Коэффициенты Пуассона кубических ионных кристаллов

Bibliografiset tiedot
Päätekijä: Беломестных В. Н. Владимир Николаевич
Yhteisötekijä: "Известия вузов. Физика", журнал
Muut tekijät: Соболева Э. Г. Эльвира Гомеровна
Yhteenveto:Деп. в ВИНИТИ 06.05.11, № 212-В2011
При стандартных условиях на основе известных эксперим. значений постоянных жесткости cig кубических ионных монокристаллов с разными типами кристаллич. решеток (B1, B2, B3, NaClO3) определены анизотропные и изотропные для поликристаллов коэф. Пуассона галогенидов, галогенатов, цианидов щелочных металлов, а также галогенидов меди, серебра, таллия и аммония. Установлено, что при комн. температуре и атм. давлении отрицат. значениями коэф. Пуассона в направлении <110> (вдоль 110) обладают LiF и галогениды меди. В ориентационно разупорядоченной по анионам CN- фазе кристалла NaCN I коэф. Пуассона в интервале Tc (284,7 К) - 475 К линейны и положительны. При этом σ<100,001> при повышении температуры растет, остальные коэф. Пуассона уменьшаются. В критич. точке Tc сегнетоупругого перехода NaCN I→NaCN II коэф. Пуассона изотопного цианида натрия близок к предельному положит. значению (σ=0,454). Исследованы температурные (LiF, NaCN) и барические (CuCl) зависимости коэф. Пуассона. Функция σ<hkl>(P) и σ (P) кристалла CuCl существенно разные в фазе B3 (P<Pc) и фазе B1 (P>Pc). С повышением давления в интервале 0 - Pc (9,75 ГПа) σ<110,001> нелинейно увеличивается (116%), а σ<100,110> нелинейно уменьшается (700%). Коэф. Пуассона изотропного CuCl при Pc достигает максимального положит. значения (σ=0,485), близкого к предельному. При переходе B3→B1 все коэф. Пуассона изменяются скачком.
В фонде НТБ ТПУ отсутствует
Kieli:venäjä
Julkaistu: Томск, 2011
Aiheet:
Aineistotyyppi: Kirja
KOHA link:https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=601351

MARC

LEADER 00000nam0a2200000 4500
001 601351
005 20231101132141.0
029 0 0 |a RU  |b 212-В2011  |f ВИНИТИ 
035 |a (RuTPU)RU\TPU\tpu\26123 
035 |a RU\TPU\tpu\23132 
090 |a 601351 
100 |a 20141119j20110506k y0rusy50 ca 
101 0 |a rus 
102 |a RU 
105 |a y z 000zy 
200 1 |a Коэффициенты Пуассона кубических ионных кристаллов  |f В. Н. Беломестных, Э. Г. Соболева  |g ред. журн. "Известия вузов. Физика" 
210 |a Томск  |d 2011 
215 |a 17 с.  |c ил. 
300 |a Деп. в ВИНИТИ 06.05.11, № 212-В2011 
320 |a Библиогр.: 22 назв. 
330 |a При стандартных условиях на основе известных эксперим. значений постоянных жесткости cig кубических ионных монокристаллов с разными типами кристаллич. решеток (B1, B2, B3, NaClO3) определены анизотропные и изотропные для поликристаллов коэф. Пуассона галогенидов, галогенатов, цианидов щелочных металлов, а также галогенидов меди, серебра, таллия и аммония. Установлено, что при комн. температуре и атм. давлении отрицат. значениями коэф. Пуассона в направлении <110> (вдоль 110) обладают LiF и галогениды меди. В ориентационно разупорядоченной по анионам CN- фазе кристалла NaCN I коэф. Пуассона в интервале Tc (284,7 К) - 475 К линейны и положительны. При этом σ<100,001> при повышении температуры растет, остальные коэф. Пуассона уменьшаются. В критич. точке Tc сегнетоупругого перехода NaCN I→NaCN II коэф. Пуассона изотопного цианида натрия близок к предельному положит. значению (σ=0,454). Исследованы температурные (LiF, NaCN) и барические (CuCl) зависимости коэф. Пуассона. Функция σ<hkl>(P) и σ (P) кристалла CuCl существенно разные в фазе B3 (P<Pc) и фазе B1 (P>Pc). С повышением давления в интервале 0 - Pc (9,75 ГПа) σ<110,001> нелинейно увеличивается (116%), а σ<100,110> нелинейно уменьшается (700%). Коэф. Пуассона изотропного CuCl при Pc достигает максимального положит. значения (σ=0,485), близкого к предельному. При переходе B3→B1 все коэф. Пуассона изменяются скачком. 
333 |a В фонде НТБ ТПУ отсутствует 
610 1 |a труды учёных ТПУ 
610 1 |a депонированные рукописи 
700 1 |a Беломестных  |b В. Н.  |c физик, физико-химик  |c профессор Юргинского технологического института (филиал) Томского политехничесого университета  |f 1939-  |g Владимир Николаевич  |2 stltpush  |3 (RuTPU)RU\TPU\pers\25113 
701 1 |a Соболева  |b Э. Г.  |c физик  |c доцент Юргинского технологического института (филиал) Томского политехнического университета, кандидат физико-математических наук  |f 1976-  |g Эльвира Гомеровна  |2 stltpush  |3 (RuTPU)RU\TPU\pers\27511 
712 0 2 |a "Известия вузов. Физика", журнал  |c Томск 
801 1 |a RU  |b 63413507  |c 20120220 
801 2 |a RU  |b 63413507  |c 20141119  |g RCR 
942 |c BK