Особенности введения и отжига радиационных дефектов в области пространственного заряда соединений GaAs и InP; Сборник тезисов IV Всероссийской Баховской конференции по радиационной химии, Москва, Россия, 1-3 июня 2005 г.
| Parent link: | Сборник тезисов IV Всероссийской Баховской конференции по радиационной химии, Москва, Россия, 1-3 июня 2005 г..— 2005.— С. 98 |
|---|---|
| Prif Awdur: | |
| Awduron Eraill: | |
| Crynodeb: | В фонде НТБ ТПУ отсутствует |
| Iaith: | Rwseg |
| Cyhoeddwyd: |
2005
|
| Pynciau: | |
| Fformat: | Pennod Llyfr |
| KOHA link: | https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=601354 |
Eitemau Tebyg
Образование и отжиг радиационных дефектов в области пространственного заряда соединений GaAs и InP; XLVI Международная Тулиновская конференция по физике взаимодействия заряженных частиц с кристаллами, ФВЗЧК-2016
gan: Соболева Э. Г. Эльвира Гомеровна
Cyhoeddwyd: (2016)
gan: Соболева Э. Г. Эльвира Гомеровна
Cyhoeddwyd: (2016)
Отжиг радиационных дефектов в n-GaAs; Известия вузов. Физика; Т. 47, № 10
gan: Пешев В. В.
Cyhoeddwyd: (2004)
gan: Пешев В. В.
Cyhoeddwyd: (2004)
Исследование дефекности эпитаксиальных пленок InP, выращенных на GaAs (100); Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования; № 3
Cyhoeddwyd: (2005)
Cyhoeddwyd: (2005)
Особенности образования радиационных дефектов на границе металл- n-InP; Перспективные материалы; № 2
gan: Пешев В. В. Владимир Викторович
Cyhoeddwyd: (2008)
gan: Пешев В. В. Владимир Викторович
Cyhoeddwyd: (2008)
Формирование ионно-легированных структур GaAs при низких температурах радиационного отжига; Электронная промышленность; Т. № 1-2
Cyhoeddwyd: (1998)
Cyhoeddwyd: (1998)
Моделирование перераспределения точечных и линейных дефектов в GaAs при локальном воздействии ионами Статья
gan: Крылов П.Н.
Cyhoeddwyd: (Ижевск, ФГБОУ ВПО "Удмуртский Государственный университет", 2005)
gan: Крылов П.Н.
Cyhoeddwyd: (Ижевск, ФГБОУ ВПО "Удмуртский Государственный университет", 2005)
Оптоэлектронные фотопреобразователи излучений на основе гетеропереходов AlxGa1-x As-GaAs
gan: Трофим В. Г. Виорел Георгиевич
Cyhoeddwyd: (Кишинев, Штиинца, 1987)
gan: Трофим В. Г. Виорел Георгиевич
Cyhoeddwyd: (Кишинев, Штиинца, 1987)
Электронные процессы в полупроводниках с областями пространственного заряда
gan: Овсюк В. Н. Виктор Николаевич
Cyhoeddwyd: (Новосибирск, Наука, 1984)
gan: Овсюк В. Н. Виктор Николаевич
Cyhoeddwyd: (Новосибирск, Наука, 1984)
Влияние различных видов отжига на свойства ионно-легированных слоев и термическую стабильность полуизолирующего GaAs; Физика и химия обработки материалов; № 3
gan: Ардышев В. М.
Cyhoeddwyd: (1998)
gan: Ардышев В. М.
Cyhoeddwyd: (1998)
Нелинейные эффекты в процессах активированного окисления GaAs: монография
gan: Миттова И. Я. Ирина Яковлевна
Cyhoeddwyd: (Воронеж, Изд-во Воронежского ГУ, 2008)
gan: Миттова И. Я. Ирина Яковлевна
Cyhoeddwyd: (Воронеж, Изд-во Воронежского ГУ, 2008)
Зависимость свойств ионно-легированных слоёв GaAs : Si от дозы имплантации после радиационного отжига; Радиационно-термические эффекты и процессы в неорганических материалах
gan: Ардышев М. В.
Cyhoeddwyd: (2002)
gan: Ардышев М. В.
