Получение микро- и наноострийных структур на массивной основе с помощью осаждения металла в поры трековой мембраны; Всероссийская научная конференция "Мембраны-2007" (с международным участием), 1-4 октября 2007 г.

Manylion Llyfryddiaeth
Parent link:Всероссийская научная конференция "Мембраны-2007" (с международным участием), 1-4 октября 2007 г..— 2007.— С. 77
Prif Awdur: Головков В. М. Владимир Михайлович
Awduron Eraill: Мирончик В. Г., Сохорева В. В. Валентина Викторовна
Crynodeb:Для синтеза наноострийных структур использовался шаблон на основе трековой мембраны из полиэтилентерефталата ("ТОМТРЕК") с порами от 0,2 до 1 мкм и толщиной в пределах 9-13 мкм. В поры трековой мембраны гальванически осаждали металл (Ni, Cu). Сложность задачи заключалась в необходимости разработки надежной технологии получения развитой наноострийной структуры поверхности массивных образцов металлов и полупроводников. При выращивании наноострийных структур на массивных подложках необходимым условием является плотный и надежный контакт поверхности шаблона и исследуемого образца. Для решения данной проблемы была разработана оригинальная методика закрепления трекового шаблона на поверхности образцов при помощи магнита и сетки. Хорошая смачиваемость поверхности достигалась путем кратковременной электрохимической обработкой поверхности основной матрицы в кислотных травителях. Для получения более плотного осадка при гальваническом осаждении металлов подбирались токовые режимы и соответствующие присадки к электролиту. Для уменьшения выделения водорода на подложке осаждение металлов проводили при минимальных напряжениях на электродах. Полимерный трековый шаблон после формирования наноострийных структур удалялся традиционным способом с помощью растворения в щелочи NaOH, с 7% добавлением метанола.
В фонде НТБ ТПУ отсутствует
Iaith:Rwseg
Cyhoeddwyd: 2007
Pynciau:
Fformat: Pennod Llyfr
KOHA link:https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=600756

MARC

LEADER 00000naa0a2200000 4500
001 600756
005 20250818134236.0
035 |a (RuTPU)RU\TPU\tpu\25295 
090 |a 600756 
100 |a 20140619d2007 k||y0rusy50 ca 
101 0 |a rus 
102 |a RU 
200 1 |a Получение микро- и наноострийных структур на массивной основе с помощью осаждения металла в поры трековой мембраны  |f В. М. Головков, В. Г. Мирончик, В. В. Сохорева 
330 |a Для синтеза наноострийных структур использовался шаблон на основе трековой мембраны из полиэтилентерефталата ("ТОМТРЕК") с порами от 0,2 до 1 мкм и толщиной в пределах 9-13 мкм. В поры трековой мембраны гальванически осаждали металл (Ni, Cu). Сложность задачи заключалась в необходимости разработки надежной технологии получения развитой наноострийной структуры поверхности массивных образцов металлов и полупроводников. При выращивании наноострийных структур на массивных подложках необходимым условием является плотный и надежный контакт поверхности шаблона и исследуемого образца. Для решения данной проблемы была разработана оригинальная методика закрепления трекового шаблона на поверхности образцов при помощи магнита и сетки. Хорошая смачиваемость поверхности достигалась путем кратковременной электрохимической обработкой поверхности основной матрицы в кислотных травителях. Для получения более плотного осадка при гальваническом осаждении металлов подбирались токовые режимы и соответствующие присадки к электролиту. Для уменьшения выделения водорода на подложке осаждение металлов проводили при минимальных напряжениях на электродах. Полимерный трековый шаблон после формирования наноострийных структур удалялся традиционным способом с помощью растворения в щелочи NaOH, с 7% добавлением метанола. 
333 |a В фонде НТБ ТПУ отсутствует 
463 |t Всероссийская научная конференция "Мембраны-2007" (с международным участием), 1-4 октября 2007 г.  |o программа. Тезисы докладов  |v С. 77  |d 2007 
610 1 |a труды учёных ТПУ 
700 1 |a Головков  |b В. М.  |c физик  |c заведующий лабораторией Томского политехнического университета, кандидат физико-математических наук  |f 1950-  |g Владимир Михайлович  |3 (RuTPU)RU\TPU\pers\28136 
701 1 |a Мирончик  |b В. Г. 
701 1 |a Сохорева  |b В. В.  |c физик  |c старший научный сотрудник Томского политехнического университета  |f 1944-  |g Валентина Викторовна  |3 (RuTPU)RU\TPU\pers\28149  |9 13107 
801 1 |a RU  |b 63413507  |c 20140619 
801 2 |a RU  |b 63413507  |c 20140619  |g RCR 
942 |c BK