Моделирование развития разрядного канала в твердых диэлектриках

Моделирование развития разрядного канала в твердых диэлектриках

Библиографические подробности
Источник:Математические модели и методы их исследования: труды международной конференции, Красноярск, 16-21 августа 2001 г. : в 2 т./ под ред. В. К. Андреева, Ю. В. Штанько.— , 2001
Т. 2.— 2001.— С. 69-73
Другие авторы: Лопатин В. В. Владимир Васильевич, Носков М. Д. Михаил Дмитриевич, Чеглоков А. А., Шаповалов А. В. Александр Васильевич
Примечания:При помощи компьютерного моделирования исследуется развитие электротепловой неустойчивости при приложении постоянного внешнего напряжения в диэлектрике с характерными для термостойких полимерных изоляторов параметрами. Целью работы является выяснение возможности распространения высокопроводящего канала в результате развития электротепловой неустойчивости.
В фонде НТБ ТПУ отсутствует
Опубликовано: 2001
Предметы:
труды учёных ТПУ
Формат: Статья
Запись в KOHA:https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=600294

Схожие документы

Схожие документы