|
|
|
|
| LEADER |
00000naa0a2200000 4500 |
| 001 |
601356 |
| 005 |
20250826163847.0 |
| 035 |
|
|
|a (RuTPU)RU\TPU\tpu\26128
|
| 035 |
|
|
|a RU\TPU\tpu\26127
|
| 090 |
|
|
|a 601356
|
| 100 |
|
|
|a 20141119d2006 k y0rusy50 ca
|
| 101 |
0 |
|
|a eng
|
| 102 |
|
|
|a RU
|
| 200 |
1 |
|
|a The radiation defects introduction in InP Shottky diodes
|f V. V. Peshev, E. G. Soboleva
|
| 333 |
|
|
|a В фонде НТБ ТПУ отсутствует
|
| 463 |
|
1 |
|t Девятая конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V" (3-5 октября 2006 г., Томск, Россия) : материалы конференции
|l Ninth conference "Gallium arsenide and III-V group related compounds". 3-5 October, 2006, Tomsk, Russia. "GaAs - 2006"
|v С. 371-374
|d 2006
|
| 610 |
1 |
|
|a труды учёных ТПУ
|
| 700 |
|
1 |
|a Peshev
|b V. V.
|
| 701 |
|
1 |
|a Soboleva
|b E. G.
|c physicist
|c Associate Professor of Yurga Institute of Technology, TPU Affiliate, Candidate of physical and mathematical Sciences
|f 1976-
|g Elvira Gomerovna
|3 (RuTPU)RU\TPU\pers\32994
|
| 801 |
|
1 |
|a RU
|b 63413507
|c 20141119
|
| 801 |
|
2 |
|a RU
|b 63413507
|c 20141119
|g RCR
|
| 942 |
|
|
|c BK
|