Особенности введения и отжига радиационных дефектов в области пространственного заряда соединений GaAs и InP

Особенности введения и отжига радиационных дефектов в области пространственного заряда соединений GaAs и InP

書目詳細資料
Parent link:	Сборник тезисов IV Всероссийской Баховской конференции по радиационной химии, Москва, Россия, 1-3 июня 2005 г.. С. 98.— , 2005
主要作者:	Пешев В. В. Владимир Викторович
其他作者:	Соболева Э. Г. Эльвира Гомеровна
總結:	В фонде НТБ ТПУ отсутствует
出版:	2005
主題:	труды учёных ТПУ
格式:	Book Chapter
KOHA link:	https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=601354

相似書籍

Образование и отжиг радиационных дефектов в области пространственного заряда соединений GaAs и InP
由: Соболева Э. Г. Эльвира Гомеровна
出版: (2016)

Отжиг радиационных дефектов в n-GaAs
由: Пешев В. В.
出版: (2004)

Особенности образования радиационных дефектов на границе металл- n-InP
由: Пешев В. В. Владимир Викторович
出版: (2008)

Исследование дефекности эпитаксиальных пленок InP, выращенных на GaAs (100)
出版: (2005)

Особенности введения радиационных дефектов в области барьера Шоттки фосфида индия
由: Пешев В. В. Владимир Викторович
出版: (2006)

Формирование ионно-легированных структур GaAs при низких температурах радиационного отжига
出版: (1998)

Влияние термо-и микроволновой обработок на свойства омических контактов K n-n+-n++ -Inp(GaAs, GaN)
出版: (2011)

Импульсное осаждение полупроводниковых пленок GaAs и InP из абляционной плазмы, формируемой мощным ионным пучком диссертация на соискание ученой степени кандидата технических наук спец. 01.04.07
由: Салтымаков М. С. Максим Сергеевич
出版: (Томск, 2010)

Импульсное осаждение полупроводниковых пленок GaAs и InP из абляционной плазмы, формируемой мощным ионным пучком автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук спец. 01.04.07
由: Салтымаков М. С. Максим Сергеевич
出版: (Томск, 2010)

Импульсное осаждение полупроводниковых пленок GaAs и InP из абляционной плазмы, формируемой мощным ионным пучком автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук спец. 01.04.07
由: Салтымаков М. С. Максим Сергеевич
出版: (Томск, 2010)

Defect formation into Schottky barrier on InP
由: Peshev V. V.
出版: (2006)

Исследование процессов отжига радиационных дефектов некоторых неорганических диэлектриков. Диэлектрик [Отчет о НИР]
出版: (Томск, 1969)

Пульсполярографическое и флуориметрическое определение серы в Ga, In, InP, InAs и As₂O₃ отдельный оттиск
出版: (Москва, [Б. и.], 1966)

The research of characteristics of multichannel GaAs detectors
出版: (2011)

Химическое формирование субмикронных элементов GaAs
出版: (2004)

Зависимость свойств ионно-легированных слоёв GaAs : Si от дозы имплантации после радиационного отжига
由: Ардышев М. В.
出版: (2002)

The radiation defects introduction in InP Shottky diodes
由: Peshev V. V.
出版: (2006)

Влияние различных видов отжига на свойства ионно-легированных слоев и термическую стабильность полуизолирующего GaAs
由: Ардышев В. М.
出版: (1998)

Defects in GaAs produced with fast neutrons and protons
由: Peshev V. V.
出版: (2007)

Effect in GaAs produced by fast neutrons and protons
由: Soboleva E. G. Elvira Gomerovna
出版: (2015)

Роль пространственного заряда в период инжекции
由: Соколов О. В.
出版: (1959)

Метод радиационных дефектов методические рекомендации
出版: (Москва, [Б. и.], 1982)

Моделирование перераспределения точечных и линейных дефектов в GaAs при локальном воздействии ионами Статья
由: Крылов П.Н.
出版: (Ижевск, ФГБОУ ВПО "Удмуртский Государственный университет", 2005)

Радиационные дефекты в бинарных (InP, GaP) и тройных (CdSnP2, ZnGeP2) полупроводниковых фосфидах автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук
由: Новиков В. А. Владимир Александрович
出版: (Томск, [Б. и.], 2007)

Уравнения кинетики радиационных дефектов
由: Матвеев М. В. Максим Витальевич
出版: (2015)

Образование радиационных дефектов и их отжиг в арсениде галлия
由: Пешев В. В. Владимир Викторович
出版: (2005)

Влияние точечных дефектов на активационные процессы в полуизолирующем GaAs, облученном ионами [Si28]
由: Ардышев М. В.
出版: (2004)

Радиационные дефекты в бинарных (InP, GaP) и тройных (CdSnP2, ZnGeP2) полупроводниковых фосфидах диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук спец. 01.04.10
由: Новиков В. А. Владимир Александрович
出版: (Томск, [Б. и.], 2007)

Полупроводниковые плёнки InP полученные методом импульсного ионного осаждения
出版: (2007)

The regularities of radiation defect formation at the interface metal -n-InP
由: Soboleva E. G. Elvira Gomerovna
出版: (2016)

Радиационные дефекты в бинарных (InP, GaP) и тройных (CdSnP2, ZnGeP2) полупроводниковых фосфидах автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук спец. 01.04.10
由: Новиков В. А. Владимир Александрович
出版: (Томск, [Б. и.], 2007)

Нелинейные эффекты в процессах активированного окисления GaAs монография
由: Миттова И. Я. Ирина Яковлевна
出版: (Воронеж, Изд-во Воронежского ГУ, 2008)

Оптоэлектронные фотопреобразователи излучений на основе гетеропереходов AlxGa1-x As-GaAs
由: Трофим В. Г. Виорел Георгиевич
出版: (Кишинев, Штиинца, 1987)

Особенности фотопроводимости компенсированного i-GaAs в области спектра hv>E[ g]
出版: (2003)

Фазовые превращения на границе раздела GaAs -полимерный гель
由: Упеникова А. О. Анна Олеговна
出版: (2012)

Монолитная интегральная схема двухпозиционного СВЧ коммутатора на GaAs
出版: (2006)

Аннигиляция позитронов в кристаллах GaAs, облученных сильноточными протонами
由: Арефьев К. П. Константин Петрович
出版: (1983)

Positron annihilation in Si and GaAs crystals with an applied magnetic field
出版: (1976)

Оптические свойства пленок GaAs, осажденных импульсной ионной абляцией
由: Кабышев А. В. Александр Васильевич
出版: (2010)

Stability of the GaAs based Hall sensors irradiated by gamma quanta
由: Gradoboev A. V. Aleksandr Vasilyevich
出版: (2015)