubanov P. V. Pavel Vladimirovich
Publié: (2014)

Пульсполярографическое и флуориметрическое определение серы в Ga, In, InP, InAs и As₂O₃: отдельный оттиск
Publié: (Москва, [Б. и.], 1966)

Primary Pairing Energy of Radiation Defects in MGF2 Crystal; Soviet Physics Journal; Vol. 20, № 9
par: Lisitsyn V. M. Viktor Mikhailovich
Publié: (1978)

Relaxation kinetics of primary pairs of radiation defects in ionic crystals; Physics of the Solid State; Vol. 44, № 11
par: Lisitsyn V. M. Viktor Mikhailovich
Publié: (2002)

Radiation-induced defects and their complexes in ion-irradiated thermostable dielectrics; Russian Physics Journal; Vol. 43, iss. 3
par: Kabyshev A. V. Alexander Vasilievich
Publié: (2000)

Localized defect states in irradiated with siliconions; 13th International Conference on Radiation Physics and Chemistry of Inorganic Materials, Tomsk, September 10-15, 2006
par: Kabyshev A. V. Alexander Vasilievich
Publié: (2006)

The Introduction
par: Woolf V.
Publié: (Санкт-Петербург, Лань, 2013)

Complex defects in scintillation crystals; Energy Fluxes and Radiation Effects (EFRE-2016)
par: Lisitsyn V. M. Viktor Mikhailovich
Publié: (2016)

Полупроводниковые плёнки InP полученные методом импульсного ионного осаждения; Высокие технологии в промышленности России (материалы и устройства функциональной электроники и микроэлектроники)
Publié: (2007)

Радиационные дефекты в бинарных (InP, GaP) и тройных (CdSnP2, ZnGeP2) полупроводниковых фосфидах: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук
par: Новиков В. А. Владимир Александрович
Publié: (Томск, [Б. и.], 2007)

Temperature dependence of radiation defect buildup in doped CaF2 crystals; Soviet Physics Journal; Vol. 18, № 5
par: Lisitsyn V. M. Viktor Mikhailovich
Publié: (1975)

Энтальпия образования InP, InAs и InSb: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата химических наук
par: Гаджиев С. Н.
Publié: (Баку, Изд-во АН АзССР, 1962)

Особенности введения и отжига радиационных дефектов в области пространственного заряда соединений GaAs и InP; Сборник тезисов IV Всероссийской Баховской конференции по радиационной химии, Москва, Россия, 1-3 июня 2005 г.
par: Пешев В. В. Владимир Викторович
Publié: (2005)

Образование и отжиг радиационных дефектов в области пространственного заряда соединений GaAs и InP; XLVI Международная Тулиновская конференция по физике взаимодействия заряженных частиц с кристаллами, ФВЗЧК-2016
par: Соболева Э. Г. Эльвира Гомеровна
Publié: (2016)

Радиационные дефекты в бинарных (InP, GaP) и тройных (CdSnP2, ZnGeP2) полупроводниковых фосфидах: диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; спец. 01.04.10
par: Новиков В. А. Владимир Александрович
Publié: (Томск, [Б. и.], 2007)

Investigation of AlGaInP heterostructures under gamma-irradiation in the field of restructuring defect structure; Physica Status Solidi (C) Current Topics in Solid State Physics; № 1-2
par: Gradoboev A. V. Aleksandr Vasilyevich
Publié: (2015)

Радиационные дефекты в бинарных (InP, GaP) и тройных (CdSnP2, ZnGeP2) полупроводниковых фосфидах: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; спец. 01.04.10
par: Новиков В. А. Владимир Александрович
Publié: (Томск, [Б. и.], 2007)

Local mechanical stress relaxation of in gunn diodes irradiated by protons; Energy Fluxes and Radiation Effects (EFRE-2016)
par: Gradoboev A. V. Aleksandr Vasilyevich
Publié: (2016)

Relationship the processes of the radiation defect formation at proton irradiaton with markov chains; Energy Fluxes and Radiation Effects (EFRE-2016)
par: Kupchishin A. I. Anatoliy Ivanovich
Publié: (2016)

Nanosecond semiconductor diodes for pulsed power switching; Physics-Uspekhi; Vol. 48, № 7
par: Grekhov I. V.
Publié: (2005)

Relaxation of primary defects in ionic crystals; Radiation Physics and Chemistry of Inorganic Materials
Publié: (2003)

Annealing of radiation-induced defects in CaF2 crystals; Soviet Physics Journal; Vol. 13, № 11
par: Ovcharov A. T.
Publié: (1970)

Mode of formation of intrinsic radiation defects in calcium fluoride crystals; Soviet Physics Journal; Vol. 15, № 5
Publié: (1972)

Short-lived primary radiation defects in LiF crystals; Physics of the Solid State; Vol. 43, № 9
Publié: (2001)

Gamma degradation of light-emitting diodes based on heterostructured AlGaInP; The 7th International Forum on Strategic Technology (IFOST-2012), September 18-21, 2012, Tomsk
par: Orlova K. N. Kseniya Nikolaevna
Publié: (2012)

Creation and Accumulation of Radiation Defects in Single Crystals of Magnesium Oxide; Research Aims and Methodology
par: Surzhikov A. P. Anatoly Petrovich
Publié: (Cham, Springer Nature Switzerland AG, 2024)

Local mechanical stress relaxation of Gunn diodes irradiated by protons; Journal of Physics: Conference Series; Vol. 830 : Energy Fluxes and Radiation Effects 2016
par: Gradoboev A. V. Aleksandr Vasilyevich
Publié: (2017)

Energy of Frenkel' defect formation in MgF2; Soviet Physics Journal; Vol. 19, № 5
par: Gorlach V. V.
Publié: (1976)

Sputtering of the magnetron diode target in the presence of an external ion beam; Technical Physics; Vol. 51, №4
par: Zhukov V. K.
Publié: (2006)

Gas-filled electron diode based on a glow discharge; Technical Physics; Vol. 46, № 5
par: Devyatkov V. N.
Publié: (2001)