Cyhoeddwyd: (2002)
Влияние термо-и микроволновой обработок на свойства омических контактов K n-n+-n++ -Inp(GaAs, GaN); Известия вузов. Физика; Т. 54, № 1/2 : Радиационно-термические эффекты и процессы в неорганических материалах
Cyhoeddwyd: (2011)
Cyhoeddwyd: (2011)
Поиск оптимального варианта введения пространственного фактора в эколого-экономические модели Статья
gan: Блануца В.И. Виктор Иванович
Cyhoeddwyd: (Москва, ООО "Научно-издательский центр ИНФРА-М", 2016)
gan: Блануца В.И. Виктор Иванович
Cyhoeddwyd: (Москва, ООО "Научно-издательский центр ИНФРА-М", 2016)
Импульсное осаждение полупроводниковых пленок GaAs и InP из абляционной плазмы, формируемой мощным ионным пучком: диссертация на соискание ученой степени кандидата технических наук; спец. 01.04.07
gan: Салтымаков М. С. Максим Сергеевич
Cyhoeddwyd: (Томск, 2010)
gan: Салтымаков М. С. Максим Сергеевич
Cyhoeddwyd: (Томск, 2010)
Пульсполярографическое и флуориметрическое определение серы в Ga, In, InP, InAs и As₂O₃: отдельный оттиск
Cyhoeddwyd: (Москва, [Б. и.], 1966)
Cyhoeddwyd: (Москва, [Б. и.], 1966)
Выращивание фотодиодных структур на основе InGaAs и InAlGaAs на подложке GaAs методом МОСГЭ. Практикум
gan: Байдусь Н. В.
Cyhoeddwyd: (Нижний Новгород, ННГУ им. Н. И. Лобачевского, 2025)
gan: Байдусь Н. В.
Cyhoeddwyd: (Нижний Новгород, ННГУ им. Н. И. Лобачевского, 2025)
Особенности введения радиационных дефектов в области барьера Шоттки фосфида индия; Современные проблемы науки и образования; № 3
gan: Пешев В. В. Владимир Викторович
Cyhoeddwyd: (2006)
gan: Пешев В. В. Владимир Викторович
Cyhoeddwyd: (2006)
Импульсное осаждение полупроводниковых пленок GaAs и InP из абляционной плазмы, формируемой мощным ионным пучком: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук; спец. 01.04.07
gan: Салтымаков М. С. Максим Сергеевич
Cyhoeddwyd: (Томск, 2010)
gan: Салтымаков М. С. Максим Сергеевич
Cyhoeddwyd: (Томск, 2010)
Импульсное осаждение полупроводниковых пленок GaAs и InP из абляционной плазмы, формируемой мощным ионным пучком: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук; спец. 01.04.07
gan: Салтымаков М. С. Максим Сергеевич
Cyhoeddwyd: (Томск, 2010)
gan: Салтымаков М. С. Максим Сергеевич
Cyhoeddwyd: (Томск, 2010)
Effect in GaAs produced by fast neutrons and protons; Control and Communications (SIBCON-2015)
gan: Soboleva E. G. Elvira Gomerovna
Cyhoeddwyd: (2015)
gan: Soboleva E. G. Elvira Gomerovna
Cyhoeddwyd: (2015)
Оптические свойства пленок GaAs, осажденных импульсной ионной абляцией; ФВЗЧК-2010
gan: Кабышев А. В. Александр Васильевич
Cyhoeddwyd: (2010)
gan: Кабышев А. В. Александр Васильевич
Cyhoeddwyd: (2010)
Влияние точечных дефектов на активационные процессы в полуизолирующем GaAs, облученном ионами [Si28]; Известия вузов. Физика; Т. 47, № 3
gan: Ардышев М. В.
Cyhoeddwyd: (2004)
gan: Ардышев М. В.
Cyhoeddwyd: (2004)
Проектирование СВЧ-усилителей на GaAs полевых транзисторах учебно-методическое пособие для студентов факультета нано- и биомедицинских технологий
gan: Тяжлов В. С.
Cyhoeddwyd: (Саратов, СГУ, 2019)
gan: Тяжлов В. С.
Cyhoeddwyd: (Саратов, СГУ, 2019)
Исследование характеристик диода шоттки на основе GaAs с квантовыми ямами практикум
gan: Тихов С. В.
Cyhoeddwyd: (Нижний Новгород, ННГУ им. Н. И. Лобачевского, 2010)
gan: Тихов С. В.
Cyhoeddwyd: (Нижний Новгород, ННГУ им. Н. И. Лобачевского, 2010)
Диод Шоттки на основе GaAs: технология получения и диагностика электронное учебно-методическое пособие
gan: Дорохин М. В.
