Способ уменьшения предымпульсной концентрации электронов в активной среде лазера на парах галогенида металла и активный элемент лазера на парах галогенида металла
| Autor Corporativo: | |
|---|---|
| Outros autores: | , |
| Summary: | опубл. 20.05.04 Изобретение относится к квантовой электронике. В способе в качестве газообразной добавки выбирают легкоионизуемое вещество, атомы которого имеют потенциал ионизации Jд, меньший потенциала ионизации атомов рабочего металла Jм, причем его концентрация составляет от 0,05 до 0,15% концентрации атомов рабочего металла. активный элемент лазера содержит вакуумно-плотную оболочку, снабженную двумя электродами на ее концах и периодично расположенными в нижней ее части N контейнерами. Вакуумно-плотная оболочка выполнена с цилиндрическими выступами по обе стороны от электродов. Внутри ее рабочего канала периодично по его длине помещены навески рабочего металла, а снаружи рабочий канал снабжен теплоизоляцией. Техн. результатом является повышение частотных, энергетических характеристик за счет уменьшения предымпульсной концентрации электронов в активной среде лазера. В фонде НТБ ТПУ отсутствует |
| Publicado: |
|
| Subjects: | |
| Formato: | Libro |
| KOHA link: | https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=600049 |
MARC
| LEADER | 00000nam0a2200000 4500 | ||
|---|---|---|---|
| 001 | 600049 | ||
| 005 | 20231218170014.0 | ||
| 029 | 1 | 0 | |a RU |b 2229188 |c Пат. |d МПК H 01 S 3/227 |
| 035 | |a (RuTPU)RU\TPU\tpu\24237 | ||
| 035 | |a RU\TPU\tpu\24231 | ||
| 039 | 0 | |a RU |b 2002135781/28 |c 20021230 | |
| 090 | |a 600049 | ||
| 100 | |a 20131225j20040520k y0rusy50 ca | ||
| 101 | 0 | |a rus | |
| 102 | |a RU | ||
| 105 | |a a k 000zy | ||
| 200 | 1 | |a Способ уменьшения предымпульсной концентрации электронов в активной среде лазера на парах галогенида металла и активный элемент лазера на парах галогенида металла |f Г. С. Евтушенко, О. В. Жданеев |g Томский политехнический университет (ТПУ) | |
| 300 | |a опубл. 20.05.04 | ||
| 330 | |a Изобретение относится к квантовой электронике. В способе в качестве газообразной добавки выбирают легкоионизуемое вещество, атомы которого имеют потенциал ионизации Jд, меньший потенциала ионизации атомов рабочего металла Jм, причем его концентрация составляет от 0,05 до 0,15% концентрации атомов рабочего металла. активный элемент лазера содержит вакуумно-плотную оболочку, снабженную двумя электродами на ее концах и периодично расположенными в нижней ее части N контейнерами. Вакуумно-плотная оболочка выполнена с цилиндрическими выступами по обе стороны от электродов. Внутри ее рабочего канала периодично по его длине помещены навески рабочего металла, а снаружи рабочий канал снабжен теплоизоляцией. Техн. результатом является повышение частотных, энергетических характеристик за счет уменьшения предымпульсной концентрации электронов в активной среде лазера. | ||
| 333 | |a В фонде НТБ ТПУ отсутствует | ||
| 610 | 1 | |a патенты | |
| 610 | 1 | |a труды учёных ТПУ | |
| 701 | 1 | |a Евтушенко |b Г. С. |c российский специалист в области электрофизики |c профессор Томского политехнического университета, доктор технических наук |f 1947- |g Геннадий Сергеевич |3 (RuTPU)RU\TPU\pers\21960 |9 9279 | |
| 701 | 1 | |a Жданеев |b О. В. |c специалист в области электроники |c ассистент Томского политехнического университета, кандидат физико-математических наук |f 1978- |g Олег Валерьевич |3 (RuTPU)RU\TPU\pers\26475 |4 070 | |
| 712 | 0 | 2 | |a Томский политехнический университет (ТПУ) |c (1991-2009) |3 (RuTPU)RU\TPU\col\376 |
| 801 | 1 | |a RU |b 63413507 |c 20120201 | |
| 801 | 2 | |a RU |b 63413507 |c 20200923 |g RCR | |
| 942 | |c BK | ||