Фотоэлектрические свойства пленок высокоомного GaAs, осажденных из абляционной плазмы, формируемой мощным импульсным ионнм пучком
| Parent link: | Известия вузов. Физика/ Министерство общего и профессионального образования Российской Федерации ; Томский Госуниверситет.— , 1958- Т. 51, № 11/2 : материалы VI Международной научной конференции и IV школы-конференции молодых ученых "Радиационно-термические эффекты и процессы в неорганических материалах" (8–15 августа 2008 г., г. Томск).— 2008.— С. 15-20 |
|---|---|
| অন্যান্য লেখক: | , , , , |
| সংক্ষিপ্ত: | В фонде НТБ ТПУ отсутствует |
| প্রকাশিত: |
2008
|
| বিষয়গুলি: | |
| বিন্যাস: | গ্রন্থের অধ্যায় |
| KOHA link: | https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=601309 |
অনুরূপ উপাদানগুলি
Фотоэлектрические свойства пленок высокоомного арсенида галлия, осажденных из абляционной плазмы, формируемой мощным импульсным ионным пучком
প্রকাশিত: (2008)
প্রকাশিত: (2008)
Осаждение пленок GaAs из абляционной плазмы, формируемой импульсным мощным ионным пучком автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук
অনুযায়ী: Ли Цзень Фень
প্রকাশিত: (Томск, [Б. и.], 2006)
অনুযায়ী: Ли Цзень Фень
প্রকাশিত: (Томск, [Б. и.], 2006)
Оптические свойства пленок арсенида галлия, осажденных на диэлектрики из абляционной плазмы, формируемой мощным ионным пучком
প্রকাশিত: (2010)
প্রকাশিত: (2010)
Импульсное осаждение полупроводниковых пленок GaAs и InP из абляционной плазмы, формируемой мощным ионным пучком диссертация на соискание ученой степени кандидата технических наук спец. 01.04.07
অনুযায়ী: Салтымаков М. С. Максим Сергеевич
প্রকাশিত: (Томск, 2010)
অনুযায়ী: Салтымаков М. С. Максим Сергеевич
প্রকাশিত: (Томск, 2010)
Импульсное осаждение полупроводниковых пленок GaAs и InP из абляционной плазмы, формируемой мощным ионным пучком автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук спец. 01.04.07
অনুযায়ী: Салтымаков М. С. Максим Сергеевич
প্রকাশিত: (Томск, 2010)
অনুযায়ী: Салтымаков М. С. Максим Сергеевич
প্রকাশিত: (Томск, 2010)
Импульсное осаждение полупроводниковых пленок GaAs и InP из абляционной плазмы, формируемой мощным ионным пучком автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук спец. 01.04.07
অনুযায়ী: Салтымаков М. С. Максим Сергеевич
প্রকাশিত: (Томск, 2010)
অনুযায়ী: Салтымаков М. С. Максим Сергеевич
প্রকাশিত: (Томск, 2010)
Электрофизические и фотоэлектрические свойства пленок GaAs, осажденных импульсной ионной абляцией
অনুযায়ী: Кабышев А. В. Александр Васильевич
প্রকাশিত: (2012)
অনুযায়ী: Кабышев А. В. Александр Васильевич
প্রকাশিত: (2012)
Оптические свойства пленок GaAs, осажденных импульсной ионной абляцией
অনুযায়ী: Кабышев А. В. Александр Васильевич
প্রকাশিত: (2010)
অনুযায়ী: Кабышев А. В. Александр Васильевич
প্রকাশিত: (2010)
Термическая и химическая пассивация пленок арсенида галлия, осажденных из абляционной плазмы
অনুযায়ী: Кабышев А. В. Александр Васильевич
প্রকাশিত: (2014)
অনুযায়ী: Кабышев А. В. Александр Васильевич
প্রকাশিত: (2014)
Оптические свойства пленок GAAS, осажденных импульсной ионной абляцией
অনুযায়ী: Кабышев А. В. Александр Васильевич
প্রকাশিত: (2011)
অনুযায়ী: Кабышев А. В. Александр Васильевич
প্রকাশিত: (2011)
Электрические и фотоэлектрические свойства пленок, осажденных на нитриде бора из электроразрядной титансодержащей плазмы
অনুযায়ী: Кабышев А. В. Александр Васильевич
প্রকাশিত: (2013)
অনুযায়ী: Кабышев А. В. Александр Васильевич
প্রকাশিত: (2013)
Влияние пассивации на фотоэлектрические свойства плёнок арсенида галия, осаждённых импульсной ионной абляцией
প্রকাশিত: (2011)
প্রকাশিত: (2011)
Воздействие мощным импульсным ионным пучком углерода на приповерхностные слои циркониевой керамики
প্রকাশিত: (2014)
প্রকাশিত: (2014)
Модифицирование твердосплавных пластин на основе карбида вольфрама мощным импульсным ионным пучком
অনুযায়ী: Тарбоков В. А. Владислав Александрович
প্রকাশিত: (2004)
অনুযায়ী: Тарбоков В. А. Владислав Александрович
প্রকাশিত: (2004)
Влияние двойного легирования на совершенство эпитаксиальных пленок полупроводниковых кристаллов GaAs
প্রকাশিত: (1981)
প্রকাশিত: (1981)
Исследование дефекности эпитаксиальных пленок InP, выращенных на GaAs (100)
প্রকাশিত: (2005)
প্রকাশিত: (2005)
The research of characteristics of multichannel GaAs detectors
প্রকাশিত: (2011)
প্রকাশিত: (2011)
Химическое формирование субмикронных элементов GaAs
প্রকাশিত: (2004)
প্রকাশিত: (2004)
Распыление меди импульсным мощным ионным пучком: структура и фазовый состав мишени и пленки
প্রকাশিত: (2001)
প্রকাশিত: (2001)
Defects in GaAs produced with fast neutrons and protons
অনুযায়ী: Peshev V. V.
