Фотоэлектрические свойства пленок высокоомного GaAs, осажденных из абляционной плазмы, формируемой мощным импульсным ионнм пучком

Фотоэлектрические свойства пленок высокоомного GaAs, осажденных из абляционной плазмы, формируемой мощным импульсным ионнм пучком

Bibliographic Details
Parent link:Известия вузов. Физика/ Министерство общего и профессионального образования Российской Федерации ; Томский Госуниверситет.— , 1958-
Т. 51, № 11/2 : материалы VI Международной научной конференции и IV школы-конференции молодых ученых "Радиационно-термические эффекты и процессы в неорганических материалах" (8–15 августа 2008 г., г. Томск).— 2008.— С. 15-20
Other Authors: Кабышев А. В. Александр Васильевич, Конусов Ф. В. Федор Валерьевич, Ложников С. Н., Ремнев Г. Е. Геннадий Ефимович, Салтымаков М. С. Максим Сергеевич
Summary:В фонде НТБ ТПУ отсутствует
Language:Russian
Published: 2008
Subjects:
труды учёных ТПУ
Format: Book Chapter
KOHA link:https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=601309

Similar Items

Similar Items