Получение микро- и наноострийных структур на массивной основе с помощью осаждения металла в поры трековой мембраны; Всероссийская научная конференция "Мембраны-2007" (с международным участием), 1-4 октября 2007 г. - Головков В. М. Владимир Михайлович (2007, 2007)
Для синтеза наноострийных структур использовался шаблон на основе трековой мембраны из полиэтилентерефталата ("ТОМТРЕК") с порами от 0,2 до 1 мкм и толщиной в пределах 9-13 мкм. В поры трековой мембраны гальванически осаждали металл (Ni, Cu). Сложность задачи заключалась в необходимости разработки надежной технологии получения развитой наноострийной структуры поверхности массивных образцов металлов и полупроводников. При выращивании наноострийных структур на массивных подложках необходимым условием является плотный и надежный контакт поверхности шаблона и исследуемого образца. Для решения данной проблемы была разработана оригинальная методика закрепления трекового шаблона на поверхности образцов при помощи магнита и сетки. Хорошая смачиваемость поверхности достигалась путем кратковременной электрохимической обработкой поверхности основной матрицы в кислотных травителях. Для получения более плотного осадка при гальваническом осаждении металлов подбирались токовые режимы и соответствующие присадки к электролиту. Для уменьшения выделения водорода на подложке осаждение металлов проводили при минимальных напряжениях на электродах. Полимерный трековый шаблон после формирования наноострийных структур удалялся традиционным способом с помощью растворения в щелочи NaOH, с 7% добавлением метанола.