প্রকাশিত: (2007)
অনুযায়ী: Peshev V. V.
প্রকাশিত: (2007)
Отжиг радиационных дефектов в n-GaAs
অনুযায়ী: Пешев В. В.
প্রকাশিত: (2004)
অনুযায়ী: Пешев В. В.
প্রকাশিত: (2004)
Effect in GaAs produced by fast neutrons and protons
অনুযায়ী: Soboleva E. G. Elvira Gomerovna
প্রকাশিত: (2015)
অনুযায়ী: Soboleva E. G. Elvira Gomerovna
প্রকাশিত: (2015)
Фотоэлектрические и яркостные характеристики структур GaAs-ZnS для твердотельных преобразователей изображений автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук спец. 01.04.10
অনুযায়ী: Яскевич Т. М. Тамара Михайловна
প্রকাশিত: (Томск, 2013)
অনুযায়ী: Яскевич Т. М. Тамара Михайловна
প্রকাশিত: (Томск, 2013)
О природе свечения ТЭНА, инициированного мощным электронным пучком
প্রকাশিত: (2006)
প্রকাশিত: (2006)
Нелинейные эффекты в процессах активированного окисления GaAs монография
অনুযায়ী: Миттова И. Я. Ирина Яковлевна
প্রকাশিত: (Воронеж, Изд-во Воронежского ГУ, 2008)
অনুযায়ী: Миттова И. Я. Ирина Яковлевна
প্রকাশিত: (Воронеж, Изд-во Воронежского ГУ, 2008)
Оптоэлектронные фотопреобразователи излучений на основе гетеропереходов AlxGa1-x As-GaAs
অনুযায়ী: Трофим В. Г. Виорел Георгиевич
প্রকাশিত: (Кишинев, Штиинца, 1987)
অনুযায়ী: Трофим В. Г. Виорел Георгиевич
প্রকাশিত: (Кишинев, Штиинца, 1987)
Исследование пленок азотосодержащего оксида титана осажденных магнетронным распылением
অনুযায়ী: Сунь Чжилэй
প্রকাশিত: (2020)
অনুযায়ী: Сунь Чжилэй
প্রকাশিত: (2020)
Свойства пленок оксида галлия, полученных методом электрохимического окисления пластин GaAs автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук спец. 1.3.11
অনুযায়ী: Петрова Ю. С. Юлианна Сергеевна
প্রকাশিত: (Томск, 2024)
অনুযায়ী: Петрова Ю. С. Юлианна Сергеевна
প্রকাশিত: (Томск, 2024)
Осаждение фуллереновых пленок из абляционной плазмы, создаваемой при облучении графита мощными ионными пучками
প্রকাশিত: (2007)
প্রকাশিত: (2007)
Осаждение фуллереновых пленок из абляционной плазмы, создаваемой при облучении графита мощными ионными пучками
প্রকাশিত: (2008)
প্রকাশিত: (2008)
Фазовые превращения на границе раздела GaAs -полимерный гель
অনুযায়ী: Упеникова А. О. Анна Олеговна
প্রকাশিত: (2012)
অনুযায়ী: Упеникова А. О. Анна Олеговна
প্রকাশিত: (2012)
Positron annihilation in Si and GaAs crystals with an applied magnetic field
প্রকাশিত: (1976)
প্রকাশিত: (1976)
Монолитная интегральная схема двухпозиционного СВЧ коммутатора на GaAs
প্রকাশিত: (2006)
প্রকাশিত: (2006)
Аннигиляция позитронов в кристаллах GaAs, облученных сильноточными протонами
অনুযায়ী: Арефьев К. П. Константин Петрович
প্রকাশিত: (1983)
অনুযায়ী: Арефьев К. П. Константин Петрович
প্রকাশিত: (1983)
Stability of the GaAs based Hall sensors irradiated by gamma quanta
অনুযায়ী: Gradoboev A. V. Aleksandr Vasilyevich
প্রকাশিত: (2015)
অনুযায়ী: Gradoboev A. V. Aleksandr Vasilyevich
প্রকাশিত: (2015)
Pulsed ion beam formation of highly doped GaAs layers
প্রকাশিত: (1998)
প্রকাশিত: (1998)
Обеззараживание воды обработкой импульсным электронным пучком
অনুযায়ী: Асадова В. Т.
প্রকাশিত: (2022)
অনুযায়ী: Асадова В. Т.
প্রকাশিত: (2022)
Деформация силумина, облученного импульсным электронным пучком
প্রকাশিত: (2020)
প্রকাশিত: (2020)
Инициирование окисления водорода импульсным электронным пучком
অনুযায়ী: Пушкарёв А. И. Александр Иванович
প্রকাশিত: (2005)
অনুযায়ী: Пушкарёв А. И. Александр Иванович
প্রকাশিত: (2005)
Влияние обработки мощным ионным пучком на окисление твердых сплавов
প্রকাশিত: (2001)
প্রকাশিত: (2001)