The radiation defects introduction in InP Shottky diodes

Detaylı Bibliyografya
Parent link:Девятая конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V" (3-5 октября 2006 г., Томск, Россия) : материалы конференции=Ninth conference "Gallium arsenide and III-V group related compounds". 3-5 October, 2006, Tomsk, Russia. "GaAs - 2006". С. 371-374.— , 2006
Yazar: Peshev V. V.
Diğer Yazarlar: Soboleva E. G. Elvira Gomerovna
Özet:В фонде НТБ ТПУ отсутствует
Dil:İngilizce
Baskı/Yayın Bilgisi: 2006
Konular:
Materyal Türü: Kitap Bölümü
KOHA link:https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=601356

MARC

LEADER 00000naa0a2200000 4500
001 601356
005 20250826163847.0
035 |a (RuTPU)RU\TPU\tpu\26128 
035 |a RU\TPU\tpu\26127 
090 |a 601356 
100 |a 20141119d2006 k y0rusy50 ca 
101 0 |a eng 
102 |a RU 
200 1 |a The radiation defects introduction in InP Shottky diodes  |f V. V. Peshev, E. G. Soboleva 
333 |a В фонде НТБ ТПУ отсутствует 
463 1 |t Девятая конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V" (3-5 октября 2006 г., Томск, Россия) : материалы конференции  |l Ninth conference "Gallium arsenide and III-V group related compounds". 3-5 October, 2006, Tomsk, Russia. "GaAs - 2006"  |v С. 371-374  |d 2006 
610 1 |a труды учёных ТПУ 
700 1 |a Peshev  |b V. V. 
701 1 |a Soboleva  |b E. G.  |c physicist  |c Associate Professor of Yurga Institute of Technology, TPU Affiliate, Candidate of physical and mathematical Sciences  |f 1976-  |g Elvira Gomerovna  |3 (RuTPU)RU\TPU\pers\32994 
801 1 |a RU  |b 63413507  |c 20141119 
801 2 |a RU  |b 63413507  |c 20141119  |g RCR 
942 |c BK