Cyhoeddwyd: (Нижний Новгород, ННГУ им. Н. И. Лобачевского, 2013)
gan: Дорохин М. В.
Cyhoeddwyd: (Нижний Новгород, ННГУ им. Н. И. Лобачевского, 2013)
Фазовые превращения на границе раздела GaAs -полимерный гель; Перспективы развития фундаментальных наук
gan: Упеникова А. О. Анна Олеговна
Cyhoeddwyd: (2012)
gan: Упеникова А. О. Анна Олеговна
Cyhoeddwyd: (2012)
Химическое формирование субмикронных элементов GaAs; Химия и химическая технология на рубеже тысячелетий
Cyhoeddwyd: (2004)
Cyhoeddwyd: (2004)
Контроль относительной деформации постоянной решетки полуизолирующего GaAs по отраженному излучению; Дефектоскопия; № 8
Cyhoeddwyd: (2004)
Cyhoeddwyd: (2004)
Электрофизические и фотоэлектрические свойства пленок GaAs, осажденных импульсной ионной абляцией; ФВЗЧК-2012
gan: Кабышев А. В. Александр Васильевич
Cyhoeddwyd: (2012)
gan: Кабышев А. В. Александр Васильевич
Cyhoeddwyd: (2012)
Выращивание полупроводниковых гетероструктур с квантовыми точками InAs/GaAs методом ГФЭ МОС описание лабораторной работы
gan: Байдусь Н. В.
Cyhoeddwyd: (Нижний Новгород, ННГУ им. Н. И. Лобачевского, 2001)
gan: Байдусь Н. В.
Cyhoeddwyd: (Нижний Новгород, ННГУ им. Н. И. Лобачевского, 2001)
Исследование процессов отжига радиационных дефектов некоторых неорганических диэлектриков. Диэлектрик: [Отчет о НИР]
Cyhoeddwyd: (Томск, 1969)
Cyhoeddwyd: (Томск, 1969)
Аннигиляция позитронов в кристаллах GaAs, облученных сильноточными протонами; Известия вузов. Физика; Т. 26, № 6
gan: Арефьев К. П. Константин Петрович
Cyhoeddwyd: (1983)
gan: Арефьев К. П. Константин Петрович
Cyhoeddwyd: (1983)
Автобиографического введения
gan: Вяземский П. А.
Cyhoeddwyd: (Санкт-Петербург, Лань, 2013)
gan: Вяземский П. А.
Cyhoeddwyd: (Санкт-Петербург, Лань, 2013)
Влияние внешних возмущений на поведение плотности пространственного заряда в камере бетатрона; Известия вузов. Физика; № 5
gan: Черданцев П. А. Петр Алексеевич
Cyhoeddwyd: (1959)
gan: Черданцев П. А. Петр Алексеевич
Cyhoeddwyd: (1959)
Оптические свойства поликристаллического оксида алюминия после облучения ионами хрома и отжига; ФВЗЧК-2005
gan: Кабышев А. В. Александр Васильевич
Cyhoeddwyd: (2005)
gan: Кабышев А. В. Александр Васильевич
Cyhoeddwyd: (2005)
Перенос носителей заряда в структурах из GaAs с глубокими центрами Fe, Cr и El2: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; спец. 1.3.11
gan: Верхолетов М. Г. Максим Георгиевич
Cyhoeddwyd: (Томск, 2023)
gan: Верхолетов М. Г. Максим Георгиевич
Cyhoeddwyd: (Томск, 2023)
Positron annihilation in Si and GaAs crystals with an applied magnetic field; Physics Letters A; Vol. 59, iss. 3
Cyhoeddwyd: (1976)
Cyhoeddwyd: (1976)
Singularities of current-voltage characteristics of GaAs films fabricated by pulsed ions ablation; Взаимодействие излучений с твердым телом
Cyhoeddwyd: (2009)
Cyhoeddwyd: (2009)
СВЧ-приборы и интегральные микросхемы: Полевые транзисторы GaAs с затвором в виде барьера Шоттк учебно-методическое пособие
gan: Кольцов Г. И.
Cyhoeddwyd: (Москва, МИСИС, 1998)
gan: Кольцов Г. И.
Cyhoeddwyd: (Москва, МИСИС, 1998)
Стабильный датчик температуры на основе структур с барьером Шотки на GaAs; Приборы и техника эксперимента; № 3
gan: Филонов Н. Г.
Cyhoeddwyd: (2002)
gan: Филонов Н. Г.
Cyhoeddwyd: (2002)